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[发明专利]成膜系统、磁化特性测量装置和成膜方法-CN202010933375.9在审
发明人：千早宏昭;E·N·阿瓦拉;石桥翔太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供成膜系统及其中使用的磁化特性测量装置和成膜方法。成膜系统包括：在基片上形成磁性膜的处理单元；磁化特性测量装置，其测量在处理单元中形成的磁性膜的磁化特性；以及在处理单元与磁化特性测量装置之间输送基片的输送部。磁化特性测量装置包括：磁场施加机构，其具有对基片施加磁场并能够调节施加到上述基片的磁场的永磁体磁路；和检测上述基片的磁化特性的检测器。本发明能够测量所形成磁性膜的磁化特性。
系统磁化特性测量装置方法

[发明专利]控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质-CN201710191094.9有效
发明人：竹永裕一;笠井隆人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：控制装置控制基板形成第一膜后形成第二膜而形成层叠膜的基板处理装置的动作，具有：制程存储部，存储包括形成第一膜的第一成膜条件和形成第二膜的第二成膜条件的成膜条件；模型存储部，存储包括表示第一成膜条件对第一膜特性影响的第一工艺模型和表示第二成膜条件对第二膜特性影响的第二工艺模型的工艺模型；以及控制部，基于包括利用制程存储部存储的第一成膜条件和第二成膜条件形成第一膜和第二膜的层叠膜的特性的测定值和模型存储部存储的第二工艺模型调整第二成膜条件，基于利用第一成膜条件和调整后的第二成膜条件形成层叠膜的情况下预测层叠膜特性的预测值判定是否要调整第一成膜条件
控制装置处理系统方法以及存储介质

[发明专利]电气膜体的制造方法-CN201310407995.9有效
发明人：菅井孝安;小田部昇 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：本发明的电气膜体的制造方法以短时间高效率且高精度地形成薄膜电阻等元件。该电气膜体的制造方法是将膜体形成为符合所希望的电气特性的形状的电气膜体的制造方法，其具有以下工序在基板层上形成电气膜体的成膜工序，测量在该成膜工序中成膜的电气膜体的面内的电气特性的电气特性测量工序；基于在该电气特性测量工序中测量到的电气特性设定电气膜体的形状的电气膜体形状设定工序，以及形成在该电气膜体形状设定工序中所设定的形状的电气膜体的电气膜体形成工序。
电气制造方法

[发明专利]控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质-CN201710183981.1有效
发明人：笠井隆人;竹永裕一;久保万身 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实施方式的控制装置对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件
控制装置处理系统方法以及存储介质

[发明专利]用于膜的撕裂分析的系统-CN201880057095.7在审
发明人： S·C·索兰基;D·L·麦卡迪;R·A·冈瑟;J·王;K·A·梅耶斯;S·J·柯利克 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2018-04-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本文描述用于分析膜样品的物理特性的方法和系统。所述系统包括被配置成保持所述膜样品的材料保持器系统；和被配置成撕裂所述膜样品并且测量所述撕裂的特性的撕裂分析装置。可移动系统被配置成将所述材料保持器系统中的所述膜样品移动到所述撕裂分析装置。
用于撕裂分析系统

[发明专利]氮化硅膜的成膜方法和成膜装置-CN201110433909.2在审
发明人：村上博纪;渡边要介;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种即使是极薄膜状态也能够使物理特性和电特性优异的氮化硅膜成膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的表面上形成成为氮化硅膜的晶种的晶种层(步骤2～4)。
氮化方法装置

[发明专利]用于增强流体分离的改性聚苯醚薄膜及其制备方法-CN94106589.8无效
发明人：Ｂ·比克森;Ｇ·戈茨;Ｙ·奥茨卡伊尔;Ｊ·Ｋ·纳尔逊 -专利权人：普拉塞尔技术有限公司
申请日： 1994-06-29 - 公布日： 1999-07-28 - 主分类号： B01D71/52 文献下载
摘要：本发明涉及由具有改进的成膜性质和分离特性的改性聚苯醚聚合物构成的复合膜。本发明还涉及具有改进的成膜特性的聚苯醚聚合物和改性聚苯醚聚合物及其制备方法。
用于增强流体分离改性聚苯醚薄膜及其制备方法

[发明专利]机器学习方法、机器学习装置、机器学习程序、通信方法及成膜装置-CN202080050307.6在审
发明人：国末晃伸;高桥哲也;中岛洋介 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明中：观测状态变量，该状态变量包含关于成膜的性能评价的至少1个物理量、以及至少1个成膜条件；根据所述状态变量，计算对所述至少1个成膜条件的决定结果的回报；根据所述回报，更新用于根据所述状态变量决定所述至少1个成膜条件的函数；通过反复进行所述函数的更新，从而决定获得所述回报最多的成膜条件；其中，所述至少1个成膜条件是关于真空排气系统的第1参数、关于加热冷却系统的第2参数、关于蒸发源系统的第3参数、关于工作台系统的第4参数、以及关于工艺气体系统的第5参数中的至少1个，所述至少1个物理量是关于皮膜的膜质特性、机械特性、以及物理特性中的至少1个。
机器学习方法学习装置程序通信方法

[发明专利]光学膜的制造方法-CN201780035284.X有效
发明人：首藤俊介;佐木晓 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：当在膜基材上形成多层光学薄膜的光学膜的制造的预备成膜时，通过对多个溅镀室同时通电来在膜基材上形成两个以上的不同种类材料的薄膜的层叠体，并且根据由设置于溅镀装置内的光学测定部(80)得到的光学特性计算多个薄膜的膜厚重复进行膜厚的测定和薄膜的成膜条件的调整直至由光学测定部得到的光学特性或根据光学特性计算的多个薄膜的膜厚处于规定范围内为止。
光学制造方法

[发明专利]用于对膜进行抗拉测试的系统-CN201880057995.1在审
发明人： D·L·麦卡蒂二世;W·E·吉;P·奥康奈尔;J·J·齐曼;J·伦德;H·辛格;S·J·柯利克 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本文描述了用于对膜样品的物理特性进行分析的方法和系统。该系统可以包括被配置成保持所述膜样品的材料保持器系统。该系统可以包括被配置成拉伸膜样品并确定膜样品的物理特性的抗拉测试系统。该系统可以包括耦接至材料保持器系统并且被配置成使待分析或待测试的被保持的膜样品在站之间移动的可移动系统。可移动系统被配置成将材料保持器系统中的被保持的膜样品移动到抗拉测试系统。
用于进行测试系统

[发明专利]成膜方法及半导体装置的制造方法-CN202080060896.6在审
发明人：永冈达司;西中浩之;吉本昌广;田原大祐 -专利权人：株式会社电装;国立大学法人京都工芸纤维大学
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提出在基体上形成掺杂有铋并且具有半导体或导体的特性的氧化物膜的成膜方法。该成膜方法具有下述工序：一边将上述基体加热，一边将包含上述氧化物膜的构成元素的氧化物膜材料和铋化合物溶解而得到的溶液的雾供给至上述基体的表面的工序。通过使用该成膜方法，能够在基体上形成掺杂有铋并且具有半导体或导体的特性的氧化物膜。
方法半导体装置制造

[发明专利]一种缓蚀剂成膜特性评价方法及加注管理策略确定方法-CN202210246958.3有效
发明人：刘恩斌;寇博;唐浩;彭善碧;张红兵;李党建;温櫂荣 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓蚀剂成膜特性评价方法及加注管理策略确定方法，所述成膜特性评价方法包括以下步骤：进行实验分析，获取适用缓蚀剂；对所述适用缓蚀剂进行全管路多相流流型分析，获取其在多相条件下管路中的流型变化情况、气液两相的流速变化情况、流速范围；对所述适用缓蚀剂进行三维流场分析，获得其在整个管路中的浓度分布情况、临界运行工况、临界工况下缓蚀剂液膜的体积分数以及缓蚀剂的损耗量。所述加注管理策略确定方法基于所述成膜特性评价的结果，结合质量守恒原理进行确定。本发明采用实验与模拟相结合的方式，并基于三维流动特征对缓蚀剂的成膜特性展开研究，能够降低与实际生产状况的差异，确保所得结论的现场适用性。
一种缓蚀剂成膜特性评价方法加注管理策略确定

[发明专利]压电元件用下部电极及具备它的压电元件-CN201280025098.5有效
发明人：涩谷和树 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：通过对构成用于压电元件的下部电极的Pt层全部同时规定摇摆曲线的半宽度、表面的平均粗糙度、以及平均粒径，从而将特性良好的Pt层稳定成膜，在该Pt层上将特性良好的压电薄膜稳定成膜。
压电元件下部电极具备

[发明专利]成膜方法和半导体装置的制造方法-CN201910644005.0在审
发明人：永冈达司;西中浩之;吉本昌广 -专利权人：丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工艺纤维大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和半导体装置的制造方法。提出适宜地形成由氧化物构成并具有导体或半导体的特性的氧化物膜的技术。提出在基板上形成掺杂有锗且具有导体或半导体的特性的氧化物膜的成膜方法。该成膜方法具有如下工序：一边加热上述基体，一边向上述基体的表面供给溶解有包含上述氧化物膜的构成元素的氧化物膜材料和有机锗化合物的溶液的雾。
氧化物膜成膜导体半导体有机锗化合物半导体装置构成元素氧化物基板加热溶解掺杂制造

[发明专利]一种奶牛干奶期乳头保护剂及其制备方法-CN202310115622.8在审
发明人：杜海峰;韩小波 -专利权人：上海康臣生物科技有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A61K9/70 文献下载
摘要：本发明揭示了一种奶牛干奶期乳头保护剂，通过选用胍盐作为消毒剂，并且将胍盐固定在成膜剂中，达到长效抑菌的效果；选用成膜坚韧的柔性成膜剂以及挥发快的有机溶剂达到成膜稳定、长期封堵奶牛乳头孔以及成膜不易脱落的特性
一种奶牛干奶期乳头保护及其制备方法

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