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[实用新型]一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器-CN201921497343.8有效
发明人：胡伟达;吴峰;王鹏;王芳;张莉丽;王振;李庆;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本专利公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS2)薄片通过定点转移到硅衬底上并形成范德华异质结。运用电子束光刻并结合lift‑off工艺制备金属源极和漏极，形成异质结场效应晶体管结构。器件的独特性在于其异质结是单边耗尽的pp结，有别于双边耗尽的pn结。单边耗尽的异质结可以有效抑制遂穿辅助的界面复合和界面缺陷捕获效应，从而实现高量子效率、光电转换效率以及快的响应速度。本专利的探测器具有信噪比高、量子效率和光电转换效率高、响应快的特点，并且可应用于太阳能电池领域。
一种单边耗尽高效快速范德华异质结探测器

[发明专利]一种提高单层GaSe光催化性能的方法-CN202211003332.6在审
发明人：葛传鹏;邓洪祥;祖小涛 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明专利涉及光催化技术领域，尤其指一种提高单层GaSe光催化性能的方法。包括S1、单层硒化镓的优化：首先利用根据块状硒化镓的晶体结构获得二维GaSe的晶体结构。然后再对单层的GaSe进行高精度结构优化，最后计算基本的性质；S2、构件多种异质结构：选择组成异质结的另一种材料重复上述的操作。使用MS软件将两种单层二维材料堆叠在一起形成异质结；S3、选择异质结：对不同的异质结进行高精度结构优化并计算它们的结合能，选择出结合能最小的异质结进行后续的研究；对选中的异质结进行更高精度的结构优化；S4、计算异质结相关参数；S5、施加双轴应变后再计算其光吸收。
一种提高单层 gase 光催化性能方法

[发明专利]用少层黑磷烯的不同堆垛结构的遂穿二极管及实现方法-CN201610551782.7在审
发明人：雷双瑛;沈海云;黄兰 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：该遂穿二极管为异质结遂穿二极管，最下面是衬底(1)，在衬底(1)上是下电极台面(2)，在下电极台面(2)的上面的一边为黑磷烯横向异质结(3)，另一边是下电极(6)，在黑磷烯横向异质结(3)上为电极台面(与普通遂穿二极管相比，本发明提出的异质结不需要进行重掺杂即可得到用于遂穿的能带结构。其中III型半导体异质结是本专利设计结构的核心部分。本发明选用的同种材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将两种不同堆垛结构的黑磷烯横向连接形成异质结。
用少层黑磷不同堆垛结构二极管实现方法

[发明专利]一种异质结可饱和吸收镜及其制备方法、锁膜光纤激光器-CN201610387349.4在审
发明人：闫培光;陈浩;王金章;邢凤飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明属于激光器技术领域，提供了一种异质结可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的异质结薄膜以及位于所述异质结薄膜之上的保护膜层；所述异质结薄膜包括至少两层可饱和吸收层，其中各可饱和吸收层的材料互不相同本发明还提供了一种异质结可饱和吸收镜的制备方法，包括如下步骤：衬底制将衬底抛光；将所述衬底置于反应室内，采用CVD法在所述金膜层上依次镀上所述至少两层可饱和吸收层，形成异质结薄膜；在所述异质结薄膜表面镀上保护膜层本发明提供的异质结可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高；制备方法简单，适于批量生产。
一种异质结可饱和吸收及其制备方法光纤激光器

[发明专利]平面供体‑受体异质结及包含其的光伏电池-CN201710150147.2在审
发明人：蒂莫西·P·本德;伯努瓦·H·莱萨德;艾哈迈德·阿卜杜勒拉赫曼;阿米特·特维蒂亚 -专利权人：沙特基础工业公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请涉及平面供体‑受体异质结，其包含两层光活性区域，其中每个层都具有均匀的组成，两个层形成所述平面供体‑受体异质结，其中至少一个层包含具有通用分子结构(I)或(II)的化合物作为有机半导体材料。还要求保护包含该平面供体‑受体异质结的光伏电池。
平面供体受体异质结包含电池

[发明专利]一种物理研磨形成钛酸钡与二氧化钛异质结光催化剂及其制备方法-CN202210895755.7在审
发明人：马浩;周喜;王雪梅;董帆 -专利权人：重庆工商大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B01J23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种物理研磨形成钛酸钡与二氧化钛异质结光催化剂及其制备方法，所获得的钛酸钡复合二氧化钛异质结光催化剂能够有效提升电子‑空穴的分离效率，产生丰富的活性自由基，增强了钛酸钡材料的光催化性能以及二氧化钛材料的光催化活性和稳定性相对于其他专利所报道的异质结而言，物理研磨形成钛酸钡与二氧化钛异质结光催化剂，由一步反应形成，条件温和，操作简单，性能优异，有利于商业规模化。
一种物理研磨形成钛酸钡氧化钛异质结光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池的制造方法及异质结太阳能电池-CN201510016189.8在审
发明人：郁操;杨苗;李沅民;张津燕;徐希翔 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池的制造方法，包括：提供异质结太阳能电池第一结构，所述第一结构包括基片、设置于所述基片两侧的本征层以及两侧本征层上分别设置的第一掺杂层和第二掺杂层；在所述第一掺杂层和/或第二掺杂层上形成保护层，形成有所述保护层的异质结太阳能电池结构称为异质结太阳能电池第二结构；在所述异质结太阳能电池第二结构的两侧形成透明导电层，或者在所述异质结太阳能电池第二结构的一侧且位于所述保护层上形成透明导电层，所述异质结太阳能电池第二结构的另一侧且位于所述保护层上形成透明导电氧化物/金属复合层；使得在沉积透明导电层时，由于存在保护层，能够避免沉积透明导电层对基片表面钝化效果的破坏，提高光电转换效率及电池性能。此外，本申请还提供通过上述方法制造的一种异质结太阳能电池。
一种异质结太阳能电池制造方法

[发明专利]绿色高效N型单晶硅异质结电池技术-CN202111365941.1在审
发明人：宋太伟 -专利权人：上海日岳新能源有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明专利，绿色高效N型单晶硅异质结电池技术，是一种工艺简单可靠且量产生产线设备成本极低的N型单晶硅异质结光伏电池技术。该绿色高效的N型单晶硅异质结电池，主要由N型单晶硅、正面高浓度掺磷非晶硅层、正面氧化物钝化层、正面减反透明导电膜层、正面银栅线阴极、背面高浓度掺硼非晶硅层、背面氧化物钝化层、背面薄金属或合金层、背面氧化物层
绿色高效单晶硅异质结电池技术

[实用新型]一种异质结可饱和吸收镜、锁模光纤激光器-CN201620532351.1有效
发明人：闫培光;陈浩;王金章;邢凤飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本实用新型属于激光器技术领域，提供了一种异质结可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的异质结薄膜以及位于所述异质结薄膜之上的保护膜层；所述异质结薄膜包括至少两层可饱和吸收层，其中各可饱和吸收层的材料互不相同本实用新型提供的异质结可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高；制备方法简单，适于批量生产。
一种异质结可饱和吸收光纤激光器

[发明专利]一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法-CN201810311172.9有效
发明人：王霖;高凤梅;陈善亮;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种调控无机半导体异质结材料生长的制备方法，特别是调控石墨烯/碳化硅(Graphene/SiC)纳米异质结生长的方法。所述的制备方法包括如下步骤：1)在清洗后的SiC晶片上溅射催化剂形成催化剂薄膜；2)将聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于石墨坩埚中；3)将高纯石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在保护气体的作用下在1520‑1600℃下保温30‑80min进行热处理，随炉冷却至室温，制得Graphene/SiC纳米异质结。本发明能够实现Graphene/SiC纳米异质结的生长调控；且周期短，工艺可控，在纳米异质结生长的同时即可实现对其组成比例的调控。
纳米异质结生长催化剂薄膜调控制备高纯石墨坩埚聚合物前驱体催化剂形成气氛烧结炉无机半导体异质结材料热处理保护气体生长调控石墨坩埚随炉冷却石墨烯碳化硅溅射可控保温清洗

[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法-CN202111237278.7在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法，硅异质结电池组包括多个串联的硅异质结电池，硅异质结电池包括硅异质结主体、设置于硅异质结主体上表面和设置于硅异质结主体下表面的导电图形，硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连。本方发明实施例的硅异质结电池组可提高组件良率，还最大限度地提高了焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
具有电极贯穿硅异质结电池组及其制备方法

[发明专利]基于黑磷/二硫化铼异质结的负微分电阻及制备方法-CN201710211254.1在审
发明人：雷双瑛;沈海云 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于黑磷/二硫化铼异质结的负微分电阻及制备方法，包括硅衬底、第一二氧化硅保护层、黑磷薄层和二硫化铼薄层构成的异质结、第二二氧化硅保护层、漏极和源极；硅衬底为栅极。硅衬底上生长第一二氧化硅保护层；在第一二氧化硅保护层上沉积得到黑磷薄层和二硫化铼薄层构成的异质结；在异质结上沉积第二二氧化硅保护层；在第二二氧化硅保护层表面蒸镀一层金属层，刻蚀出漏极和源极。本发明的异质结构成的负微分电阻无需额外掺杂，制备工艺更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将两种不同材料的半导体连接形成异质结；同时该负微分电阻表现出很高的峰谷电流比。
基于黑磷硫化铼异质结微分电阻制备方法

[发明专利]一种用热板制备二维WS2-CN202011496896.9在审
发明人：张礼杰;牛丽娟;豆振军;董幼青;邹超 -专利权人：温州大学新材料与产业技术研究院
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本专利公开了一种用热板制备二维WS2/PbI2垂直异质结的制备方法，其技术方案要点是:使用热板作为热源，直接蒸发碘化铅，制备方法简单，对环境的要求降低，对样品的损伤小，对仪器的要求低，基本每个实验室都能满足，成本低，样品结晶质量高，并且扩展了二维层状材料体系，范德瓦尔斯异质结构更加多样化。
一种用热板制备二维 ws base sub

[发明专利]高效率光催化分解水的Z型异质结催化剂的设计方法-CN202111540841.8在审
发明人：李爽;程鹏;刘伟;俞鹏飞 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效率光催化分解水的Z型异质结催化剂的设计方法。其包括：（1）计算带极性材料的功函数和能带，提取能带中导带底、价带顶和真空能级；（2）根据带极性材料的功函数大小，以及导带底、价带顶和真空能级的相对位置构建带极性材料的异质结构，对其进行结构优化，并计算异质结的能带；（3）根据异质结的能带，得到异质结的能带弯曲方式，以能带弯曲最大的异质结作为Z型异质结。本发明通过DFT计算方法，利用带极性材料设计Z型异质结光催化剂，从而提高光催化效率，为设计高效率Z型异质结光催化剂提供了指导作用。
高效率光催化分解型异质结催化剂设计方法

[发明专利]一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211407852.3在审
发明人：张昊 -专利权人：张昊
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K30/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括透明玻璃衬底、ITO层、电子传输层、双异质结钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层。其制造成本较钙钛矿/晶硅叠层电池及全钙钛矿叠层电池更低，寄生效应更少，光损失更低。双异质结钙钛矿层由三层带隙可调的Sn、Pb基钙钛矿结构组成，双异质结的钙钛矿层，吸收光谱更宽，更加容易与电子传输层和空穴传输层的能级匹配，同时光损失更低，转换效率更高，双异质结钙钛矿层由于能带重叠的区域多同时对于钙钛矿层，保护层材料为2‑莰酮含有醛基，起到钝化表面缺陷的作用，能够提高双异质结钙钛矿层质量，提升转换效率。
一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

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