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[发明专利]使用独立离子源与自由基源进行衬底处理的装置以及技术-CN202080083233.6在审
发明人：安东尼·雷诺;约瑟·C·欧尔森;彼得·F·库鲁尼西 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-11-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：一种系统可包括用以支撑衬底的衬底载台及多个束源。所述多个束源可包括：离子束源，所述离子束源被布置成将离子束引导到所述衬底；以及自由基束源，所述自由基束源被布置成将自由基束引导到所述衬底。所述系统可包括控制器，所述控制器被配置成控制所述离子束源及所述自由基束源在至少一个方面彼此独立地运行，其中所述至少一个方面包括束组成、束入射角以及束源相对于所述衬底的相对扫描。
使用独立离子源自由基进行衬底处理装置以及技术

[发明专利]一种用于制备CIGS太阳电池吸收层的束流蒸发源-CN201511024282.X在审
发明人：赖运子;赵岳;申绪男;王胜利;刘帅奇;乔在祥;赵彦民 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备CIGS太阳电池吸收层的束流蒸发源，包括：束流源、束流源底盘、上束流源悬挂件、下束流源悬挂件、横向导杆、转动连接片、横向滑动块、纵向导杆、纵向滑动块、以及真空腔室底盘。上述真空腔室底盘位于束流蒸发源的底部，真空腔室底盘上设置有纵向导杆，纵向导杆上设置纵向滑动块，在所述纵向滑动块上安装有横向导杆，横向导杆上设置有横向滑动块，横向滑动块上安装有转动连接片，在转动连接片上安装有下束流源悬挂件，在下束流源悬挂件上安装有上束流源悬挂件，上束流源悬挂件上安装有束流源底盘，束流源底盘上安装有束流源。该用于制备CIGS太阳电池吸收层的束流蒸发源能够实现束流蒸发源角度多方向调整。
一种用于制备 cigs 太阳电池吸收蒸发

[发明专利]一种分子束外延不同类型束源炉参数换算的方法-CN201811274504.7在审
发明人：顾溢;张永刚;邵秀梅;李雪;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种分子束外延不同类型束源炉参数换算的方法，根据不同类型束源炉在两个温度点生长的材料生长速率或多元材料组分，获得束源炉对应生长速率或组分随温度的变化关系，实现对不同类型束源炉温度参数的换算。本发明的方法可以在不使用束流规的情况下，实现对分子束外延中束源炉温度参数的快速估计和定位，高效地实现对多元材料组分精确控制和多元材料生长，大幅提高束源炉参数的调节效率。本发明适用于In、Ga、Al、Si、Ge等多种束源炉，以及气态源分子束外延、固态源分子束外延等多种方式和设备，具有很好的通用性。
束源炉分子束外延多元材料换算温度参数生长固态源分子束外延气态源分子束外延变化关系材料生长快速估计温度点束流

[实用新型]离子注入设备-CN201721040144.5有效
发明人：何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子注入设备，包括离子源、一与该真空腔相连通的掺杂气体供应装置、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整气态掺杂源和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
束流掺杂源氢离子离子束流检测装置离子注入设备传输路径氢气供应装置偏转本实用新型掺杂气体供应装置检测结果偏转元件供应量氢气离子源真空腔采样检测

[实用新型]离子注入设备-CN201721039656.X有效
发明人：何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子注入设备，包括离子源、一与该真空腔相连通的加热腔体、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整掺杂源的升华温度和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
离子注入设备

[实用新型]一种新型高温束源炉-CN201721642913.9有效
发明人：周焱文 -专利权人：武汉普迪真空科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及束源炉技术领域，尤其是一种新型高温束源炉，包括束源炉本体和固定束源炉本体的底座，所述束源炉本体的外部设置有保温外壳，所述保温外壳的内壁与束源炉本体的外壁之间设置有间隙，所述加热层的内壁与束源炉本体的外壁连接，所述隔热层的外壁与保温外壳的内壁固定连接，所述束源炉本体的上部固定安装有固定圈，所述密封板将束源炉本体的出口密封，所述固定圈远离束源炉本体的一侧开设有卡槽，所述卡槽内设置有耐高温密封圈，所述束源炉本体的底部中心开设有安装孔
束源炉保温外壳内壁外壁本实用新型新型高温安装孔固定圈卡槽耐高温密封圈热辐射扩散便于安装出口密封底部中心连接机构密封效果外部设置波纹管隔热层加热层密封板底座冷却

[发明专利]一种结构紧凑且调节温度范围广的连续分子束源系统-CN201711040912.1有效
发明人：吴家伟;杨学明 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H05H3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种结构紧凑且调节温度范围广的连续分子束源系统，分子束源系统中包括：束源管部分、气体连接部分、束源冷却和热屏蔽部分、束源温度测量与温度控制部分。所述束源管由一根一端封闭的金属管组成；束源管采取中间细两端粗的几何构型；在管的正中间设置直径25‑50μm的小孔用于产生分子束；一定压力的气体通过束源管前端小孔达到超声膨胀，然后经由漏勺形成一定强度的分子束流，分子束的平动能由喷嘴管的温度决定，本发明中喷嘴的温度是利用喷嘴本身电阻进行加热而不需要额外的加热部件从而实现设计上的简便性。
束源连续分子喷嘴分子束小孔分子束流分子束源几何构型加热部件气体通过温度测量温度决定一端封闭中间设置简便性金属管喷嘴管热屏蔽动能超声粗的电阻漏勺加热冷却膨胀

[发明专利]离子注入设备及方法-CN201710712869.2在审
发明人：何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入设备及方法，该离子注入设备包括离子源、一与该真空腔相连通的加热腔体、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整掺杂源的升华温度和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
束流掺杂源氢离子离子束流检测装置离子注入设备传输路径氢气供应装置偏转加热腔体检测结果偏转元件供应量氢气离子源真空腔采样检测升华

[发明专利]离子注入设备及方法-CN201710712878.1在审
发明人：何川;洪俊华;张劲;陈炯;杨勇 -专利权人：上海凯世通半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入设备及方法，该离子注入设备包括离子源、一与该真空腔相连通的掺杂气体供应装置、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整气态掺杂源和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。
束流掺杂源氢离子离子束流检测装置离子注入设备传输路径氢气供应装置偏转掺杂气体供应装置检测结果偏转元件供应量氢气离子源真空腔采样检测

[发明专利]一种气相沉积薄膜的装置及其使用方法-CN201210047340.0有效
发明人：王强;李国建;曹永泽;王晓光;赫冀成 -专利权人：东北大学
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：首先将源材料放置于束源坩埚中，再把基片放置在样品台上，关闭样品台活动档板，开启镀膜室腔体冷却水套和束源冷却装置，然后抽真空，通过束源加热线圈对束源进行加热，使用束源测温热电偶测量束源温度，并通过样品台冷却系统和样品台冷却介质或样品台加热线圈控制基片温度，当磁场强度达到要求后，开启束源活动档板，开始生长薄膜，当薄膜生长到厚度为35～120nm后，关闭样品台活动档板和束源活动档板，然后关闭基片的冷却或加热系统，最后将磁场降为零后，降低束源温度至室温，关闭抽真空系统
一种沉积薄膜装置及其使用方法

[发明专利]一种速度可调氢自由基束源的产生方法-CN201911282585.X在审
发明人：王兴安;赵敏 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种速度可调氢自由基束源的产生方法，包括：利用脉冲阀超声射流产生母体分子束源，所述母体分子束源包括氢卤酸分子；利用激光器产生波长连续可调的真空紫外光解光，以通过所述光解光对所述母体分子束源进行光解，形成第一氢自由基束源和第二氢自由基束源，所述光解光与所述母体分子束源垂直交叉作用，所述第一氢自由基的主要分布方向与所述光解光的偏振方向垂直，所述第二氢自由基的主要分布方向与所述光解光的偏振方向平行；所述氢自由基速度可调是通过光解波长连续可调来实现的；利用漏勺对所述第一氢自由基束源或第二氢自由基束源进行准直，从而可以获得所需的高质量的氢自由基束源。
一种速度可调自由基产生方法

[发明专利]一种三状态分子束外延用束源炉快门-CN202011453051.1有效
发明人：杜鹏;龚欣;付宏伟;魏唯;陈峰武;王慧勇;肖慧;宁澍;陈长平 -专利权人：湖南烁科晶磊半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种三状态分子束外延用束源炉快门，在具备束流开启与束流关断两种状态的基础上，新增第三种束源炉保护状态，处于束源炉保护状态的快门可以有效阻挡冷屏内壁上吸附的材料碎片掉落入束源炉中，具有可以保护束源炉内源料不受材料碎片污染、优化外延薄膜质量、同时有效提升蒸发束流的稳定性和重复性、降低设备维护时间、提高设备生产效率等优点。
一种状态分子外延用束源炉快门

[实用新型]分子束流限制装置及分子束外延设备-CN202120101614.4有效
发明人：倪健;吴亮亮;薛聪 -专利权人：埃特曼（深圳）半导体技术有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种分子束流限制装置及分子束外延设备，所述分子束流限制装置包括：源炉挡板，设置于衬底的一侧，用于实现自阀控源炉喷射至所述衬底的过压分子束流的开关状态；束流限制器，设置于所述源炉挡板和所述衬底之间，用于阻挡所述源炉挡板未能阻挡或反射的所述过压分子束流，还用于将所述过压分子束流经由所述束流限制器入射至所述衬底表面。束流限制器和源炉挡板的共同配合，实现对阀控源炉出射的过压分子束流进行限制的同时，还将过压分子束流引流至衬底上，尽可能降低暂存在生长腔室内的过压分子束流，进而实现过压分子束流开关状态的快速切换，提升分子束外延材料的结晶质量
分子限制装置外延设备

[发明专利]硅基缓冲层及其制备方法-CN202010241299.5在审
发明人：王丛;刘铭;高达;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：硅基缓冲层的制备方法，包括：获得原子级别洁净的的Si片；依次打开As束流源、Te束流源，对Si片的正面进行钝化；交替打开Zn束流源和Te束流源，在钝化后的Si片的正面外延ZnTe缓冲层；交替打开Zn束流源、Te束流源、CdTe束流源，在ZnTe缓冲层上外延ZnTe/CdTe超晶格缓冲层；打开Te束流源，并对ZnTe/CdTe超晶格缓冲层进行高温退火热处理。采用本发明，采用Te和Zn两个独立原料束流源进行外延，与外延后的退火工艺相结合，抑制了孪晶的形成有效地简化了工艺步骤，从而很大程度上提高了外延的效率。对三代大面阵红外焦平面材料的发展有基础性的贡献。
缓冲及其制备方法

[发明专利]束源炉中源材料熔化时对应热偶温度的测量方法-CN200810035446.2有效
发明人：龚谦;王海龙;徐海华 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-04-01 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种分子束外延(MBE)技术中测量束源炉中源材料熔化时对应源炉热偶温度的测量方法。其特征在于测定步骤是测量出束源炉升温时的热偶温度——功率曲线；测量出束源炉降温时的热偶温度——功率曲线；将升温时和的热偶温度——功率曲线上源材料开始熔化的对应温度和降温时的热偶温度、功率曲线上源材料开始凝固的对应温度进行比较，从而得出源材料熔化时对应束源炉中热偶的温度。本发明是利用分子束外延设备源炉中源材料在加热熔化和降温凝固过程中功率曲线在熔化与凝固温度附近会出现相应波动的实验现象，通过分析比较波动出现的位置精确定出束源炉中源材料熔化时对应的束源炉中热偶温度数值。
束源炉中源材料熔化对应温度测量方法

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