专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种绝缘栅半导体器件及其制备方法-CN202110649855.7在审
  • 杨绍明;严学田;方建强 - 上海林众电子科技有限公司
  • 2021-06-10 - 2022-08-09 - H01L29/06
  • 一种绝缘栅半导体器件,自下到上依次包括集电极层、衬底层、N+缓冲层、N‑第一漂移层、N磊晶层、P掺杂层、位于P掺杂层两侧的P+掺杂层、位于P+掺杂层内部的N+掺杂层、贯穿N+掺杂层、掺杂层并伸入第二漂移层的沟槽、位于沟槽侧壁以及底部的第一绝缘隔离层、位于沟槽之上的第二绝缘隔离层、位于第二绝缘隔离层两侧的发射极层,所述发射极层的高度小于第二绝缘隔离层的高度,所述P掺杂层的侧向掺杂浓度呈梯度性变化。本技术方案中发明人通过优化沟槽半导体的结构,可以降低发射极与集电极之间电容,的导通电压,使半导体模块具有低导通电压、低功率损耗和高耐击穿电压的优异性能。
  • 一种绝缘半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202210258743.3在审
  • 李文涛;张亚;简弘安;张星星;胡加辉;金从龙;顾伟 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2022-03-16 - 2022-07-05 - H01L33/06
  • 本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法,该倒装发光二极管芯片包括依次层叠的N半导体层、有源发光层、P半导体层、电流阻挡层、电流扩展层、布拉格反射层以及电流传输层,所述布拉格反射层包括P布拉格反射部和N布拉格反射部,电流传输层包括P电流传输部和N电流传输部,其中,所述P布拉格反射部上开设有第一通孔,所述N布拉格反射部上开设有第二通孔,所述第一通孔用于将所述P电流传输部与所述电流扩展层电性连接,所述第二通孔用于所述N电流传输部与所述N半导体层电性连接,在不改变电流传输能力的情况下,减少电流传输层的吸光,从而提升了倒装发光二极管芯片亮度。
  • 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
  • [发明专利]一种可让压U型钢支架-CN202210137037.3在审
  • 王俊杰;秦宇 - 王俊杰
  • 2022-02-15 - 2022-06-03 - E21D15/16
  • 本发明涉及型钢支架技术领域,尤其是涉及一种可让压U型钢支架,包括支撑杆与U杆,两组所述支撑杆上端活动安装有U杆,所述U杆与支撑杆连接处设置有连接机构,两组所述支撑杆底端活动套接有固定块,所述U杆内侧两边水平固定安装有横杆一与横杆二,所述横杆一与横杆二之间设置有报警机构,且所述横杆一与横杆二位于两组所述连接机构的上方,通过设置连接机构,当U杆插入到连接机构时,连接机构内部的L卡板会与U杆卡合,增加U杆与连接机构的稳固性,当U杆受到巷道压力过大时,U杆会进一步深度下移并触碰到增阻机构,增阻机构在外力作用下会伸出增阻块并插入到巷道侧壁,达到了借助巷道内壁使U支架更加稳固的目的。
  • 一种可让压型钢支架
  • [发明专利]一种幕墙连接结构及连接方法-CN202210496831.7在审
  • 刘琦;张一进;冯海林;张潇;戴辉;罗文晓;郭巍;周泽宇 - 山西八建集团有限公司
  • 2022-05-09 - 2022-08-05 - E04B2/96
  • 本发明涉及建筑工程建筑幕墙施工技术领域,具体涉及一种幕墙连接结构及连接方法;包括用于与竖向主龙骨垂直焊接的十字连接件,十字连接件的横截面呈“十字”,所述十字连接件的一端与竖向主龙骨垂直焊接,另一端套入并焊接有悬挑方管,悬挑方管的上下两个侧面均分别焊接有多个U连接件和Y连接件,U连接件和Y连接件均包括水平端面和竖直插入端,U连接件和Y连接件的水平端面用于与悬挑方管的上侧面或下侧面焊接,竖直插入端用于插入至ECP遮阳板内;本发明十字连接件加工方式与竖向主龙骨焊接,保证尺寸精确,平整;发明定制“十字”钢架悬挑方式,避免与玻璃安装定位交叉而导致的玻璃缺口加工,降低玻璃自爆风险及安装难度。
  • 一种幕墙连接结构方法
  • [发明专利]一种适用于基于H桥ZCS双向DC-DC变换器的无源元件集成装置-CN202110487974.7在审
  • 邓成;唐杰 - 邵阳学院
  • 2021-05-06 - 2022-11-08 - H02M3/335
  • 本发明公开一种适用于基于H桥ZCS双向DC‑DC变换器的无源元件集成装置,其包括第一、第二、第三和第四柔性多层带材集成绕组、第一I磁芯、第一和第二E磁芯;第一E磁芯位于第一I磁芯上方且与第一I磁芯相对接触设置、第二E磁芯位于第一I磁芯下方且与第一I磁芯相对接触设置;第一和第三柔性多层带材集成绕组分别绕制在第一E磁芯的左、右边柱上,第二和第四柔性多层带材集成绕组分别绕制在第二E磁芯的左、右边柱上。本发明从实际出发,利用柔性多层带材集成技术创制的四个集成绕组,将两个电容和四个电感全部集成在E‑I‑E磁芯中,有效缩减了无源元件体积,提高了电路功率密度。
  • 一种适用于基于zcs双向dc变换器无源元件集成装置
  • [发明专利]基于三阶级联嵌套U波导的微环谐振器结构-CN202310302867.1在审
  • 龚岩栋;刘明月 - 北京信息科技大学
  • 2023-03-23 - 2023-06-23 - G02B6/293
  • 本发明公开了一种基于三阶级联嵌套U波导的微环谐振器结构,其中,第一直波导、第二直波导和第三直波导依次间隔平行设置,第二直波导的输出端与U波导的输入端相连,U波导的输出端与第三直波导的输入端相连;第一跑道微环谐振器和圆环形微环谐振器间隔开地设置在第一直波导与第二直波导及U波导之间;第二跑道微环谐振器设置在U波导中且位于第二直波导和第三直波导之间;第一跑道微环谐振器的中心、圆环形微环谐振器的中心,第二直波导与U波导间的连接处、第二跑道微环谐振器的中心,第三直波导与U波导间的连接处均位于同一直线上。
  • 基于阶级嵌套波导谐振器结构
  • [发明专利]一种模具以及利用该模具制作鞋底的方法-CN202310442638.X在审
  • 郑春华;危清辉;林家隆;朱丽华;蔡义书 - 温州市盛谊鞋材有限公司
  • 2023-04-24 - 2023-06-13 - B29C43/36
  • 本发明公开了一种模具以及利用该模具制作鞋底的方法,所述模具包括本体以及所述本体轴销连接的压板;所述本体的内部设有第一成区和第二成区;第一成区的边缘处设有向上延伸的凸起,有基于此,当第一成区内灌注高密度聚氨酯后再向第二成区内灌注低密度聚氨酯;此时凸起的设置使得第一成区内的聚氨酯在固化时,不会向第二成区内延伸,减少鞋底成型后的在加工步骤;本发明还公开了一种鞋底的制作方法,包括以下步骤,S1:向第一成区内灌注高密度聚氨酯;待其固化;S2:向第二成区内灌注低密度聚氨酯,待其固化。利用该方法,使得第一成区成型的防滑层与第二成区成型的鞋底可以一体成型,解决了鞋底防滑与舒适之间的矛盾。
  • 一种模具以及利用制作鞋底方法
  • [发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN202310618493.4在审
  • 李伟聪;陈钱;陈银 - 深圳市威兆半导体股份有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-08-08 - H01L29/78
  • 本申请公开了一种场效应晶体管及其制造方法,该场效应晶体管包括半导体衬底、功能层和器件层,半导体上设置有N漂移区,N漂移区漂移区内设置有P埋层;功能层设置于N漂移区上,功能层包括N电流拓展区和两个设置于N电流拓展区两侧的P基区,P基区内设置有相互连接的P+欧姆接触区和N源区,N电流拓展区内设置有多晶硅沟槽,多晶硅沟槽的底部设置有两个间隔设置的第一P+埋层、多晶硅沟槽的两侧设置有第二P+埋层;器件层包括栅极结构和第一金属层,栅极结构设置于功能层上,第一金属层覆盖于栅极结构和功能层上,第一金属层分别与P+欧姆接触区、N源区及多晶硅沟槽连接。
  • 场效应晶体管及其制造方法
  • [发明专利]构网风力发电机组的控制方法及装置-CN202111648396.7在审
  • 杨晓利;郭锐;杨志千 - 新疆金风科技股份有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-07-11 - H02J3/38
  • 提供一种构网风力发电机组的控制方法及装置。该构网风力发电机组的控制方法包括:获取构网风力发电机组的三相电压的正序分量;基于所述三相电压的正序分量计算所述构网风力发电机组的交流电压幅值;基于所述构网风力发电机组的无功指令参考值、交流电压幅值、以及额定交流电压有效值,确定所述构网风力发电机组的正序内电势有效值;获取所述构网风力发电机组的正序相位角;根据所述构网风力发电机组的正序内电势有效值以及正序相位角,计算所述构网风力发电机组的正序内电势;将所述正序内电势作为所述构网风力发电机组的功率模块的调制参考波,以控制所述构网风力发电机组。
  • 构网型风力发电机组控制方法装置
  • [发明专利]Y栅的制造方法-CN202310639943.8在审
  • 罗安林;樊永辉;许明伟;樊晓兵 - 深圳市汇芯通信技术有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-08-01 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种Y栅的制造方法,包括以下步骤:提供HEMT衬底;在HEMT衬底的顶面依次沉积的预保护层、第一介质层和第二介质层;在第二介质层的表面铺设一层第一光刻胶,形成第一光刻胶层,并在第一光刻胶层表面沿竖向光刻形成连通至第二介质层的第一通道;通过第一通道注入腐蚀液,以在第二介质层上腐蚀形成U槽;在U槽的槽底刻蚀形成I槽,U槽和I槽相互连通并形成Y槽;去除第一光刻胶层;在Y槽内制备Y栅。本发明通过在HEMT衬底上制备Y栅,Y栅的栅电极面积更小,减小栅电极面积可以降低栅电极与沟道之间的电容值,降低串联电阻,从而提高最大截止频率fmax
  • 制造方法

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