专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]厚传感器-CN201710831065.4有效
  • 伊藤敦 - 株式会社爱发科
  • 2017-09-05 - 2021-10-01 - C23C14/54
  • 本发明提供一种抗热冲击特性优异的厚传感器。本发明的一个实施方式的厚传感器具有石英振子。上述石英振子由表面粗糙度(Ra)为0.4μm以下、并且切割水平50%的载荷长度比率(tp)为95%以上的面的AT切型石英振子构成。上述面的切割水平50%的载荷长度比率(tp)优选为97%以上,上述面的表面粗糙度(Ra)优选为0.25μm以下。
  • 传感器
  • [发明专利]控制装置、装置以及方法-CN202280005853.7在审
  • 大泷芳幸;松平学幸;山口刚;宫内充祐 - 株式会社新柯隆
  • 2022-02-04 - 2023-07-11 - C23C14/54
  • 控制装置具有:光源(42),其对配置于旋转体(25)的基板(S)照射光;受光部(46),对于从所述光源照射的光,该受光部接收透过形成在所述基板上的薄膜的层的透过光或者被形成在所述基板上的薄膜的层反射的反射光;位置信息取得部(48),其取得与所述旋转体的圆周方向的位置对应的位置信息;以及控制部(4),其对成条件进行控制,所述控制部包含:时机控制部,其根据由所述位置信息取得部取得的所述旋转体的圆周方向的位置信息来确定作为目标的基板的位置,对接收从所述光源向该确定的位置的基板照射的光的透过光或者反射光的时机进行控制;厚判定部,其根据由所述受光部接收到的透过光或者反射光,计算由多个层构成的薄膜的各层的厚,判定所述各层的厚与构成具有期望的分光特性的薄膜的各层的目标厚的厚差;以及条件设定部,其在所述各层的厚相对于所述目标厚存在规定值以上的厚差的情况下,对针对该层的条件进行校正以使得存在该厚差的层的厚成为该层的目标厚,然后设定所述条件。
  • 控制装置以及方法
  • [发明专利]高导热陶瓷加热管-CN201610232351.4在审
  • 吴旭东;熊宝春;周凯;汪静;黄书忞;杨金林 - 上海申航热能科技有限公司
  • 2016-04-14 - 2016-08-17 - H05B3/42
  • 高导热陶瓷加热管由管体1、加热层2、银电极3、不加热段4组;其中在包括加热层2、银电极3在内的管体1这一段管外面,是采用高温金属氧化物气相沉淀的技术制成的加热层;银电极3是涂覆氧化银浆经过高温还原银形成;由于这种高纯度碳化硅材料具有100W/m.k以上的导热特性,还有耐高温、耐酸碱腐蚀、无毒的特性,这样做成的加热器具有工作稳定、功率密度更高(很轻易超过30W/cm2以上)、耐高温、耐酸碱腐蚀、无毒的特性
  • 导热陶瓷膜热管
  • [发明专利]高导热陶瓷加热管-CN201710603442.9在审
  • 熊宝春;杨金林 - 上海雅米能源科技有限公司
  • 2017-07-23 - 2017-11-10 - H05B3/42
  • 高导热陶瓷加热管由管体1、加热层2、银电极3、不加热段4组;其中在包括加热层2、银电极3在内的管体1这一段管外面,是采用高温金属氧化物气相沉淀的技术制成的加热层;银电极3是涂覆氧化银浆经过高温还原银形成;由于这种高纯度碳化硅材料具有100W/m.k以上的导热特性,还有耐高温、耐酸碱腐蚀、无毒的特性,这样做成的加热器具有工作稳定、功率密度更高(很轻易超过30W/cm2以上)、耐高温、耐酸碱腐蚀、无毒的特性
  • 导热陶瓷膜热管
  • [发明专利]装置-CN202080040665.9在审
  • 小野大祐 - 芝浦机械电子装置株式会社
  • 2020-06-02 - 2022-01-11 - C23C14/56
  • 本发明提供一种装置,其可形成抑制光学特性的恶化的平坦的。所述装置是在工件10上形成装置,其包括:搬送部30,具有循环搬送工件10的旋转台31;处理部40,具有包含构成的材料的靶42、及将被导入靶42与旋转台31之间的溅射气体等离子体化的等离子体产生器,利用等离子体对靶42进行溅射而在工件10上形成;以及离子照射部60,照射离子;搬送部30以工件10穿过处理部40与离子照射部60的方式循环搬送工件10,离子照射部60对工件10上的形成途中的照射离子
  • 装置

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