“王冬涵”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面的方法-CN202310804521.1在审
发明人： 王冬涵;王京;蒋中伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面的方法，属于半导体工艺技术。该方法包括：提供表面具有待平坦化膜层的待平坦化晶圆，待平坦化膜层具有不平坦表面；通过第一工艺气体对待平坦化膜层进行第一等离子体刻蚀，以使得不平坦表面平坦化；第一工艺气体的刻蚀气体用于刻蚀待平坦化膜层，并形成固体副产物附着在待平坦化膜层表面，第一工艺气体的轰击气体用于轰击待平坦化膜层表面及附着在待平坦化膜层表面的固体副产物，以使得待平坦化膜层的凸起处及附着在凸起处的固体副产物在溅射作用下部分填充在待平坦化膜层的凹陷处。本技术方案，其可通过等离子体刻蚀工艺对晶圆表面进行平坦化处理，以简化工艺流程、缩短工艺周期和降低工艺成本。
半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面方法

[发明专利]一种氧化硅的刻蚀方法-CN202310583019.2在审
发明人：孙晓亮;王京;王冬涵;于庆涛;张子涵 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化硅的刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底包括氧化硅层，氧化硅层上设有掩膜层；向工艺腔室通入第一刻蚀气体，并向工艺腔室的上电极和下电极分别加载上电极功率信号和下电极功率信号，以对氧化硅层进行刻蚀，在氧化硅层中形成刻蚀沟槽，上电极功率信号和下电极功率信号采用同步脉冲模式。本发明能够简化刻蚀工序并获得深宽比较高的氧化硅形貌结构。
一种氧化刻蚀方法

[实用新型]小型半自动菌液涂布机-CN202121771714.4有效
发明人：董金城;王冬涵;马钰娟;樊佳明;陈嘉润 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C12M1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型半自动菌液涂布机，由动力机构和涂布机构组成。动力机构包括电机、主动轴、主动齿轮、凸轮、从动轴和从动齿轮；涂布机构包括夹持座、复位弹簧、支撑柱、涂布棒和托盘。电机输出扭矩，通过电机轴传递给主动轴，带动凸轮和托盘旋转；在凸轮和复位弹簧的作用下，涂布棒的涂布端在培养皿中作往复直线运动；培养皿的旋转运动和涂布棒涂布端的平移运动共同作用可以模拟人手工涂布操作行为。该小型半自动菌液涂布机体积小巧、重量轻便、操作简单、维护方便，能够适用于实验室现有的无菌操作实验台，可以提高实验效率，降低实验成本。
小型半自动菌液涂布机