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[发明专利]多晶硅CVD炉蜂窝底盘-CN201110201587.9无效
发明人：茅陆荣;程佳彪;黄小华;张华芹;李严州;吴海龙 -专利权人：上海森松新能源设备有限公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅CVD炉蜂窝底盘，底盘内设有至少一个单元蜂窝，所述单元蜂窝上设有电极棒孔和进气孔。本发明的多晶硅CVD炉蜂窝底盘能保证混合气在电极棒之间辐射均匀，降低多晶硅CVD炉加热功率，降低生产能耗，保证多晶硅CVD炉内流场均匀，提高生产效率和多晶硅产品质量，同时降低多晶硅生产成本。
多晶 cvd 蜂窝底盘

[发明专利]提高单晶氧化锌纳米棒表面增强拉曼散射信号的方法-CN201410360550.4有效
发明人：佘广为;金亮亮;师文生 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C30B7/12 文献下载
摘要：本发明涉及提高单晶氧化锌纳米棒表面增强拉曼散射信号的方法。本发明是通过在单晶ZnO纳米棒阵列上制备出一层多晶ZnO纳米颗粒薄膜，形成单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列；以此单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列作为表面增强拉曼散射基底本发明中的核/壳结构的纳米棒阵列的制备方法简单、条件温和并且时间短；与单晶ZnO纳米棒阵列相比，在对目标分子4-巯基吡啶进行拉曼散射信号的检测时，所述单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列上可以检测到更强的目标分子
提高氧化锌纳米表面增强散射信号方法

[实用新型]底座和多晶开方机构-CN202022193078.3有效
发明人：欧子杨;白枭龙;尚伟泽;金浩 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅晶切割领域，公开了一种底座和多晶开方机构。底座设置于多晶开方机上，包含：可旋转装置，带动单晶圆棒绕单晶圆棒的轴线旋转，单晶圆棒上具有多根平行于单晶圆棒轴线的棱线；检测装置，用于检测单晶圆棒的棱线；主控系统，与可旋转装置和检测装置通讯连接，用于在检测装置检测到棱线后当检测装置检测到单晶圆棒的棱线时，可旋转装置即可带动单晶圆棒进行旋转，使得切割单晶圆棒的钢线与单晶圆棒的棱线之间存在预设夹角，钢线从该预设夹角切割后，即可获得理想的最终产物。因此，通过本发明中的底座与多晶开方机的配合，即可使得多晶开方机也能够切割单晶圆棒。
底座多晶开方机构

[发明专利]多晶硅料复投方法-CN201410012263.4有效
发明人：乔松;尹东坡;司佳勇;郭凯 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅料复投方法。该多晶硅料复投方法包括：步骤S1：在拉制单晶硅棒的坩埚内的熔硅表面结晶形成托盘；步骤S2：向坩埚内投放多晶硅料，并使多晶硅料位于托盘上；步骤S3：在投放的多晶硅料达到预定量之后，保持预定时间，然后将托盘和托盘上的多晶硅料完全熔化在坩埚内以拉制单晶硅棒根据本发明，能够将多晶硅料携带的气体蒸发掉，防止气体在多晶硅料熔化过程中膨胀而使得熔硅飞溅，从而避免熔硅飞溅对拉制单晶硅棒的装置造成损害，降低了企业的生产成本。
多晶硅料复投方法

[发明专利]多晶硅块及多晶硅块的制造方法-CN201080041462.8有效
发明人：祢津茂义;冈田淳一;久米史高 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供导致单晶硅的质量降低的重金属杂质铬、铁、镍、铜、钴的总含量低的洁净的高纯度多晶硅块。在利用西门子法得到的多晶硅棒的电极侧端附近，铬、铁、镍、铜、钴的总浓度高。因此，在多晶硅棒(100)的破碎工序之前，设置将取出到反应炉外的多晶硅棒(100)的距电极侧端至少70mm以内的多晶硅部分除去的截切工序。由此，能够将块体中铬、铁、镍、铜、钴的总浓度为150ppta以上的多晶硅部分除去。为了得到杂质浓度更低的多晶硅块，只要将距电极侧端至少155mm以内的多晶硅部分除去即可。
多晶制造方法

[发明专利]多晶硅棒的表面温度的计算方法和控制方法、多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒以及多晶硅块-CN201580032684.6在审
发明人：宫尾秀一;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：然后，基于计算出的多晶硅棒的表面温度和该多晶硅棒的析出时的供给电流和施加电压的数据，对新制造多晶硅棒时的供给电流和施加电压进行控制，从而控制析出工艺中的表面温度。通过使用这样的温度控制方法，对析出工艺中的多晶硅棒的中心温度Tc与表面温度Ts之差ΔT(＝Tc‑Ts)进行控制，从而也可以控制多晶硅棒中的残余应力值。
多晶表面温度计算方法控制方法制造以及

[发明专利]一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途-CN202110348420.9在审
发明人：侯彦青;王品杰;袁兴平;赵丹;赵璐;马文会;谢刚;尤祥;官鹏;杨青宏 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途，硅棒排布呈圆环状排布，圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离为R；每一圆环形成的几何图形在底盘呈正n边形分布；圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离R可以表示为与硅棒形成的正多边形相关的几何参数的代数式。本发明的布棒方式在相同数目的情况下排列更紧密，硅棒布置符合工艺参数的要求，且应用该排布方式时降低还原炉造价成本，降低生产能耗，达到减少生产成本的目的；能够在不改变还原炉内硅棒数的基础上，减小多晶硅还原炉的直径，并降低生产电耗，降低设备制造成本和多晶硅生产成本。
一种多晶还原炉布棒方法环状用途

[发明专利]一种颗粒硅籽晶制备系统及方法-CN201710858756.3有效
发明人：张宝顺;王生红;鲍守珍;蔡延国;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明提供的颗粒硅籽晶制备系统，多晶硅棒经破碎装置破碎后，得到多晶硅块料，多晶硅块料经熔融装置加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经分散装置分散为多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固。液滴在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。在本发明中采用激光器对多晶硅棒或多晶硅块进行破损，在破碎过程中没有引入其它物质，实现无接触式激光破碎，提高多晶硅棒或多晶硅块的纯度，且可得到高球度的多晶硅颗粒。
多晶硅多晶硅块颗粒硅籽晶多晶硅棒制备系统液滴球形液滴熔融制备破碎表面张力作用制备技术领域多晶硅颗粒分散装置激光破碎冷却凝固破碎装置熔融装置熔融状态无接触式物料损失激光器高球形硅粉尘硅籽晶晶体硅中颗粒球度加热破损引入

[发明专利]一种多晶硅样芯的制备方法-CN201610488354.4在审
发明人：孙绍武;刘六珠 -专利权人：江西赛维LDK光伏硅科技有限公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅样芯的制备方法，包括以下步骤：(1)取多晶硅样棒，选择其表面无裂纹横穿或裂纹较少点作为套料下刀处，设定套料刀行程来套取样芯，其中，控制所述套料刀运行至接近所述硅样棒的底部时停止进刀，退刀，获得表面固定有样芯的硅样棒；(2)横截与样芯接触的硅样棒的底部，得到多晶硅样芯。所述多晶硅样芯的制备方法，成功率较高，扩大了套取样芯的原料选取范围。
一种多晶硅样芯制备方法

[发明专利]用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅及其制备方法-CN202310372942.1在审
发明人：张天雨;田新;蒋文武;吴鹏 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于直拉单晶复投的小尺寸电子多晶硅及其制备方法。该方法包括：(1)将多晶硅棒加热至800℃～900℃，并保温不小于4h；(2)采用气冷法将保温后的多晶硅棒冷却至150℃～200℃，冷却速率为10℃/min～30℃/min；(3)采用水冷法将步骤(2)得到的多晶硅棒进行冷却破碎，得到小尺寸多晶硅，其中，步骤(1)～(3)均在惰性气氛下进行。该方法不仅工艺简单，适合大批量生产，而且有利于降低小尺寸电子多晶硅表面裂纹数量和杂质含量，同时提高硅料收率。
用于直拉单晶复投尺寸电子多晶及其制备方法

[发明专利]多晶硅反应炉和多晶硅的制备方法-CN200810215096.8有效
发明人：远藤俊秀;石井敏由记;坂口昌晃;畠山直纪 -专利权人：三菱麻铁里亚尔株式会社
申请日： 2008-09-18 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅反应炉和多晶硅的制备方法。该多晶硅反应炉是将设于炉内的硅芯棒进行通电加热，使供给炉内的原料气体反应，在上述硅芯棒表面生成多晶硅的多晶硅反应炉，该多晶硅反应炉具备设于炉底的原料气体供给口、和以连通状态安装在上述原料气体供给口上并向上方延伸的原料气体供给喷嘴，以保持上述硅芯棒的电极的上端为基准，该原料气体供给喷嘴的上端设定为-10cm至+5cm范围的高度。
多晶反应炉制备方法

[实用新型]一种数控多晶硅端面磨床-CN202122157198.2有效
发明人：王德志;高尚谦 -专利权人：山东双辉机电设备有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B24B7/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅加工技术领域，且公开了一种数控多晶硅端面磨床，包括底座、固定机构和固定座，所述固定座固定安装于底座的上表面，所述固定机构设置于固定座的上方，所述固定机构包括固定架、压板，所述压板设置于固定架的内部该一种数控多晶硅端面磨床，通过在固定机构中设置多个硅棒放置限位槽，将硅棒放置到第二限位槽中，转动手轮带动螺纹杆进行转动，使压板沿着滑槽向下移动，使其压板底部的第一限位槽下压到硅棒表面进行对硅棒固定，启动驱动电机和液压伸缩缸，其液压伸缩缸推动固定架向有移动，使硅棒的端面被打磨盘进行打磨，结构简单，便于批量对多晶硅硅棒进行打磨，提高了多晶硅的打磨效率。
一种数控多晶端面磨床

[发明专利]多晶硅的制造方法及多晶硅制造用反应炉-CN201080056264.9无效
发明人：斋藤金次郎;沟口隆;宗像浩 -专利权人：克斯莫石油株式会社
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C01B33/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅的制造方法，其特征在于，其是使四氯化硅与锌反应而生成多晶硅的制造方法，在反应炉内设置多个析出棒，从该反应炉的上部供给四氯化硅蒸气和锌蒸气，使得四氯化硅蒸气从相对于各析出棒的中心侧供给且锌蒸气从相对于各析出棒的侧壁侧供给，将排气从该反应炉的下部排出，在该反应炉内进行四氯化硅蒸气与锌蒸气的反应，并且使生成的多晶硅析出到该析出棒上。根据本发明，可以提供在设置多个析出棒时可以使多晶硅均等地析出到所有析出棒上的利用锌还原法的多晶硅的制造方法以及反应炉。
多晶制造方法反应炉

[发明专利]多晶硅棒和单晶硅的制造方法-CN201810915033.7在审
发明人：宫尾秀一;石田昌彦;星野成大;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅棒和单晶硅的制造方法。本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅。本发明的多晶硅棒是在0.3MPaG以上的压力下通过化学气相法培育出的多晶硅棒，其中，在使从该多晶硅棒的任意的部位选取的板状试样从低于硅的熔点的温度升温至超过硅的熔点的温度的同时进行显微镜观察时，在略低于熔点的温度下
多晶硅棒熔点单晶硅结晶区域制造化学气相法显微镜观察板状试样结晶粒子针状结晶多晶硅质地集合观察培育

[发明专利]一种单晶炉二次加料方法-CN201210574829.3无效
发明人：李留臣;冯金生 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉二次加料方法，当完成第一根硅单晶棒生长后，在主炉室中的坩埚内剩余一部分多晶硅熔液，将第一根硅单晶棒提拉至副炉室中后，关闭隔离阀，通过提升机构将副炉室提升后旋转开，取出第一根硅单晶棒，而后通过机械抓手将棒状多晶硅原料吊挂在钢丝软轴上，再将副炉室旋转安放至主炉室顶部，打开隔离阀，通过籽晶升降机构下放钢丝软轴，钢丝软轴下端的机械抓手将棒状多晶硅原料缓慢地送入坩埚中，启动加热系统使棒状多晶硅原料熔化，顺利地将多晶硅原料加入坩埚中，实现二次加料，以满足第二根硅单晶棒的生长。
一种单晶炉二次加料方法