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[发明专利]一种高效率异质结单晶硅薄膜太阳能电池-CN201210137766.5无效
发明人：郑佳仁;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：目前单晶硅太阳电池需藉由扩散炉等高温工艺来制作，会造成高耗能的产生。此外单晶硅太阳电池于使用上对于环境温度的提升会有很大的衰竭现象（-0.5%/℃），而非晶硅工艺流程的温度远低于单晶硅且对于温度的衰竭现象亦不若单晶硅来的严重(-0.2%/℃)，因此结合此两种技术，而形成了异质结单晶硅薄膜，其光电转换效率可使原先的单晶硅太阳电池提升至20%以上。本发明为一种可优化提升单晶硅太阳电池转化效率的新颖发明，利用非晶硅在单晶硅上面的沈积成膜搭配，形成异质结结构，而非晶硅与透明导电膜沈积的顺序，则为达成高效率的重要途径，而本发明即为提出此沈积顺序以形成最佳的单晶硅表面钝化作用以及减少表面污染的影响，进而达到高效率的异质结单晶硅薄膜。
一种高效率异质结单晶硅薄膜太阳能电池

[发明专利]一种双面受光异质结单晶硅薄膜太阳能电池-CN201210143789.7无效
发明人：郑佳仁;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：目前单晶硅太阳电池需藉由扩散炉等高温工艺来制作，会造成高耗能的产生。此外单晶硅太阳电池于使用上对于环境温度的提升会有很大的衰竭现象（-0.5%/℃），而非晶硅工艺流程的温度远低于单晶硅且对于温度的衰竭现象亦不若单晶硅来的严重(-0.2%/℃)，因此结合此两种技术，而形成了异质结单晶硅薄膜，其光电转换效率可使原先的单晶硅太阳电池提升至20%以上。本发明为一种可优化提升单晶硅太阳电池转化效率的新颖发明，利用非晶硅在单晶硅上面的沈积成膜搭配，形成异质结结构，而非晶硅与透明导电膜沈积的顺序，则为达成高效率的重要途径，而本发明即为提出此沈积顺序以形成最佳的单晶硅表面钝化作用以及减少表面污染的影响，进而达到高效率的异质结单晶硅薄膜。
一种双面受光异质结单晶硅薄膜太阳能电池

[发明专利]一种柔性高陷光性径向结异质结高效晶体硅太阳电池及其制备方法-CN201410295530.3有效
发明人：余林蔚;李成栋 -专利权人：余林蔚;李成栋
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：柔性高陷光性径向结异质结高效晶体硅太阳电池的制备方法，1)采用厚度80～500um，电阻率0.1～1000Ω·cm的晶体硅片作为衬底；2)先在晶体硅衬底上制作太阳电池正面结构或半成品正面结构；3)保护好已制作的正面结构从背面减薄衬底：在已制作的太阳电池正面结构或半成品正面结构上制作100nm～100um的保护层或同时在背面也制作边框保护，将晶体硅衬底从背面减薄至5～50um；去除保护层或同时包括背面边框保护层；4)制作背面结构：在背面淀积异质结硅基钝化层异质结结构大幅度的提高电池的转换效率、开路电压、短路电流等；光电性能优良的晶体硅作为柔性电池的吸收基区，是获得较高转换效率的保证。
一种柔性高陷光性径向结异质结高效晶体太阳电池及其制备方法

[发明专利]三结高压大功率太阳电池阵防静电放电方法-CN201210075993.X无效
发明人：崔新宇;薛梅;邹世纯;鲍伟丰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种三结高压大功率太阳电池阵防静电放电方法。本发明属于太阳电池技术领域。三结高压大功率太阳电池阵防静电放电方法，其特点是：太阳电池阵防静电放电方法包括防失效方法和故障隔离方法；防失效方法是太阳电池阵基板表面增加绝缘强度、降低太阳电池串串间电压、降低太阳电池单元电路输出电流、太阳电池板设置静电泄放通路和太阳电池负极朝向基板边缘，太阳电池板上裸露聚酰亚胺薄膜增加绝缘；故障隔离方法是太阳电池单元电路相互隔离。本发明具有方法简单，操作方便，适用范围广，效果明显等优点，达到了防止三结高压大功率太阳电池阵因静电放电引起的部分电路失效的效果，提高了三结高压大功率太阳电池阵的可靠性。
高压大功率太阳电池静电放电方法

[发明专利]一种溶液法加工的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池及其制备方法-CN201410657646.7在审
发明人：覃东欢;卢宽宽;刘涵;谢雅;吴荣方 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种溶液法加工的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池及其制备方法。所述太阳电池由下到上依次由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、n型层、光活性层和阳极叠层而成；所述的光活性层厚度为100~700 nm，由一层或多层CdTe纳米晶层组成；所述的n型层为CdSe薄膜。本发明大幅提高碲化镉-硒化镉全无机纳米晶异质结太阳电池的能量转化率，提高器件的开路电压和填充因子，大大延长了器件寿命。
一种溶液加工倒置结构 cdte 纳米晶异质结高效太阳电池及其制备方法

[实用新型]基于P型硅片的背接触异质结太阳电池结构-CN201120193997.9有效
发明人：张黎明;李玉花;刘鹏;姜言森;杨青天;高岩;徐振华;张春艳;王兆光;程亮;任现坤 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳电池，具体涉及一种基于P型硅片的背接触异质结太阳电池结构。从背面特征分为N型区域和P型区域，N型区域形成P+a-si/i-a-si/P-c-si/P+c-si/i-a-si/N-a-si异质结结构，P型区域形成P+a-si/i-a-si/P-c-si/P+c-si异质结结构，具有更好的光谱响应特性，太阳光在电池内传播光程更长，电池较常规晶硅太阳能电池厚度大大减薄；电极全部印刷在电池背面，避免了常规太阳能电池正面电极遮光的问题，提高了太阳能电池短路电流，进而大大提高太阳电池的转化效率
基于硅片接触异质结太阳电池结构

[发明专利]一种锗基叠层太阳电池及制备方法-CN201911355509.7有效
发明人：张恒;刘如彬;张启明;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗基叠层太阳电池及制备方法，属于太阳电池技术领域，其特征在于：包括基于GaAs衬底反向生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs/GaxIn1‑xAs四结太阳电池；基于Ge衬底正向生长的晶格失配的GayIn1‑yAs/Ge双结太阳电池；所述四结太阳电池和双结太阳电池采用键合的方法集成为AlGaInP/AlGaAs/GaAs/GaxIn1‑xAs/GayIn1‑yAs/Ge六结太阳电池。在上述技术方案中，锗基叠层太阳电池的外延过程仅涉及两个晶格渐变缓冲层，且该六结太阳电池的部分器件制备工艺可以与目前技术应用成熟的Ge基三结太阳电池器件工艺相兼容，有助于降低电池的制备难度和成本。
一种锗基叠层太阳电池制备方法

[发明专利]一种宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池-CN201811144601.4有效
发明人：曾广根;冯良桓;武莉莉 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池的新结构。然后分别在其正面依次沉积CdTe薄膜和透明导电氧化物（TCO）薄膜，在其背面依次沉积宽带隙Ⅱ‑Ⅵ族半导体背接触层薄膜和金属电极，形成基本结构为TCO/CdTe/Si/背接触层/金属的宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池本发明提出的新结构太阳电池，具有制作简单、与太阳光谱匹配好且光谱响应范围宽300nm～1100nm、转换效率高、成本低廉的特点，特别适合于弱光下的应用。
一种光谱 cdte si 化合物异质结太阳电池

[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法和应用-CN202210496893.8有效
发明人：胡磊;施利君;屠金玲;蒋新 -专利权人：苏州晶洲装备科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳电池及其制备方法和应用，所述制备方法包括：在设有透明导电层的硅基板上以3,4‑乙烯二氧噻吩和苯乙烯磺酸类单体的组合作为单体进行聚合，得到高分子导电膜；在所述高分子导电膜上电化学沉积锡铜合金层，形成金属栅线，得到异质结太阳电池。所述制备方法采用原位聚合的方式形成PEDOT:PSS高分子导电膜，其作为透明导电层与金属栅线的结合层，能够有效提高导电性和可镀性，并防止激光刻蚀中对TCO的损伤，防止铜离子向电池迁移，有效提升了异质结太阳电池的综合性能
一种异质结太阳电池及其制备方法应用

[实用新型]一种带隙结构优化的三结太阳电池-CN201420539293.6有效
发明人：张小宾;杨翠柏;陈丙振;王雷;张杨;张露 -专利权人：瑞德兴阳新能源技术有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带隙结构优化的三结太阳电池，包括有三结太阳电池单元，所述三结太阳电池单元的上、下表面分别设置有增透膜和第一金属电极，所述增透膜的上表面设置有第二金属电极；其中，所述三结太阳电池单元以半导体Ge单晶片为衬底，按照层状结构从下至上依次包括有底电池、中电池、顶电池，所述底电池为Ge太阳电池，中电池为GaInNAs太阳电池，顶电池为GaInP太阳电池，所述底电池与中电池之间通过第一隧道结连接，所述中电池与顶电池之间通过第二隧道结连接本实用新型可以优化三结电池的子电池带隙组合，提高三结电池的整体短路电流，并最终提高三结电池的光电转换效率。
一种结构优化太阳电池

[发明专利]一种带隙结构优化的三结太阳电池-CN201410479800.6无效
发明人：张小宾;杨翠柏;陈丙振;王雷;张杨;张露 -专利权人：瑞德兴阳新能源技术有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙结构优化的三结太阳电池，包括有三结太阳电池单元，所述三结太阳电池单元的上、下表面分别设置有增透膜和第一金属电极，所述增透膜的上表面设置有第二金属电极；其中，所述三结太阳电池单元以半导体Ge单晶片为衬底，按照层状结构从下至上依次包括有底电池、中电池、顶电池，所述底电池为Ge太阳电池，中电池为GaInNAs太阳电池，顶电池为GaInP太阳电池，所述底电池与中电池之间通过第一隧道结连接，所述中电池与顶电池之间通过第二隧道结连接本发明可以优化三结电池的带隙组合，提高三结电池的整体短路电流，并最终提高三结电池的光电转换效率。
一种结构优化太阳电池

[发明专利]空穴选择型MoOx-CN201810557220.2有效
发明人：马忠权;高明;陈东运;韩百超;赵磊 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种空穴选择型MoOx/SiOx(Mo)/n‑Si异质结、太阳电池器件及其制备方法，用单晶硅片为衬底沉积MoO再通过热蒸发使蒸汽流中MoO3分子团、Mo、O原子与单晶硅片浅层硅原子发生固相反应形成超薄SiOx(Mo)层；形成界面复合太阳电池器件功能层结构体，再制备ITO薄膜、电极，得到太阳电池片。ITO薄膜工艺、硝酸氧化工艺、常压化学气相沉积薄膜工艺和热蒸发金属电极工艺，制备MoOx/SiOx(Mo)/n‑Si异质结太阳电池
空穴选择 moo base sub

[发明专利]一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN202011422946.9有效
发明人：谭秋红;任丽;张超;张霞;赵吉玉;杨志坤;蔡武德 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括柔性透明导电基底、P型薄膜晶硅窗口层、柔性钙钛矿光吸收层、柔性电子传输层和柔性背电极，柔性透明导电基底由第一柔性衬底通过直流溅射法沉积透明导电金膜制成本发明结构设计合理，大幅提高太阳电池的柔性，制得的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池适用于作为光伏粘贴膜使用。
一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池-CN201810129811.X在审
发明人：宗军;王伟;田宏波;赵晓霞;杨瑞鹏;周永谋;王恩宇;李洋;王雪松 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池，该金属栅线电极包括：一条主栅线；第一组副栅线，所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线，所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置；第二组副栅线该金属栅线电极对电池光作用面遮挡小、电阻低，实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡，从而提高了太阳电池的性能。
副栅线硅异质结太阳电池金属栅线电极主栅线平行布置电流收集相交设置光作用电极电阻遮光遮挡平行相交垂直电池平衡

[实用新型]硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池-CN201820229144.8有效
发明人：宗军;王伟;田宏波;赵晓霞;杨瑞鹏;周永谋;王恩宇;李洋;王雪松 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池，该金属栅线电极包括：一条主栅线；第一组副栅线，所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线，所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置；第二组副栅线该金属栅线电极对电池光作用面遮挡小、电阻低，实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡，从而提高了太阳电池的性能。
副栅线硅异质结太阳电池金属栅线电极主栅线平行布置本实用新型电流收集相交设置光作用电极电阻遮光遮挡平行相交垂直电池平衡

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