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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410089652.3无效
发明人： 饭塚胜彦;冈田和央;森智典;土桥博之;铃木弘之;本多孝好;谷口敏光 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，不产生硅衬底的削减或碳污染，形成LDD结构或金属硅化物区域。在栅极电极3的侧面部形成衬垫6时，将绝缘膜5的蚀刻分为干蚀刻和湿蚀刻两个阶段进行。另外，使用氮化硅膜作为高浓度杂质物注入时的缓冲膜，利用湿蚀刻除去该膜。其结果可防止硅衬底1的削减，防止碳污染，另外，由作为湿蚀刻特征的选择比的大小，杂质区域或硅化物形成区域的深度或电阻的面内的偏差变小。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410089651.9无效
发明人： 饭塚胜彦;冈田和央 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，在形成具有LDD结构，且具有采用金属硅化物形成的硅化物层的晶体管时，不产生硅衬底消减或碳污染。在硅衬底1上形成栅极绝缘膜2，在栅极电极3上形成和栅极绝缘膜2的材料相同种类的绝缘膜4。然后，形成第一绝缘膜6和第二绝缘膜，其中，第一绝缘膜6是和所述栅极绝缘膜2及所述栅极电极3上的绝缘膜4的材料不同的绝缘膜，第二绝缘膜是和栅极绝缘膜2及栅极电极3上的绝缘膜4的材料相同的绝缘膜。然后，使用干蚀刻形成由第二绝缘膜构成的衬垫8，然后，使用湿蚀刻形成LDD结构，形成用于形成硅化物层的开口部。其结果是，可不产生硅衬底的消减或碳污染而制造具有LDD结构或金属硅化物层的晶体管。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410001883.4有效
发明人： 饭塚胜彦;五嶋一智;谷口敏光;大谷敏晴 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-01-15 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法。本发明要解决的课题是，得到高电阻，温度系数小，而且薄膜电阻的单晶片面内均匀性优良的电阻元件。解决课题的手段是，在半导体基板(1)上形成场氧化膜(2)，在该场氧化膜(2)上用LPCVD法形成非掺杂的硅膜(3)。硅膜(3)是非晶硅膜或多晶硅膜。向该硅膜(3)进行BF2⁺离子注入。并且在该离子注入前或离子注入后进行750℃以下低温的N2退火。
半导体装置制造方法

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