“多晶棒”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果375812个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多次加料直拉单晶生产方法、取料装置-CN202111594709.5在审
发明人：陈红荣;张华利;赵玉兵;汪晨 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：所述多次加料直拉单晶生产方法包括步骤：在连续进行多根单晶棒的拉制之后，将坩埚中的剩余埚底料部分或者全部取出；向所述坩埚中重新加入多晶硅料；所述多晶硅料熔化后，进行下一根单晶棒的拉制。上述多次加料直拉单晶生产方法在连续进行多根单晶棒的拉制之后，将坩埚中的剩余埚底料部分或者全部取出，如此，将金属杂质和碳杂质含量高的多晶硅料取出，更换新的多晶硅料，再进行下一根单晶棒的拉制，能够避免由于连续多次拉制后多晶硅料中杂质富集而导致少子寿命逐根下降
多次加料直拉单晶生产方法装置

[发明专利]多晶硅生长过程监测系统、方法及多晶硅生产系统-CN202111011498.8有效
发明人：杨明财;王生红;曹玲玲;鲍守珍;宗冰 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅生长过程监测系统、方法及多晶硅生产系统，属于多晶硅生产领域。上述监测系统用于监测还原炉中多晶硅的生长状况，其包括监测模块、分析模块及输出模块；其中，监测模块用于实时监测还原炉内的物料流量及硅棒温度；分析模块用于接收监测模块的监测数据并进行计算，计算后通过输出模块进行输出通过此系统，能够实时掌握还原炉内的硅棒生长情况；通过对温度、硅棒直径的监测可以判断物料配比和流量是否是最优值；通过杂质浓度监测，测得多晶硅中杂质的浓度变化，而且减少或代替硅棒中杂质的监测，避免了套料和拉晶制样过程
多晶生长过程监测系统方法生产

[发明专利]一种多晶硅破碎台-CN201711426744.X在审
发明人：何振贤 -专利权人：登封市绿奥农林科技有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： B02C23/00 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅制备领域，尤其涉及一种多晶硅破碎台，包括与支腿连接的台板，所述台板顶部设有三侧围板和一侧铰接门，铰接门沿台板宽度方向设置，三侧围板与铰接门之间的台板上用于放置紧密排列的多晶硅棒，台板上设有漏料孔，漏料孔位于多晶硅棒的间隙处，台板底部设有卸料装置，卸料装置与台板转动连接。本发明结构简单，设计合理，能够提高多晶硅棒的破碎合格率，同时便于对破碎后的多晶硅碎块卸料，提高生产效率。
一种多晶破碎

[发明专利]一种多晶硅还原炉-CN201810756769.4在审
发明人：侯彦青;方文宝;李亚广;杜鹏;余创;王春龙 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉，采用新颖的直流‑交流混合加热方式，当硅棒直径小于14cm时，采用直流电加热；当硅棒直径大于14cm时，改为交流电加热。本发明解决了传统加热方式下因硅棒中心温度过高而发生的熔硅、因热应力的作用而产生的倒棒问题，从而提升还原炉运行的可靠性，增强多晶硅生产的稳定性，提高多晶硅的生产效率。并且应用交流电加热的趋肤效应，可增大硅棒的最大沉积半径，从而增大多晶硅的单炉产量，降低单位能耗，达到降低能耗、减少生产成本的目的。
硅棒加热多晶硅还原炉多晶硅交流电传统加热方式直流电多晶硅生产应用交流电单位能耗混合加热趋肤效应生产效率温度过高还原炉热应力单炉倒棒熔硅沉积生产成本交流

[发明专利]多晶硅生产工艺-CN201610092668.2有效
发明人：齐林喜;郭金强 -专利权人：巴彦淖尔聚光硅业有限公司
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：一种多晶硅生产工艺，包括如下步骤：硅棒初步生长步骤：在还原炉里通入氢气和二氯二氢硅，在硅芯表面生成多晶硅使硅棒生长到预定尺寸；硅棒完整生长步骤：通入三氯氢硅、二氯二氢硅和氢气的混合气体，完成硅棒生长；开炉步骤:待硅棒生长完成后，打开还原炉，取出硅棒。本发明的多晶硅生产工艺，采用两段生长的方式，开始采用二氯二氢硅和氢气反应的方式，比常规氢气还原三氯氢硅的方式生长速度快，一般倒棒的事故多发生在晶棒生长的前期，这就减少倒棒发生的可能，本发明的多晶硅生产工艺，能够减少倒棒率，降低生产成本。硅棒完整生长阶段，加入有部分二氯二氢硅，可以有效地增加硅的生成率，提高原料的转化效率10%到15%。
多晶生产工艺

[实用新型]一种用于西门子法生产多晶硅的还原电极棒-CN201120384046.X有效
发明人：邱健源;王勃;黄兰香 -专利权人：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于西门子法生产多晶硅的还原电极棒，涉及西门子法生产多晶硅领域，包括电极棒本体，还包括设于电极棒本体表面的防氧化镀层。本实用新型是一种可防止还原生产用电极棒的接触表面铜氧化的电极棒。
一种用于西门子生产多晶还原电极

[发明专利]一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法-CN202011154191.9在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片本发明使小、大籽晶块接缝处形成功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，能够显著改善铸造单晶硅片的位错缺陷及多晶占比，从而改善铸造单晶硅片质量。
一种减少缺陷多晶铸造制备方法

[发明专利]一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法-CN202011363122.9在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片本发明小籽晶块与大籽晶块接缝处形成的功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，降低多晶占比，将大籽晶块设计成长条形，减少籽晶接缝，减少了硅片的位错缺陷。
一种减少缺陷多晶铸造制备方法

[发明专利]多晶硅热处理装置以及利用其对多晶硅热处理的方法-CN202310133856.5在审
发明人：闫家强;张天雨;吴鹏;田新 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了晶硅热处理装置以及利用其对多晶硅热处理的方法。该装置包括：多晶硅放置架包括第一底座、主体骨架和套环，主体骨架固定在第一底座的上，主体骨架具有沿第一方向延伸的固定架和隔板，隔板上具有至少一个穿孔，多晶硅棒穿设在穿孔中；套环在多个隔板的中间穿设，套环的一端勾设在第一底座上；加热炉具有加热空间，多晶硅棒放置架放置在加热空间内，炉壁设置在第二底座上，炉壁上具有进气口和出气口，加热管设置在所述炉壁上，冷冻水盘管设置在炉壁上，其具有进水口和出水口，封盖用于密封加热空间。利用上述装置对多晶硅热处理，之后再对多晶硅棒进行快速降温，后续通过敲击、挤压破碎手段处理多晶硅棒时，产生粉料会很少。
多晶热处理装置以及利用方法

[实用新型]多晶硅棒包装装置-CN201721471427.5有效
发明人：方仕林;方红承;隋宝勋;鲁瑞尧;张金宝;张龙 -专利权人：新疆合晶能源科技有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： B65D77/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅棒包装装置，包括塑料袋和包装箱，每个所述塑料袋内均放置一个多晶硅棒，多个塑料袋平行放置在包装箱内，所述塑料袋的内壁设置多个弹性凸起，所述塑料袋的内壁通过弹性凸起将放置在塑料袋内的多晶硅棒固定在塑料袋内以实现避免浪费多晶硅的优点。
塑料袋多晶硅棒包装装置弹性凸起气囊内壁包装箱内壁本实用新型包装箱平行放置多晶硅

[实用新型]硅棒直径检测装置及48对棒还原炉-CN201720826233.6有效
发明人：王生红;唐国强;屈武;李超军;邓华;蔡延国;宗冰 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，解决现有技术中的炉内硅棒直径增长采用人工估计存在偏差，对沉积效率的优化带来困难的问题，提供一种硅棒直径检测装置及48对棒还原炉。本实用新型提供的硅棒直径检测结构，距离传感器用于检测距离传感器与多晶硅棒外周面的距离，控制装置根据距离传感器获取的距离多晶硅外周面的多次距离，计算出多晶硅的直径，并将该数据传递给显示装置，显示装置实时显示还原炉内硅棒直径的变化情况由于48对棒还原炉包括上述的硅棒直径检测结构，因此也具有准确控制原料气以及电流加入量，进而使物料、电流匹配达到最佳效果，优化沉积效率的有益效果。
直径检测装置 48 还原

[发明专利]用于生产硅细棒的系统和方法-CN201280043217.X有效
发明人：杰拉尔德·伍顿;史蒂芬·范·鲁克 -专利权人： ATS自动化加工系统公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备多晶硅细棒的方法和系统，该方法和系统包括：将多晶硅片放置在夹具上；向该多晶硅片施加预定的激光束或磨蚀射流；以及将多晶硅细棒与多晶硅片分离。也可以存在所使用的切割和裂解的各种组合，以便将细棒与多晶硅片分离。例如，激光切割可以被划线和/或局部切割，并且分离可以通过裂解剩余的硅实现。在该情况下，裂解可例如通过机械弯曲或激光裂解实现。
用于生产硅细棒系统方法

[发明专利]多晶硅的包装方法、多晶硅的双重包装方法及单晶硅用原料制造方法-CN201980026289.5有效
发明人：野田圣奈 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B65B51/10 文献下载
摘要：一种减少表面有机杂质、尤其是表面碳杂质的污染的多晶硅的包装方法，其中，在包装袋中填充多晶硅之后，用夹持棒夹持比填充所述多晶硅而成的填充部更靠近包装袋的开口部侧且比用于熔接密封包装袋的熔接密封预定部更靠近填充部侧的部位，以免气体流入填充部，且在由该夹持棒夹持的状态下，通过密封棒夹持熔接密封预定部而进行熔接，在熔接之后拆卸夹持棒。
多晶包装方法双重单晶硅原料制造

[发明专利]一种多晶硅的制备方法-CN201811075034.1在审
发明人：冉祎;余涛;王琴;何鹏;李寿琴 -专利权人：四川永祥多晶硅有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅的制备方法，包括：将二氯二氢硅气体、三氯氢硅气体和氢气混合，得到混合料；将混合料送入还原炉，第三混合料进行气相化学沉淀反应，在硅芯表面生成多晶硅，得到硅棒；所述制备方法使生成的多晶硅生长于硅棒或硅芯上，提高收率，缩短硅棒的整个生长周期；同时，降低电耗，节约成本。
多晶硅混合料硅棒制备化学沉淀反应三氯氢硅气体多晶硅生长二氯二氢硅电耗硅芯表面生长周期氢气还原炉硅芯收率送入节约

[实用新型]一种棒状多晶硅料破碎分离装置-CN202221555651.3有效
发明人：丁华伟;马世刚;王苏俊;季建波;马红鸣;任杰;任娟 -专利权人：新疆协鑫新能源材料科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B02C23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种棒状多晶硅料破碎分离装置，包括破碎台组件，用于破碎棒状多晶硅，并分离出块状多晶硅和多晶硅颗粒；震动筛组件，与破碎台组件连接，用于将破碎台组件破碎过程中分离出的多晶硅颗粒进行筛分，分离得到不同粒径的多晶硅颗粒该装置可以生产一体式、多规格、无污染、高纯度多晶硅料，将棒状多晶硅截断放置破碎台面上，作业人员使用破碎锤进行破碎，破碎后φ10mm以上硅料正常装袋，0‑10mm硅粒料通过圆振筛设备后进行振动筛分，按照不同规格的筛网进行分类出料
一种多晶破碎分离装置

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条