专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110502178.6有效
  • 刘柏均;陈逸群;蓝浚恺 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-05-08 - 2023-08-29 - H01L27/146
  • 公开了具有图像传感器的半导体器件及其制造方法。该方法包括:在衬底上沉积介电层;在介电层和衬底内形成沟槽;在沟槽内形成外延结构;以及形成具有第一层部分和第二层部分的势垒层。第一层部分形成在沟槽的未被外延结构覆盖的侧壁部分上。该方法还包括:在外延结构上并与势垒层相邻地形成覆盖层;选择性地掺杂外延结构和覆盖层的区域;在掺杂区域上选择性地形成硅化物层;在硅化物层上沉积蚀刻停止层;以及通过蚀刻停止层在硅化物层上形成导电塞。
  • 半导体器件及其制造方法

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