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- [发明专利]工艺腔室和半导体处理设备-CN201810694815.2有效
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张璐
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2018-06-29
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2022-08-16
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H01J37/32
- 包括：腔室本体；基座，位于所述腔室本体内；盖板，盖设在所述腔室本体上，且与所述腔室本体之间绝缘间隔；下电极射频电源，与所述基座和所述盖板选择性地电连接；并且，启辉阶段，所述盖板为悬浮状态，所述下电极射频电源与所述盖板电性导通，以通过容性耦合的方式使得等离子体发生启辉；启辉结束，所述下电极射频电源与所述基座电性导通，以形成射频自偏压。盖板在启辉阶段为悬浮状态，并且，在启辉阶段，下电极射频电源与盖板电性导通，从而可以通过容性耦合的方式实现等离子体启辉，进而可以降低启辉阶段的晶圆损伤，且同时还能够有效降低腔室颗粒污染，提高晶圆的加工良率
- 工艺半导体处理设备
- [实用新型]便于启辉的磁控溅射沉积装置-CN202222567111.3有效
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严翔;闫晓晖
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上海积塔半导体有限公司
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2022-09-27
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2022-12-27
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C23C14/35
- 本实用新型提供了一种便于启辉的磁控溅射沉积装置，包括沉积腔室、靶材、磁控管、遮挡部件、晶圆基座、第一进气口、第二进气口和直流电源；靶材固定于沉积腔室的内部上方；磁控管安装于沉积腔室的外部上方；晶圆基座位于沉积腔室的底部与靶材相对设置，用于放置待沉积的晶圆；晶圆基座和沉积腔室的内侧壁之间设置有遮挡部件；内侧壁的上部设置有第一进气口，内侧壁的中部设置有第二进气口；直流电源的接入点位于靶材附近，第一进气口和第二进气口用于将惰性气体引导至接入点附近，以在直流电能的作用下完成惰性气体启辉。通过改进进气设计，提高流动到靶材附近的气体流量，提高启辉的成功率，减少设备报警，提升产能，保证产品质量。
- 便于磁控溅射沉积装置
- [发明专利]太阳电池及其制备方法-CN202310132510.3在审
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韩宗谕;徐磊;王金
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通威太阳能（安徽）有限公司
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2023-02-08
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2023-04-21
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H01L31/18
- 本发明提供一种太阳电池及其制备方法，制备方法包括：在单晶硅衬底正面和背面分别沉积第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；在第一本征非晶硅层上沉积n型掺杂非晶硅层；在第二本征非晶硅层上沉积p型掺杂非晶硅层；在n型掺杂非晶硅层上沉积n型掺杂微晶硅层；在p型掺杂非晶硅层上沉积p型掺杂微晶硅层；沉积n型掺杂微晶硅层和p型掺杂微晶硅层的气体压力为3Torr～5Torr，SiH4、掺杂气体和H2的流量比为1：(1～1.5)：(150～200)，启辉功率为2000W～3500W，启辉时间为100s～230s；利用碱溶液对n型掺杂微晶硅层和p型掺杂微晶硅层进行碱抛。
- 太阳电池及其制备方法
- [发明专利]改性红辉沸石净水剂-CN200510020301.1有效
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徐文炘;张静;肖筱瑜;李蘅;李毅
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桂林矿产地质研究院
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2005-01-27
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2005-09-28
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C02F1/28
- 本发明将公开一种改性红辉沸石净水剂，该净水剂的制造方法步骤如下：1)将红辉沸石粉碎，并与含镁的化合物和含铝的化合物混合均匀；2)在上述混合物中加入碱溶液，将其pH值调到6～8，并使混合物成胶体状态；3)将所得混合物进行干燥、晶化，即得改性红辉沸石净水剂。其中，所述使用的红辉沸石与含镁的化合物、含铝的化合物的质量比为2∶1∶0.5～2∶3∶2。采用本发明所述的制造方法对红辉沸石进行改性后，将其用于处理生活污水中的COD，去除率大于75％，也可用于处理污水中的有毒物质Cr6+，其去除率大于95％，改性后处理效果分别是未改性的红辉沸石的去除效果的
- 改性红辉沸石净水
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