专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储系统及其操作方法-CN202010801592.2在审
  • 韩吉博;金敬范;洪志满 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-08-11 - 2021-06-18 - G06F3/06
  • 存储系统以及操作存储系统的方法,存储系统包括具有多个存储块的存储装置。存储系统还包括用于控制存储装置以执行数据复制操作的存储控制,数据复制操作将多个存储块之中的选择的存储块中存储的有效数据移动并存储在多个存储块之中的目标块中。存储控制被配置为控制存储装置以通过在选择的存储块中包括的多个页之中优先选择弱页而不是其他页来执行数据复制操作。
  • 存储器系统及其操作方法
  • [发明专利]访问存储的方法及对应电路-CN202110461211.5在审
  • G·博尔戈诺沃;L·雷菲奥伦汀 - 意法半导体股份有限公司
  • 2021-04-27 - 2021-10-29 - G06F13/28
  • 公开了访问存储的方法及对应电路。一种访问存储以读取和/或写入数据的实施例方法包括生成存储事务请求,该存储事务请求包括对于存储中的一组存储位置的存储访问请求的突发,存储位置具有相应存储地址。该方法还包括经由互连总线向耦接到存储存储控制电路发送第一信号和第二信号,第一信号传送存储事务请求,第二信号传送用于将存储访问请求的突发映射到存储中的存储位置的相应存储地址上的信息。该方法还包括:根据由第二信号传送的信息,计算存储地址的相应存储地址,以及访问存储地址以从存储地址读取数据和/或将数据写入存储地址。
  • 访问存储器方法对应电路
  • [发明专利]三维存储器件擦除操作-CN202180000743.7有效
  • 夏仕钰;许锋;靳磊;远杰;谢学准;陈文强 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-03-10 - 2023-02-28 - G11C16/16
  • 本公开的实施方式提供了3D存储器件和用于操作3D存储器件的方法。在示例中,3D存储器件包括多个存储层和在多个存储层之间的虚设存储层,以及NAND存储串,NAND存储串延伸穿过存储层和虚设存储层。NAND存储串包括源极、漏极以及在与多个存储层的交叉处并且在源极与漏极之间的多个存储单元。3D存储器件还包括外围电路,外围电路被配置为擦除多个存储单元。为了擦除多个存储单元,外围电路包括字线驱动电路,字线驱动电路被配置为在虚设存储层上施加正偏置电压。
  • 三维存储器器件擦除操作
  • [发明专利]存储存储操作方法-CN201910067464.7有效
  • 张嘉丽;郑湘筠;柯志霖;杨佳玲;张弘升;李祥邦 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2019-01-24 - 2023-03-31 - G06F11/20
  • 一种存储,其包含第一及第二存储组,第一存储组包含多个第一存储片,该第一存储片包含多个第一存储区块,第二存储组包含多个第二存储片,该第二存储片包含多个第二存储区块。当数据储存于这些第一存储片的第一目标存储片的这些第一存储区块的其中一者时,相应于数据的日志被储存于第一目标存储片的这些第一存储区块的其中另一者、或储存于这些第二存储片的第二目标存储片的这些第二存储区块的其中一者、或储存于这些第一存储片的第三目标存储片的这些第一存储区块的其中一者。
  • 存储器操作方法
  • [发明专利]存储系统、存储控制及其操作方法-CN201810714290.4有效
  • 金镇佑;文贵妍;李澈 - 三星电子株式会社
  • 2018-07-03 - 2023-05-09 - G06F3/06
  • 一种存储系统包括:非易失性存储存储控制,被配置为控制所述非易失性存储,所述存储控制包括:第一缓冲存储,用于临时存储要写入所述非易失性存储的写入数据;和第二缓冲存储,具有比所述第一缓冲存储低的操作速度但高的存储容量所述存储控制被配置为将所述写入数据从所述第一缓冲存储传输到第二缓冲存储和传输到所述非易失性存储,并且在将所述写入数据从所述第一缓冲存储传输到所述第二缓冲存储和传输到所述非易失性存储之后释放所述第一缓冲存储的操作状态在释放所述第一缓冲存储的操作状态之前禁止向所述第一缓冲存储写入额外的写入数据,并且在释放所述第一缓冲存储的操作状态之后允许向所述第一缓冲存储写入额外的写入数据。
  • 存储器系统控制器及其操作方法
  • [发明专利]在具有外部存储的无线终端中处理数据的设备和方法-CN200610057656.2有效
  • 孔圣华 - 三星电子株式会社
  • 2006-02-22 - 2006-12-20 - G06F3/06
  • 一种使用外部存储处理数据的设备。在所述设备中,外部存储电源将电源提供给外部存储。外部存储插入检测检测外部存储的插入/移除,并且当从外部存储电源提供的电源在外部存储的插入状态中被切断后,继续检测外部存储的插入状态。当外部存储正在使用时,第一控制通过控制外部存储电源将电源提供给外部存储,当外部存储未被使用时,通过控制外部存储电源来切断提供给外部存储的电源,通过从外部存储中检测数据来产生数据列表,并处理存储在外部存储中的数据中的正常数据第二控制处理存储在外部存储中的数据中的视频数据。
  • 具有外部存储器无线终端处理数据设备方法
  • [实用新型]以挥发性存储实现的固态存储装置-CN201120205130.0有效
  • 刘淑敏 - 刘淑敏
  • 2011-06-17 - 2012-01-04 - G11C16/06
  • 本实用新型提供一种以挥发性存储实现的固态存储装置,主要包括:第一传输接口、存储控制存储模块及备份存储模块。其中,存储模块由两个以上挥发性存储组成,备份存储模块由两个以上非挥发性存储组成,并且两个以上挥发性存储及两个以上非挥发性存储都通过存储连接插口与存储控制电性连接。存储控制可在断电前,控制存储模块将内部的数据备份存储至备份存储模块,并在需要时,控制存储模块将内部的备份数据回存至备份存储模块。
  • 挥发性存储器实现固态存储装置
  • [发明专利]存储管理设备、系统和方法-CN202010591159.0在审
  • N·乔拉;T·罗伊;A·格罗弗 - 意法半导体国际有限公司
  • 2020-06-24 - 2020-12-25 - G11C29/44
  • 本公开的实施例涉及存储管理设备、系统和方法。一种存储管理电路存储指示存储阵列的区域的可靠性类型的信息。存储管理电路装置通过确定与用于分配存储的请求相关联的请求类型对用于将存储阵列中的存储分配给进程的请求做出响应。存储阵列的存储基于与用于分配存储的请求相关联的请求类型和指示存储阵列的区域的可靠性类型的所存储的信息而被分配给进程。存储阵列可以是共享存储阵列。存储阵列可以被组织为行和列,并且存储阵列的区域可以是存储阵列的行。
  • 存储器管理设备系统方法
  • [发明专利]存储映射处理方法、装置及FPGA芯片-CN202110414517.5在审
  • 王宁;孙杰;杜金凤;王兴刚 - 山东高云半导体科技有限公司
  • 2021-04-16 - 2021-06-11 - G06F15/78
  • 本发明提供了一种存储映射处理方法、装置及FPGA芯片。该存储映射处理方法中,获取存储集合,其中,存储集合中包括的存储由预定电路映射得到;检测存储集合的存储空间是否超过芯片存储存储空间;在检测到存储集合的存储空间超过芯片存储存储空间的情况下,从存储集合中拆分出存储,直到拆分剩下的存储集合的存储空间不超过芯片存储存储空间。当设计中存储集合资源超出芯片中对应该存储集合的指定资源时,通过将超出的部分存储拆出,使得综合后的用户设计资源不超出芯片中指定的资源,从而使用户设计在后续步骤都可以正常通过,上述拆分出的存储可以使用其他资源来表示
  • 存储器映射处理方法装置fpga芯片
  • [发明专利]用于自测和修复存储模块的系统和方法-CN03824359.8无效
  • 约瑟夫·M·杰迪洛 - 米克伦技术公司
  • 2003-08-05 - 2005-11-30 - G11C7/00
  • 用于测试和修复位于存储模块上存储设备的损坏的存储部分的计算机系统和方法。该计算机系统包括耦合至多个存储模块的存储集线器控制,每个存储模块均包括存储集线器和多个存储设备。该存储集线器包括自测模块,用于确定存储设备的损坏的存储单元的位置。所述存储集线器中还包括修复模块,该修复模块使用损坏的存储部分的位置来创建重映射表。该重映射表把对存储设备的损坏单元的访问重定向至未损坏存储单元。每当该存储集线器接收来自于存储访问设备的存储请求时,该存储集线器就检查被定向访问的存储单元,并且必要时,把存储访问重定向至未损坏单元。
  • 用于自测修复存储模块系统方法

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