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[发明专利]一种异质结太阳能电池的制作方法-CN201410681480.2有效
发明人：谷士斌;何延如;张林;赵冠超;杨荣;王琪;李立伟;孟原;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池的制作方法，用以通过添加保护层，再采用刻蚀溶液对电池侧面的导电特性的材料进行刻蚀，不仅去除了该导电特性的材料，减少电池漏电现象的产生，提高了电池转换的效率，也保留了该电池的钝化材料所述方法包括：在所述异质结太阳能电池的正面和背面添加保护层，该保护层至少覆盖所述正面的边缘处和所述背面的边缘处；将所述异质结太阳能电池留有导电特性材料的侧面置于刻蚀溶液中，且该刻蚀溶液不超出所述保护层，对所述异质结太阳能电池侧面的导电特性材料进行刻蚀，其中，所述刻蚀溶液为与所述导电特性材料反应，且与所述保护层不反应的溶液。
一种异质结太阳能电池制作方法

[发明专利]一种异质结光探测器的制备方法及光探测器-CN202011538140.6有效
发明人：刘应军;王权兵;阳红涛;王任凡 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结光探测器的制备方法及光探测器，其中，制备方法通过对经图形化处理的第一材料层上设置一层掩膜，并使掩膜覆盖在第一材料层除异质结区域之外的表面上，再在衬底设置第二材料层，并使第二材料层在异质结区与第一材料层堆叠，不但使第二材料层在衬底上的设置方法更为灵活，避免了现有技术中需要经过有机物辅助剥离及转移来实现两种材料的堆叠，而且还能够在对第二材料层进行图形化处理时，掩膜对第一材料层进行保护，因此，本发明提供的异质结光探测器的制备方法可实现低维材料异质结制备的灵活性和规模化的同时，还使得异质结制备与CMOS工艺兼容，降低了异质结的工业制备的门槛和成本。
一种异质结光探测器制备方法

[实用新型]高效异质结光伏组件-CN202021449809.X有效
发明人：邓士锋;夏正月;许涛 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效异质结光伏组件，其包括异质结太阳能电池片、连接至所述异质结太阳能电池片受光面的第一焊带以及连接至所述异质结太阳能电池片背光面的第二焊带、覆于所述第一焊带外侧且粘接至所述异质结太阳能电池片受光面的第一粘合膜以及覆于所述第二焊带外侧且粘接至所述异质结太阳能电池片背光面的第二粘合膜；基于本实用新型所提供高效异质结光伏组件的具体结构，可大幅降低水汽、Na+直接进入到异质结太阳能电池片内部的概率，能够保证异质结太阳能电池片具有较为稳定的电池性能；还可以确保第一焊带、第二焊带与异质结太阳能电池片之间具有紧密的电性接触，避免了由于焊接不牢导致高效异质结光伏组件串联电阻增大的问题。
高效异质结光伏组件

[实用新型]二维异质结材料界面缺陷检测装置-CN202222160081.4有效
发明人：崔海;谢莉华;卜俊恩;谭思佳;谢姗 -专利权人：安徽研泠科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及检测装置领域，公开了二维异质结材料界面缺陷检测装置，包括检测台和除尘机构，所述检测台顶部固定设置有保护罩、PC显示器和载物台，所述载物台顶部放置有载玻片，所述载玻片上放置有二维异质结材料，所述保护罩顶部设置有透射电子显微镜，所述除尘机构设置在保护罩上，所述除尘机构包括吸尘风机和遮挡板，所述保护罩侧面开设有取放口和移动槽，所述移动槽内滑动接触有移动板，所述遮挡板固定安装于移动板侧面，所述移动板顶部和移动槽顶部内壁上均开设有安装槽本实用新型具有以下优点和效果：能够方便在对二维异质结材料检测时对其进行防尘保护，提高后续检测结果准确性。
二维异质结材料界面缺陷检测装置

[发明专利]提高HIT异质结太阳能电池转换效率的方法-CN202110576045.3在审
发明人：范继良 -专利权人：黄剑鸣
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开一种提高HIT异质结太阳能电池转换效率的方法，其包括如下步骤：将HIT异质结太阳能电池与直流电源电性接通，控制直流电源的电压小于HIT异质结太阳能电池的击穿电压，使HIT异质结太阳能电池内的旁路电阻发热而烧断；强光照射HIT异质结太阳能电池使其内不稳定的悬挂键重组成稳定的化学键；断开HIT异质结太阳能电池与直流电源的电性连接，撤销强光对HIT异质结太阳能电池的照射，获得电池转换效率提高的HIT异质结太阳能电池该方法通过对现有HIT异质结太阳能电池进行直流电源的接入和强光照射，消除了旁路电阻及不稳定的悬挂键，大大的提高了HIT异质结太阳能电池的转换效率。
提高 hit 异质结太阳能电池转换效率方法

[发明专利]一种黑磷-二维电子气异质结忆阻器及其制备方法-CN202111006746.X在审
发明人：姜昱丞;马兴龙;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑磷‑二维电子气异质结忆阻器及其制备方法，该忆阻器从下至上依次为钛酸锶衬底、二维异质结、金属电极、保护层及导线，其制备方法主要包括以下步骤：机械剥离减薄黑磷、光刻、磁控溅射金电极、光刻、离子束轰击制备二维电子气、涂覆保护层、焊接导线，得到由黑磷作为P端、二维电子气作为N端的异质结忆阻器。由黑磷与钛酸锶衬底表面的二维电子气构成的二维异质结在其界面处具有铁电性，使其内电势可被外界施加的激发电压所调控，由该异质结构筑的忆阻器可通过控制外加电压调节电阻，且其电阻表现出非易失性的变化，在10
一种黑磷二维电子气异质结忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种退火处理的Si基InN纳米柱异质结及其制备方法与应用-CN202210162088.1在审
发明人：李国强;刘乾湖;谢少华;梁杰辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种退火处理的Si基InN纳米柱异质结及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤：(1)采用分子束外延生长工艺，在Si衬底上生长InN纳米柱；(2)将步骤(1)所得InN纳米柱进行退火处理，得到Si基InN纳米柱异质结；所述退火的氛围为N2保护下的硫氛围、氧氛围或硒氛围。该InN纳米柱异质结包括衬底和生长在衬底上的InN纳米柱，其中InN纳米柱在不同氛围下退火形成异质结。本发明采用一种成本低、工艺简单的方法制备了Si基InN纳米柱异质结光电极。该异质结光电极可用于光电催化水分解制氢，大大提高了产氢效率，为利用太阳能大规模制备氢能源提供有效策略。
一种退火处理 si inn 纳米柱异质结及其制备方法应用

[发明专利]异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件-CN202110808966.8在审
发明人：周肃;魏文文;符欣;龚道仁;王文静;徐晓华;李晨;程尚之;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件，属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤：对异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜通过本申请的异质结电池处理方法，能有效减小因激光切割造成的功率损失，提高切割后的异质结电池的效率。
异质结电池处理方法切片组件

[发明专利]异质结电池的制备方法以及异质结电池-CN202210087135.0在审
发明人：张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池的制备方法以及异质结电池，异质结电池的制备方法包括以下步骤：制作出异质结电池；采用UV光照射所述异质结电池的表面，得到表面能值大于40mN/m的异质结电池。UV光可以更好地将异质结电池表面的有机物脏污去除，从而可以提升异质结电池的表面能，得到表面能值大于40mN/m的异质结电池，而且这样可以有效地改善异质结电池与封装胶膜之间的剥离能，提升封装胶膜与异质结电池的连接可靠性
异质结电池制备方法以及

[发明专利]中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结及其应用-CN202210492727.0有效
发明人：余东波;王杰;董文昊;姚佳;王菲;崔接武;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结，将中空多壳层含Sn金属@碳结构与硒粉进行混合后，在氩气气氛保护下退火得到产物中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结。中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结应用于高性能钠离子电池负极材料。该中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结可以将中空多壳层结构与过渡金属硒化物相结合应并在钠离子电池负极材料中进行应用。
中空多壳层含 sn 金属硒化物碳异质结及其应用

[发明专利]铁酸锰改性二氧化钛异质结光阳极及其制备方法和应用-CN202210643373.5有效
发明人：王秀通;孙亚楠;南有博;普佳艳;鹿桂英;黄彦良 -专利权人：中国科学院海洋研究所
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及阴极保护技术领域，特别是指一种铁酸锰改性二氧化钛异质结光阳极及其制备方法和应用。制备二氧化硅包覆的具有尖晶石结构的铁酸锰改性二氧化钛异质结光阳极(MnFe2O4@SiO2异质结光阳极的制备方法，本发明的异质结光阳极保护金属不被腐蚀。本发明的异质结光阳极有效提高了TiO2对可见光的吸收范围，增加了对太阳光的利用率；降低了光生电子‑空穴对的复合率，进一步降低了金属的电极电位，提高了TiO2对阴极的保护作用；这种光阳极性能稳定，环境友好，可重复使用，避免了能源浪费。
铁酸锰改性氧化钛异质结光阳极及其制备方法应用

[发明专利]电容器、其制造方法及其使用方法-CN202310733657.8在审
发明人：马俊;邹文松 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容器、其制造方法及其使用方法，电容器包括承载结构、异质结堆叠结构、第一电极和第二电极，异质结堆叠结构连接于承载结构，异质结堆叠结构包括多个相互层叠的异质结，每一异质结包括势垒层和沟道层，同一异质结中：势垒层和沟道层相互层叠从而在沟道层中形成二维电子气，沟道层位于势垒层背对承载结构的一侧；第一电极和第二电极连接于异质结堆叠结构背对承载结构的一侧表面；异质结堆叠结构还可以具有鳍状结构。
电容器制造方法及其使用方法

[实用新型]一种二维范德华异质结光电探测器-CN201721095156.8有效
发明人：王建禄;陈艳;王旭东;孟祥建;沈宏;林铁;孙璟兰;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本专利公开了一种二维范德华异质结光电探测器。器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的异质结构及金属源漏电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种二维半导体至底层半导体表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再运用电子束光刻技术结合剥离技术制备金属电极，最终形成范德华异质结构光电探测器
二维半导体异质结光电探测器光电探测器异质结构衬底二维金属源漏电极制备金属电极底层半导体电子束光刻探测器响应剥离技术二维材料范德华力技术结合快速响应器件结构制备工艺灵敏度异质结波段功耗栅压制备半导体探测调控拓展

[发明专利]一种单层二硫化钼能谷协调的单极型自旋二极管-CN201911029141.5有效
发明人：翟学超;刘永强;闻睿 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了自旋电子学元器件技术领域的一种单层二硫化钼能谷协调的单极型自旋二极管，旨在解决现有技术中的微电子产业受制于器件功耗增大和制造成本增加，导致其集成度遭遇瓶颈的技术问题。所述自旋二极管包括由掺杂半导体材料与衬底材料融合形成的第一异质结和第二异质结，第一异质结与第二异质结相接触构成PN结，融合形成第一异质结或/和第二异质结的衬底材料为铁磁绝缘体，所述半导体为单层二硫化钼。
一种单层二硫化钼协调单极自旋二极管

[发明专利]一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器-CN200910243741.1无效
发明人：刘新宇;程伟;金智;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管，第一异质结双极型晶体管的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管，其中第二异质结双极型晶体管的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管的集电极是达林顿结构的输出端。
一种利用电阻进行耦合匹配单片低噪声放大器