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[发明专利]接合晶圆及其制造方法、弹性波器件的制造方法、压电材料晶圆及非压电材料晶圆-CN202110315246.8在审
发明人：本山惠一郎;高桥敦哉;川内治 -专利权人：三安日本科技株式会社
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在由压电材料晶圆及非压电材料晶圆所接合而成的接合晶圆中，研磨后的晶圆全面的压电基板的厚度均一的接合晶圆及其制造方法、弹性波器件的制造方法、接合晶圆中使用的压电材料晶圆与非压电材料晶圆。接合晶圆由压电材料晶圆及非压电材料晶圆所接合而成。非压电材料晶圆之厚度比压电材料晶圆更厚，且非压电材料晶圆具有平边，而压电材料晶圆的外周没有平边。
接合及其制造方法弹性器件压电材料

[发明专利]一种超低温晶圆注入工艺及注入平台-CN202111596814.2在审
发明人：陈炯;王振辉;孙蒿泉;康劲;肖志强;雷晓刚;张彦彬;李恒;王辉;卢合强;刘金涛;肖嘉星;洪俊华;高国珺 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种超低温晶圆注入工艺及注入平台，所述注入工艺使用超低温晶圆注入平台在超低温真空环境下对晶圆进行离子注入，所述注入工艺包括步骤：晶圆装载步骤、抽真空步骤、待处理的晶圆转送步骤、晶圆冷却步骤、晶圆离子注入步骤、晶圆升温步骤、晶圆回送步骤、晶圆卸载步骤和晶圆产品标记入库步骤。超低温晶圆注入工艺及注入平台实现了超低温离子注入，形成了完整的非晶层，完整非晶层使得后续离子束落在非晶层，进而使得后续晶圆造成的损伤分布在非晶态区域；完整的非晶层为高质量的非晶层。
一种超低温注入工艺平台

[发明专利]非产品晶圆控制系统及方法、存储介质及电子设备-CN202110334261.7有效
发明人：姜威;钟如洁;陈建志;黄德龙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本公开是关于一种非产品晶圆控制系统、非产品晶圆控制方法、计算机可读存储介质及电子设备。该非产品晶圆控制系统包括：监控模块：用于监控非产品晶圆所处的状态；统计模块：用于统计所述非产品晶圆的使用信息；控制模块：用于接收生产指令，并根据所述非产品晶圆所处的状态和所述使用信息对所述非产品晶圆进行控制本公开实现了非产品晶圆的自动化控制管理的目的。
产品控制系统方法存储介质电子设备

[发明专利]非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质-CN201911391864.X有效
发明人：樊锦军;王海升;曾斌 -专利权人：青岛歌尔微电子研究院有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质，该方法包括：在检测到非完整晶圆时，获取所述非完整晶圆的破损区域；确定所述破损区域各个破损缺口的缺口深度，并根据所述缺口深度确定所述非完整晶圆的切割方式；根据所述切割方式对所述非完整晶圆进行切割，得到第一切割晶圆；根据所述第一切割晶圆，确定对应完整实验晶圆的拼接切口，以根据所述拼接切口对所述完整实验晶圆进行切割，得到第二切割晶圆；对所述第一切割晶圆与所述第二切割晶圆进行切口完整拼接处理本发明解决现有技术中对非完整晶圆进行报废处理造成极大晶圆物料浪费且污染环境的技术问题。
完整处理方法装置设备介质

[发明专利]3D非易失性存储装置及其读数据方法、写数据方法-CN202111199608.8在审
发明人：周小锋 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D非易失性存储装置及其读数据方法、写数据方法。该3D非易失性存储装置包括：控制晶圆，设有NVM接口；缓存晶圆，设置在控制晶圆的一侧，且与NVM接口电连接；非易失性存储晶圆，设置在控制晶圆设有缓存晶圆的一侧，且与NVM接口电连接；控制晶圆接收写请求，判断缓存晶圆是否还有缓存空间，若否，控制晶圆将缓存晶圆中存储的部分数据转存至非易失性存储晶圆，并将写请求对应的数据写入缓存晶圆；其中，转存至非易失性存储晶圆中的部分数据为优先级低的数据。本申请能够实现3D结构的非易失性存储装置，且能够降低非易失性存储装置的读写时延，进而提高其数据读写效率，且提高非易失性存储装置的集成度，节约成本。
非易失性存储装置及其读数方法数据

[发明专利]SiC晶圆在线加工方法-CN201711432420.7在审
发明人：朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC晶圆在线加工方法，包括如下步骤：获取SiC晶圆，所述SiC晶圆包括正面和相对正面设置的背面；在所述SiC晶圆的背面淀积非透光物质，得到非透光的SiC晶圆；对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆。上述方法通过在SiC晶圆片的背面淀积一层非光物质，能够使SiC晶圆不再透光，保证具有光线传感器的设备可以识别SiC晶圆及其定位边，并且一次淀积就能够保证SiC晶圆片满足后续所有加工工序的需求，有效地提高了SiC晶圆的加工效率。
晶圆在线加工非透光淀积背面晶圆片光线传感器加工工序加工效率正面设置定位边有效地透光保证加工

[发明专利]下电极装置及晶圆处理方法-CN202310654376.3在审
发明人：许国青;杨平 -专利权人：上海稷以科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提出了一种下电极装置及晶圆处理方法，该装置包括晶圆载盘，其正面开设若干环形沟槽，相邻环形沟槽之间通过直线沟槽连通；非工艺气通孔，用于通入非工艺气体，非工艺气体从非工艺气通孔溢流并从晶圆的边缘流出，以阻挡等离子体钻入晶圆背面，其开设于位于内侧的环形沟槽并位于直线沟槽；非工艺气通孔连通气体支路的输出端，气体支路由晶圆载盘的内部向下延伸出晶圆载盘；真空通孔，用于为晶圆背面和晶圆载盘之间的气体提供抽取端口，其开设于晶圆载盘的正面，并位于最外侧的两相邻环形沟槽之间。本发明可减小晶圆与载台之间的间隙，并可阻挡等离子体钻入晶圆背部。
电极装置处理方法

[实用新型]一种具有对准标识的键合晶圆-CN201320016611.6有效
发明人：李平 -专利权人：陆伟
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造领域，具体涉及一种具有对准标识的键合晶圆。包括器件晶圆和载片晶圆,所述载片晶圆置于器件晶圆之上,所述载片晶圆与器件晶圆之间的接触面分别为载片晶圆的键合面和器件晶圆的键合面,所述载片晶圆与器件晶圆之间的非接触面分别为载片晶圆的非键合面和器件晶圆的非键合面，所述载片晶圆的非键合面上设有载片晶圆对准标识,所述器件晶圆键合面上设有器件晶圆对准标识。在将对准标识设置在载片晶圆的非键合面上，器件晶圆的对准标识设置在键合面上，形成背面对准方式，由于对准标识在两片晶圆面对方向，在进行键合容易产生空洞的问题，提高键合后器件的质量，进而提高影像传感器良品率，
一种具有对准标识键合晶圆

[发明专利]一种应用于热处理设备的晶圆传输调度的装置及方法-CN202110839378.0在审
发明人：尹明清 -专利权人：深圳市星国华先进装备科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆热处理技术领域，公开了一种应用于热处理设备的晶圆传输调度的装置及方法，包括：用于驱动晶圆移动的机械臂、用于拿取晶圆的非接触式拿取装置以及为非接触式拿取装置提供气流的热风机，非接触式拿取机构包括多个用于喷出气流对晶圆进行吸附的负压喷头通过接触识别机构对晶圆与负压喷头之间的距离进行检测，并且通过接触信号的持续时间，缩小负压喷头喷出的气流流量，以调节晶圆与负压喷头的距离，使得晶圆与负压喷头之间保持非接触状态，防止在晶圆拿取时接触到晶圆而产生磨损，并且防止晶圆与空气之外的介质产生接触，防止晶圆在热处理过程中的接触失温，防止晶圆在接触部位产生缺陷及杂质集中，提高晶圆的热处理效果。
一种应用于热处理设备传输调度装置方法

[实用新型]一种非接触式晶圆剥离装置及固晶机-CN202221649458.6有效
发明人：陈平;贺召泉;曾逸 -专利权人：深圳市卓兴半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非接触式晶圆剥离装置及固晶机，非接触式晶圆剥离装置包括承载件固定框架、光发射模块，所述承载件固定框架用于安装承载件，所述光发射模块用于发出使晶圆与承载件粘性消除的光束。本实用新型的有益效果是：本实用新型采用非接触式光束照射的方式使晶圆与承载件粘性消除，使得被消除粘性的晶圆可以直接取走，这种非接触剥离方式使得晶圆不会被损伤，且不会出现晶圆被顶针顶飞，顶歪的不良情况。
一种接触式晶圆剥离装置固晶机

[实用新型]晶圆吸附装置-CN202221434554.9有效
发明人：汤乔银;梁琦;王鹏;詹雯慧;赵旭;朱梦琴 -专利权人：睿创微纳（无锡）技术有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种晶圆吸附装置，包括：吸盘，用于吸附晶圆的非图形区域，所述吸盘中设有抽真空腔，所述抽真空腔的一侧形成有晶圆吸附面，所述晶圆吸附面上开设有多个晶圆吸附孔，所述晶圆吸附孔连通所述抽真空腔与所述晶圆吸附面的外侧；及转接部，用于将所述抽真空腔与真空装置连接；其中，所述晶圆吸附面与晶圆的边缘的非图形区域的形状匹配。本申请的晶圆吸附装置中，通过吸附晶圆正面的非图形区域进行晶圆转移，既可以减少镊子对边缘的损伤，又可以避免真空吸笔头对图形区域造成脏污、损伤等问题，可适用于各种晶圆的吸附。
吸附装置

[发明专利]提高半导体芯片良品率的方法-CN200610027582.8有效
发明人：王津洲;李德君;靳永刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了提高半导体芯片良品率的方法，包括下列步骤：在晶圆表面涂覆一层负光阻；将晶圆识别码区域与光罩对准；用少于非晶圆识别码区域的曝光能量，在晶圆识别码区域进行第一次曝光；相对第一次曝光位置进行偏移，用少于非晶圆识别码区域的曝光能量，在晶圆识别码区域进行第二次曝光；进行显影处理，在晶圆识别码区域与非晶圆识别码区域相邻接边缘将曝光的部分留下，未曝光的部分显影，制作完整的焊接凸点。所述的用少于非晶圆识别码区域的曝光能量在晶圆识别码区域进行双重曝光，避免了与晶圆识别码区域相接的非晶圆识别码区域中的几块芯片边缘产生不必要的曝光而形成负光阻残余，使焊接凸点位不会消失，从而提高了芯片的良品率
提高半导体芯片良品率方法

[实用新型]晶圆检视装置-CN202020905124.5有效
发明人：洪成都;林仲政 -专利权人：桔云科技股份有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆检视装置，用以检视晶圆，其借由非接触式检测器投射光至放置于载台上的该晶圆，并借由该非接触式检测器与该晶圆的相对运动，以利于该非接触式检测器对该晶圆进行检视。
检视装置

[实用新型]一种超低温晶圆注入平台-CN202123301778.0有效
发明人：陈炯;王振辉;孙嵩泉;康劲;肖志强;雷晓刚;张彦彬;李恒;王辉;卢合强;刘金涛;肖嘉星;洪俊华;高国珺 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超低温晶圆注入平台，超低温晶圆注入平台至少包括真空传送模块和真空冷却模块，在真空冷却模块中，通过冷却晶圆的冷却平台和吸附晶圆的静电吸盘一起快速降温晶圆，使得晶圆处于超低温状态，所述超低温状态的温度低于零下本实用新型有效抑制了离子注入过程中的动态退火，使得间隙位置原子无法再回到晶格替代位置，使得非晶包数目变多、非晶包范围逐步扩大，最后所有非晶包的边界连接在一起形成完整的非晶层；本实用新型实现了超低温离子注入，形成了完整的非晶层。
一种超低温注入平台

[发明专利]一种超低温晶圆注入平台-CN202111594228.4有效
发明人：陈炯;王振辉;孙蒿泉;康劲;高国珺;雷晓刚;张彦彬;李恒;王辉;卢合强;刘金涛;肖嘉星;洪俊华;关天祺 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种超低温晶圆注入平台，超低温晶圆注入平台至少包括前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块，前各个模块相互配合且形成一个有机整体；该有机整体实现超低温晶圆离子注入；在真空冷却模块中，通过冷却晶圆的冷却平台和吸附晶圆的静电吸盘一起快速降温晶圆，使得晶圆处于超低温状态，所述超低温状态的温度低于零下50摄氏度。本发明有效抑制了离子注入过程中的动态退火，使得间隙位置原子无法再回到晶格替代位置，使得非晶包数目变多、非晶包范围逐步扩大，最后所有非晶包的边界连接在一起形成完整的非晶层；本发明实现了超低温离子注入，形成了完整的非晶层
一种超低温注入平台

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