专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶片托架-CN89102564.2无效
  • 罗伯特·D·科斯 - 氟器皿有限公司
  • 1989-04-17 - 1989-11-29 - H01L21/00
  • 可塑塑料的、抗变形和抗翘曲的晶片托架,其中一面垂直端壁由中心板和各自相对于中心板倾斜取向的侧板构成。每个凸缘至少有两个靠近相应端头的抗翘压坑,以便当晶体托架在模具中冷却时,使模具能够把托架保持在初始的模塑形状,从而,把托架的翘曲减至最小。
  • 晶片托架
  • [发明专利]晶片旋转驱动装置及驱动晶片旋转的方法-CN202011184976.0在审
  • 姜喆求;胡艳鹏;李琳 - 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
  • 2020-10-29 - 2022-05-03 - H01L21/67
  • 本发明提供一种晶片旋转驱动装置及驱动晶片旋转的方法,其中,晶片旋转驱动装置包括:升降托架和导向件;所述升降托架用于承托晶片,并带动晶片沿第一方向移动;所述第一方向的分量包括向下的方向;所述晶片旋转驱动装置中定义有路径标定面,所述路径标定面竖直垂直于所述升降托架所承托的晶片的表面,且所述升降托架所承托的晶片的重心在所述路径标定面内;所述导向件位于所述路径标定面的一侧;在所述升降托架带动所述晶片沿第一方向移动时,所述升降托架使晶片的底端与导向件相接触,所述导向件用于推动所述晶片朝向所述路径标定面的另一侧滚动。本发明能够驱动晶片转动,从而提高晶片的清洗效果。
  • 晶片旋转驱动装置方法
  • [实用新型]兼容多种尺寸的SIC晶片托架-CN202122554081.8有效
  • 张俊;杨培新;林振旺 - 淄博绿能芯创电子科技有限公司
  • 2021-10-22 - 2022-04-12 - H01L21/67
  • 本实用新型提供了一种兼容多种尺寸的SIC晶片托架,包括:承载平台、托架、SIC晶片、盖板、晶片支撑柱组、盖板支撑柱组以及限位柱;所述承载平台上竖直安装多个所述晶片支撑柱组和多个所述盖板支撑柱组;所述晶片支撑柱组和所述盖板支撑柱组向上延伸并通过所述托架,所述托架通过所述晶片支撑柱组和所述盖板支撑柱组安装在所述承载平台上;所述托架上安装多个所述限位柱;所述晶片支撑柱组顶端安置所述SIC晶片,所述盖板支撑柱组顶端安置所述盖板。本装置通过调整限位柱位置来适应不同尺寸SIC晶片,无需更换整个托架,节约了成本。
  • 兼容多种尺寸sic晶片托架
  • [发明专利]一种用于TopCon电池的PECVD设备-CN202210942497.3在审
  • 庄大伟;乔冠华;冯波;梁博 - 江苏龙恒新能源有限公司
  • 2022-08-08 - 2022-11-22 - C23C16/50
  • 该设备的机体上设有安装座,安装座内形成有若干个用于配合晶片托架设置的安装孔,晶片托架上设有若干根与安装孔配合设置的安装杆,安装杆上开设有若干个等距设置的安装槽,安装座内滑移连接有固定杆,固定杆与安装槽相互适配,安装座内形成有活动腔,活动腔内滑移设有驱动件,在晶片托架受损需要更换时,或者晶片晶片托架上冷却静置时,可以通过连接组件将晶片托架从设备上卸下,对晶片托架进行更换;更换后的晶片组件能够继续使用投入生产,则无需在晶片生产完成后停机,保证了晶片生产的连续性,另外晶片托架受损时也能够快速将其更换,提高了生产效率。
  • 一种用于topcon电池pecvd设备
  • [实用新型]一种用于化学气相沉积工艺的反应器-CN201120231929.7有效
  • 杜志游 - 中微半导体设备(上海)有限公司
  • 2011-07-04 - 2012-05-16 - C23C16/44
  • 本实用新型提供用于化学气相沉积工艺的反应器,包括一反应腔;具有设置在所进述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架;所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上,传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片;以及设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件,其用于发射辐射加热射线;其特征在于,所述晶片托架的下表面设置有一系列反射部,所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射
  • 一种用于化学沉积工艺反应器
  • [实用新型]一种晶片研磨支撑架及研磨装置-CN202220477078.2有效
  • 李伟国 - 海科(嘉兴)电力科技有限公司
  • 2022-03-03 - 2022-07-29 - B24B37/04
  • 本申请公开了一种晶片研磨支撑架及研磨装置,属于晶片研磨技术领域。该晶片研磨支撑架包括:支撑架本体;托架,所述托架设置在所述支撑架本体上,所述托架用于放置晶片;刷头,所述刷头设置在支撑架本体上,且位于所述托架的外侧,所述刷头向所述晶片移动至与所述晶片边缘接触,以对所述晶片边缘进行清洁通过在支撑架本体上设置刷头,刷头与晶片边缘接触,以对晶片边缘形成的剥皮进行清理,从而降低研磨过程中晶片表面刮伤的概率,以提高晶片的质量。
  • 一种晶片研磨支撑架装置
  • [发明专利]用于形成在一工艺过程晶舟中待定位的背对背的晶片批的方法,及用于形成晶片批的装卸系统-CN200780042195.4有效
  • S·约纳斯;L·雷德曼 - 约纳斯雷德曼自动化技术有限公司
  • 2007-11-22 - 2009-10-07 - B65G49/06
  • 本发明涉及一种用于形成在一侧待掺杂的晶片叠、尤其是在一侧待掺杂的太阳能晶片叠的方法,以便用晶片批填装一工艺过程晶舟,在所述工艺过程晶舟上将预定的偶数数量晶片成排地设置在一转送托架的容纳槽中,所述转送托架在一水平面内夹紧并且具有一面向上的堆叠开口为了增加在工艺过程晶舟中的包装密度并因此增加扩散过程的产量,将成排地设置在转送托架中的晶片的数量的一半以第一晶片叠的形式从转送托架中转送到一位于转送托架外部的固定的准备位置中,然后将成排地设置在转送托架中的晶片的数量的另一半以第二晶片叠的形式从转送托架移出,并且将第二晶片叠这样地旋转,使得第二晶片叠的晶片到达一相对于第一晶片叠的晶片在它的准备位置的位置旋转180°的位置,并且随后将第二晶片叠转送到第一晶片叠的准备位置,使第二晶片叠与第一晶片叠对准,并且然后通过分别使第一晶片和第二晶片叠的相互相配的晶片的无需掺杂的侧面同时且叠合地相互贴紧,使第二晶片叠与第一晶片叠形锁合地组合成包装状的背对背晶片批(BTB晶片批),随后由转送夹持器将BTB晶片批形锁合地拾取,并装到工艺过程晶舟中。
  • 用于形成工艺过程晶舟中待定位背对背晶片方法装卸系统
  • [发明专利]曲面压电晶片研磨装置-CN200710156457.1无效
  • 王祖勇 - 王祖勇
  • 2007-10-31 - 2009-04-08 - B24B19/26
  • 本发明公开了一种由下磨盘1,晶片托架2,晶片研磨控制仪8组成的曲面压电晶片研磨装置,下磨盘1和晶片托架2为导电金属制作而成,下磨盘1连接晶片研磨控制仪8的探头的下电极端,晶片托架2连接晶片研磨控制仪8的探头的上电极端,晶片研磨控制仪8的探头的接地极接地。由于在晶片研磨装置中引入了晶片研磨控制仪,有效地控制了晶片研磨的质量,尤其是为压电晶片的研磨提供了一种能有效提高研磨质量,提高了合格产品的产量及有效降低操作工劳动强度的压电晶片的研磨装置。
  • 曲面压电晶片研磨装置
  • [实用新型]曲面压电晶片研磨装置-CN200720184538.8无效
  • 王祖勇 - 王祖勇
  • 2007-10-22 - 2008-11-19 - B24B19/26
  • 本实用新型公开了一种由下磨盘1,晶片托架2,晶片研磨控制仪8组成的曲面压电晶片研磨装置,下磨盘1和晶片托架2为导电金属制作而成,下磨盘1连接晶片研磨控制仪8的探头的下电极端,晶片托架2连接晶片研磨控制仪8的探头的上电极端,晶片研磨控制仪8的探头的接地极接地。由于在晶片研磨装置中引入了晶片研磨控制仪,有效地控制了晶片研磨的质量,尤其是为压电晶片的研磨提供了一种能有效提高研磨质量,提高了合格产品的产量及有效降低操作工劳动强度的压电晶片的研磨装置。
  • 曲面压电晶片研磨装置

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