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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]静电保护元件以及半导体装置-CN202111092767.8在审
发明人： 东真砂彦;望月麻理惠 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够在不导致占有面积的增大的情况下防止静电破坏的静电保护元件以及半导体装置。本发明包含：第二导电型的高浓度源极区域，沿着第一导电型的半导体基板的表面形成，连接有电源线以及接地线中的一方；第二导电型的低浓度源极区域，具有从半导体基板的表面露出的露出面且与高浓度源极区域相接；第二导电型的高浓度漏极区域，沿着半导体基板的表面形成，连接有电源线以及接地线中的另一方；第二导电型的低浓度漏极区域，具有从半导体基板的表面露出的露出面，与高浓度漏极区域相接，且延伸至距半导体基板的表面的深度比低浓度源极区域深的区域；栅极绝缘膜；栅极电极，形成于栅极绝缘膜上，连接有电源线以及接地线中的一方。
静电保护元件以及半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710722942.4有效
发明人： 东真砂彦 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制面积的增大并使针对ESD的放电能力比以往更强的半导体装置。半导体装置包括第一导电部以及第二导电部，上述第一导电部具有多个部分，上述多个部分分别具有第一导电型且在第一方向上延伸，上述多个部分在与上述第一方向交叉的第二方向上彼此分离地并列设置，上述第二导电部具有岛部，上述岛部设置于上述第一导电部的上述多个部分彼此之间，上述岛部具有与上述第一导电型不同的第二导电型且在上述第一方向上延伸。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010216709.0在审
发明人：田中宏幸;东真砂彦 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可以在抑制正向电流电压特性及正向击穿电流的下降以及元件面积的扩大的同时提高反向击穿耐压的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：利用PN接合的二极管元件，在具有P型或N型的第一导电型的半导体基板(1)的表面，包括具有第一导电型的高浓度第一导电型杂质区域(6)、具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的高浓度第二导电型杂质区域(5)、以及由高浓度第一导电型杂质区域与高浓度第二导电型杂质区域夹着的元件分离区域(2)；以及浮游层(3)，在半导体基板的高浓度第二导电型杂质区域的下方与高浓度第二导电型杂质区域隔开且具有第二导电型。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]源极驱动器以及液晶显示装置-CN201310266028.5在审
发明人： 东真砂彦;中山晃 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种在电源断开过程中不显示余像的简单结构的源极驱动器以及具备该源极驱动器的液晶显示装置。在液晶显示装置的源极驱动器中，在检测到向对输入图像信号进行处理的逻辑处理部的内部逻辑电源的供给被断开时，生成预定电压的代替信号，代替LCD驱动信号将该代替信号供给到液晶面板。
驱动器以及液晶显示装置

[发明专利]保护二极管以及具备该保护二极管的半导体装置-CN201210240762.X在审
发明人：平间厚志;东真砂彦 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种PN结电容小的保护二极管以及具备该保护二极管的半导体装置。保护二极管具备：半导体基板，其具备第1区域、包围该第1区域的第2区域和包围该第2区域的第3区域；第1绝缘层，其设置在该第2区域与该第3区域之间；第1导电型半导体，其设置在该第3区域中；第2导电型半导体，其设置在该第2区域中；以及电容缓和层，其设置在该第1区域中。半导体装置具备：该保护二极管；与该保护二极管连接的第1焊盘；不具有该电容缓和层的构造的保护二极管；和与该不具有该电容缓和层的构造的保护二极管连接的第2焊盘。
保护二极管以及具备半导体装置

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