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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁头及其生产方法-CN98104028.4无效
发明人：越川誉生;长井笃彦 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1998-01-24 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：一个磁头包括：在晶片形成的一个下磁极、在下磁极上形成的一个非磁写入间隙层、在非磁写入间隙层上形成一个带有细前端磁极端部的上磁极，从磁极端部侧面的正下方，沿侧向形成并隔着宽度等于磁极宽度的区域相对着的两个凹陷部分，一个用以填充凹陷部分，并且覆盖上磁极和下磁极的非磁绝缘材料的保护层以及嵌入在非磁绝缘层(处于上磁极和下磁极之间)的相对部分之间的线圈。
磁头及其生产方法

[实用新型]散热装置-CN99235743.8无效
发明人：林保龙;郑年添;刘恒智;陈硕雄 -专利权人：富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
申请日： 1999-04-02 - 公布日： 2000-04-19 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：散热片略呈长方形,它的中间部分朝外略微凸起,且在中间部分的大致中央区域,沿散热片的纵长方向设有朝记忆体模组凹陷的贴合板,贴合板的内侧表面上贴有导热胶带,用以贴合于记忆体模组的若干个晶片表面上。中间部分在左右两端缘附近分别形成有一凹陷部,用以供夹子嵌夹。
散热装置

[发明专利]基于闪烁体的具有耗尽电子漂移区域的X射线敏感集成电路元件-CN200780033933.9无效
发明人： J·雄斯基;M·西蒙 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-09-06 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：该装置(350)基于用X射线敏感闪烁体材料填充的深凹陷(354)。在衬底(352)的分开两个相邻的凹陷(354)的侧壁的表面上形成浅的第一电极(360)。该侧壁电极(360)与特定的前侧晶片电极(363)结合造成：整个装置(350)的完全耗尽，并朝向低电容读出电极(363)移动信号电荷。所述的集成电路元件(350)确保了不依赖深度的高的光收集效率。
基于闪烁具有耗尽电子漂移区域射线敏感集成电路元件

[发明专利]晶片载具-CN201110335865.X有效
发明人：张中英;罗云明;沈圻;曾楹珍 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片载具，其包含一具有一高度的承载主体，具有一凹口，凹口的底面为一曲面，其中曲面包含一凸面自凹口的侧边向凹口的圆心凸出一高度或一凹面自凹口的侧边向凹口的圆心凹陷一深度；以及多个支撑柱位于承载主体的周边
晶片

[发明专利]具凹陷端电极多电路元件晶片的制造方法及其成品-CN200410101461.4无效
发明人：凌溢骏;江财宝 -专利权人：大毅科技股份有限公司
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：一种具凹陷端电极多电路元件晶片的制造方法，先提供一基体，此基体的上表面由左而右并列间隔地延伸数条导电区块且分别于各导电区块的左、右两端设置一贯穿基体的上、下表面的穿孔，该方法先于穿孔壁面溅镀形成一金属膜
凹陷极多电路元件晶片制造方法及其成品

[实用新型]集成白光LED支架-CN201220647293.9有效
发明人：王建全;彭胜钦;李保霞 -专利权人：四川柏狮光电技术有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成白光LED支架，它包括绝缘支架主体及镶嵌于所述支架主体中作为正负极的两个导电端子，所述绝缘支架主体的中央向下凹陷形成可容纳晶片的固晶腔，其改进在于：其中一端导电端子包括彼此连接的导电引脚A及用于安装晶片的固晶部，所述固晶部伸入至所述固晶腔并显露于所述固晶腔底面中央，所述另一导电端子包括彼此连接的导电引脚B及连接部，所述连接部显露所述固晶腔底面。其有益效果在于：本实用新型采用热电一体式结构，即其中一导电端子一端作为固晶部，将晶片焊接于该固晶部上，再通过金线与另一导电端子连接即可，如此简化了结构，也有利于集成封装，此外，固晶部面积设计足够大，用于更好的散热
集成白光 led 支架

[发明专利]晶体管和用于制作晶体管的方法-CN201811419446.2有效
发明人： J·H·张 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在提供有掩埋氧化层(BOX)的绝缘体上硅(SOI)半导体晶片上，例如FD‑SOI和UTBB器件，构造具有部分凹陷栅极的晶体管。外延生长的沟道区域放松了对掺杂源极和漏极分布的设计的约束。部分凹陷栅极和抬升的外延的源极和漏极区域的形成允许进一步地改善晶体管性能和降低比如漏极致势垒降低(DIBL)的短沟道效应，以及控制特有的亚阈值斜率。由先进工艺控制协助，可以变化栅极凹陷以相对于掺杂分布将沟道置于不同的深度。部分凹陷栅极具有最初与栅极的三个侧面相接触地形成的相关的高k栅极电介质。
晶体管用于制作方法

[发明专利]硅晶片的制造方法和硅晶片-CN201480076001.2有效
发明人：神野清治;中岛亮;又川敏 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：通过使以螺旋状缠绕了波状丝线(7)的多个主辊旋转，从而使波状丝线(7)沿与主辊的轴方向大致正交的方向行进；和切断工序，通过将锭坯(T)推靠至波状丝线(7)而将锭坯(T)切断，制造以中央部相对于外缘部沿一个方向凹陷的圆顶状翘曲的多个硅晶片
晶片制造方法

[发明专利]存储单元结构及其制造方法-CN99102480.X无效
发明人：乌尔里克·格里宁;约肯·拜恩特纳;汉斯·O·乔基姆 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-03-04 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：其中，在硅晶片的单晶衬底部分形成一对存储单元。首先形成一对由晶片衬底部分隔离的垂直沟槽。在沟槽壁上形成介电层后，用多晶硅填充沟槽。通过一对凹陷的形成和填充，在每个沟槽顶部形成外延生长硅区。
存储单元结构及其制造方法

[实用新型]一种屏蔽片碎磁压花辊-CN202021343327.6有效
发明人：姜桂君;蔡鹏;周苗苗;王磊 -专利权人：信维通信（江苏）有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种屏蔽片碎磁压花辊，包括本体，所述本体上设有压花区，所述压花区包括密集排布的凹陷的多个单元格，所述单元格呈六边形。本屏蔽片碎磁压花辊具有六边形压花，经过本屏蔽片碎磁压花辊滚压后的纳米晶片上能够形成密集均匀排布的多个六边形结构的小单元，小单元纳米晶状态保存相对完好，小单元纳米晶上裂纹较少，相邻的小单元之间形成气隙，相比于菱形压花、点状压花等传统的压花形状，经过本屏蔽片碎磁压花辊碎磁的纳米晶片损耗更低、抗直流偏置特性更优秀。
一种屏蔽片碎磁压花

[实用新型]记忆体模组装置-CN99236381.0无效
发明人：李顺荣 -专利权人：富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
申请日： 1999-06-19 - 公布日： 2000-05-24 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：该记忆体模组是由一电路板和若干个晶片与其它相关电子元件所组成,在电路板的上缘及两端缘附近设有一略呈倒U字形的金属材质表面接地部。该外壳具有与记忆体模组的接地部贴合的平板部,该平板部的中间区域向外突出形成收容部,收容部在对应晶片的位置反向朝记忆体模组形成一凹陷部。在收容部上进一步朝外形成若干个凸点,用以增加整体的散热表面积。
记忆体模组装置

[发明专利]用于抛光金属的组合物、金属层的抛光方法以及生产晶片的方法-CN200380102127.4无效
发明人：佐藤孝志;西冈绫子;鱼谷信夫 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：晶片的生产方法，其中包括形成于含有凹槽的晶片顶部以填充和覆盖凹槽的金属层的抛光和平面化的步骤。根据该组合物和抛光方法，避免了凹陷以改善平面性，并且抛光金属层、特别是铜层的抛光速率得到了改善，从而使低压下的膏抛光速率成为可能，由于也防止了金属层的划伤，产能得到了提高。
用于抛光金属组合方法以及生产晶片

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710203359.2在审
发明人：黄彦钧;陈婷婷;苏煜中;聂菱甫;苏品全;蔡腾群;黄泰钧;郑雅如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一方法中，形成凹陷露出晶片上的多个半导体鳍状物。虚置接点材料形成于凹陷中。虚置接点材料含碳。以一或多道烘烤步骤硬化虚置接点材料。一或多道烘烤步骤可硬化虚置接点材料。
半导体装置形成方法

[发明专利]一种大功率二极管-CN202310202990.6在审
发明人：王树丽;胡长文;王锡胜 -专利权人：滨海治润电子有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率二极管，包括发光体，所述空腔的顶端闭合且底端开启，套管，所述套管的顶端设有远离于发光体内腔顶面而向下凹陷的内凹部，阳极杆和阴极杆沿着套管的底部贯穿至套管的顶端并通过金线电性连接有晶片，所述晶片对应在内凹部上方且靠近于内凹部，所述内凹部的轮廓尺寸大于晶片的轮廓尺寸，内凹部集热后将热量传递到触发机构上，致使触发机构上的塑性管受热并发生塑性变形，连接在塑性管底端的滑块就会向下坠落，并对焊接在电路板上的两极杆实施挤压
一种大功率二极管

[实用新型]发光二极管板上芯片封装结构-CN201420498529.6有效
发明人：黄兆武 -专利权人：厦门光莆电子股份有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开一种发光二极管板上芯片封装结构，包括：一镜面铝基板、一发光二极管晶片、一围坝体和荧光胶体。其中，该围坝体以内填充该荧光胶体，以及在该围坝体的外周侧的基板上还设有表面线路层，在该下凹陷区的底面镀有一层镀银层，在该镀银层上通过固晶胶固定该发光二极管晶片，在该正、负极链接焊盘上均分别由内向外依次镀有一层镀镍层和一层镀银层，该发光二极管晶片的正负极通过金线分别焊接于该正、负极链接焊盘上的镀银层上，该表面线路层上由内向外依次附着有一层纯白绝缘油墨层和一层反射胶层。
发光二极管芯片封装结构

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