“成膜特性”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2070595个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201210326691.5有效
发明人：加藤寿;菱谷克幸;牛窪繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜装置在旋转台的旋转方向上将两个等离子体产生部互相分开设置，并且在该等离子体产生部与晶圆之间分别配置法拉第屏蔽。
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201510303128.X有效
发明人：矢部和雄;清水亮 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：原料气体供给部，向基板供给含有原料的原料气体；气氛气体供给部，供给用于形成具有引起链式分解反应的浓度以上的浓度的臭氧的臭氧气氛的气氛气体；能量供给部，通过向臭氧气氛供给能量来使臭氧强制地分解而产生氧的活性种
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201510142574.7有效
发明人：福岛讲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置和成膜方法。该成膜装置向形成为真空气氛的反应容器内交替地供给原料气体和与该原料气体发生反应而生成反应生成物的反应气体，而在该反应容器内的基板上形成薄膜，其特征在于，包括：原料气体供给部，设于原料气体的供给路径的端部
原料气体成膜装置供给路径供给原料压力调整压力限制成膜原料气体供给部真空排气路径反应生成物升压反应气体流量调整真空排气真空气氛状态储存开闭阀基板绕过薄膜

[发明专利]成膜方法以及成膜装置-CN201810151721.0有效
发明人：高桥丰;村田昌弘;加藤寿 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法以及成膜装置，目的是能够利用简单的处理以及装置来实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。成膜方法，从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子体活化得到的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层沉积在所述凹陷图案内的下部区域
方法以及装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201810447691.8有效
发明人：高藤哲也;内田博章;渡边幸夫;里吉务;佐佐木和男;吉田守 -专利权人：东京毅力科创株式会社;高知县公立大学法人
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子
方法装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201710229298.7有效
发明人：长江亦周;宫内充祐;大泷芳幸;重田勇辉;佐守真悟 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开一种成膜装置及成膜方法，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201810400288.X有效
发明人：芦泽宏明;藤井康;高桥毅;洪锡亨;山崎和良;中村秀雄;布重裕;神尾卓史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。
方法装置

[发明专利]成膜方法以及成膜装置-CN201680035603.2有效
发明人：平野智资;川崎公一 -专利权人：日本发条株式会社
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： B05D1/06 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法等，其能够在冷喷涂法中抑制材料的粉末被过度加热的同时，将材料的粉末高速地喷射出。该成膜方法通过将材料的粉末以保持固相的状态喷涂到基材的表面上并使其堆积来形成被膜，且包括：混合距离调节工序，其根据材料的粉末的种类，来调节通路的直径最小的位置与混合位置之间的距离，通路形成于喷管的内部，
方法以及装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201110217038.0有效
发明人：池内俊之;周保华;山本和弥;世良贤太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜的成膜方法和成膜装置，该成膜装置包括：处理容器；原料气体供给系统，其具有第1开闭阀，能向处理容器内供给原料气体；反应气体供给系统，其具有第2
方法装置

[发明专利]成膜方法以及成膜装置-CN201810964713.8有效
发明人：我妻雄一郎;金子都;野吕尚孝 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及成膜方法以及成膜装置。在使用包含有机金属化合物的气体对基板进行成膜时，防止基板的背面被金属污染。实施以下工序：预涂工序，向没有被搬入基板(W)的状态的处理容器(11)内供给包含硅的第一气体，利用由硅构成的膜来覆盖包括用于载置基板(W)的载置台(31)在内的所述处理容器(11)内的构件的表面；载置工序，接着，将所述基板(W)以其背面与由所述硅构成的膜接触的方式载置于所述载置台(31)；以及成膜工序，接着，向所述处理容器(11)内供给包含有机金属化合物的第二气体，从而在基板(W)上形成由构成所述有机金属化合物的金属构成的膜
方法以及装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201410019338.1有效
发明人：加藤寿;中坪敏行;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤输入步骤，使具有多个基板载置部的旋转台间歇性地旋转而将多个基板载置部依次配置于输入输出区域，将基板依次载置到基板载置部；成膜步骤，反复多次进行通过使旋转台旋转而使多个基板公转、并且将彼此反应的反应气体交替地向基板表面供给的循环
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201310016980.X有效
发明人：加藤寿;竹内靖;牛窪繁博;菊地宏之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201210415298.3有效
发明人：广田悟史;山本兼司;玉垣浩 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜装置和成膜方法。本发明的成膜装置具有两台溅射蒸发源，该溅射蒸发源包括：非平衡磁场形成单元，该非平衡磁场形成单元由配备在内侧的内极磁铁和配备在该内极磁铁的外侧且磁力线密度比内极磁铁大的外极磁铁形成；以及靶，配备在非平衡磁场形成单元的前方，进而，所述成膜装置还具有交流电源，该交流电源通过在两台溅射蒸发源的各靶之间流过极性以10kHz以上的频率切换的交流电流，从而在两靶之间引起放电而进行成膜。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201210199232.5有效
发明人：铃木启介;门永健太郎;森良孝 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置。该成膜方法是向收纳被处理体W且可抽真空的处理容器内供给含硼气体、氮化气体、硅烷系气体和烃气体，在被处理体的表面上形成含有硼、氮、硅和碳的薄膜的成膜方法，具有：第1工序，进行1次以上交替间歇地供给含硼气体和氮化气体的循环而形成BN膜；第2工序，进行1次以上间歇地供给硅烷系气体、烃气体和氮化气体的循环而形成SiCN膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201210147817.2有效
发明人：加藤寿;菱谷克幸;菊地宏之;牛窪繁博;尾崎成则 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：真空容器，按顺序向其内部多次供给第一处理气体和第二处理气体；旋转台，其具有包括基板载置区域在内的一个表面，使基板载置区域在真空容器内旋转；第一处理气体供给部，向第一区域供给第一处理气体；
装置方法

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top