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[发明专利]有机硅光扩散粒子的制备方法及其应用-CN201310185112.4有效
发明人：姜文 -专利权人：涌奇材料技术（上海）有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C09D183/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机硅光扩散粒子的制备方法及其应用，本发明所述有机硅光扩散粒子的制备方法，包括下列步骤：无极性基团的硅烷在酸性水中水解，再在碱性水中缩合成有机硅树脂球型粒子后，在烘干过程中用带有极性基团的硅烷作表面处理，使带有极性基团的硅烷中的烷氧基与有机硅树脂球型粒子表面残留的硅羟基发生反应，脱除醇类，形成共价键，从而提高有机硅树脂球型粒子表面极性。本发明所制备的有机硅光扩散粒子，适于作涂布式光扩散膜，与PMMA基光扩散粒子相比光学效率更高，且适于作涂布式光扩散膜，还可避免由于光扩散粒子聚集造成的缺陷，同时与固化后胶水的结合牢固。
有机硅扩散粒子制备方法及其应用

[发明专利]一种无串扰瞬时提高基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器响应度的方法-CN201811542332.7有效
发明人：余辉;张强;傅志磊;王肖飞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种无串扰瞬时提高基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器响应度的方法。该方法基于对载流子耗尽型硅光功率监测器在微秒级时间范围内加热，短时间内使更多在缺陷态能级上的电子热激发到导带，增大光生载流子的数量，瞬时提高光功率监测器的响应度，并且利用DSP外围电路实时采集光功率监测器的输出电流在下文中，使用“硅光功率监测器”代表“基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器”。
一种无串扰瞬时提高基于缺陷机制载流子耗尽型硅光功率监测器响应方法

[发明专利]基于一维光栅的背入射硅光电探测器及制备方法-CN202010663535.2在审
发明人：侯均杰;赵润;尹顺政 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于一维光栅的背入射硅光电探测器及制备方法，属于光探测器技术领域，包括硅衬底，硅衬底的正面设有P型欧姆接触层、一维光栅层、钝化膜层、反射膜层、保护环和P型欧姆接触电极；硅衬底的背面设有N型欧姆接触层、增透膜层和N型欧姆接触电极；P型欧姆接触层与N型欧姆接触层对称设置在硅衬底的正面和背面。本发明提供的基于一维光栅的背入射硅光电探测器，引入一维光栅结构，采用垂直背入射的方式，光在光栅的作用下得到有效的衍射，大部分光不以垂直方向反射，而是在一定衍射角的情况下进行反射，可有效增加光在Si‑PIN中的光程，增加Si‑PIN对长波长光的吸收，提高长波长光条件下Si‑PIN的响应度。
基于光栅入射光电探测器制备方法

[发明专利]一种具有局域非晶硅/晶体硅异质结特性的双面太阳电池结构-CN201810198904.8在审
发明人：袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种具有局域非晶硅/晶体硅异质结特性的双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由重掺杂p型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线II构成。本发明保持了双面进光特性，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，提高了太阳电池的发电能力。
重掺杂钝化双面太阳电池本征非晶硅导电区域减反射层金属栅线背电场钝化层非晶硅光区域晶体硅异质结载流子透明导电氧化物串联电阻短路电流发电能力发射极面晶体硅层开路电压场钝化发射极光特性基底传输

[发明专利]调频光源及固态调频连续波激光雷达-CN202111453997.2在审
发明人：朱瑞;汪敬 -专利权人：深圳市速腾聚创科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01S7/4911 文献下载
摘要：调频光源包括激光光源以及硅光芯片，硅光芯片包括依次层叠设置的硅衬底、埋氧层、硅波导和覆盖层，硅波导包括P型掺杂区、N型掺杂区、形成于N型掺杂区上的第一电极，以及形成于P型掺杂区上的第二电极，激光光源集成于覆盖层上，通过调节加载至第一电极和第二电极之间的电压大小，能够实现硅波导折射率的调节并由此实现对激光束的调频带宽的调节。固态调频连续波激光雷达，包括上述调频光源，以及形成于硅光芯片上的光束控制组件和硅基相干接收器。本发明提供的调频光源及固态调频连续波激光雷达，可有效提高调频光源发出的激光束的调频带宽。
调频光源固态连续激光雷达

[实用新型]光伏电池结构-CN202021666973.6有效
发明人：葛学斌;吴守庆;冯成坤 -专利权人：上海先韦能源科技有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型发明公开了光伏电池技术领域一种光伏电池结构。包括硅基体，其特征在于：所述硅基体的上表面为受光面，受光面为透明电极层；硅基体的反面自上而下依次包括本征硅薄膜、功能层、光学层和电极，所述功能层为高透光率的半导体层，由p型掺杂层、i型层和n型掺杂层三层组成实用新型发明具有提高透光率、减少光伏电池的光学损失、提高电池的Isc和提高电池的光电转化效率的效果。
电池结构

[实用新型]一种边框型非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件-CN201320556134.2有效
发明人：谭林;郭卫林;严兴菊 -专利权人：成都旭双太阳能科技有限公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型涉公开了一种边框型非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件。一种边框型非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件，包括由粘贴有非晶硅薄膜的TCO玻璃、EVA层和PET背板依次粘接而成的夹层组件；所述夹层组件四周边缘通过铝边框封装固定，该夹层组件端部设置有接线盒，接线盒与TCO本实用新型的边框型非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件，为一种不透光型单玻光伏组件，结构简单，生产成本低，采用铝合金边框和铝合金条封装固定，抗冲击性更好。
一种边框型非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件

[实用新型]P型单晶硅电池-CN202021667006.1有效
发明人：葛学斌;吴守庆;冯成坤 -专利权人：上海先韦能源科技有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型发明公开了光伏电池技术领域的一种P型单晶硅电池。包括P型单晶硅片，其特征在于：所述P型单晶硅片的表面形成纳米绒面结构，在P型单晶硅片的正面形成发射极，P型单晶硅片的背面依次设置本征非晶硅层、P型非晶硅层、透明导电层和电极，所述P型单晶硅片进行甲基化处理，P型单晶硅片的上下表面形成Si‑CH3键；P型非晶硅层上沉积透明导电层，透明导电层上沉积电极。本实用新型发明具有提高P型单晶硅光伏电池的光电转换效率和电池的稳定性等优点。
单晶硅电池

[实用新型]一种非晶硅薄膜太阳能蜂窝型光伏组件-CN201320556108.X有效
发明人：郭卫林;谭林;严兴菊 -专利权人：成都旭双太阳能科技有限公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非晶硅薄膜太阳能蜂窝型光伏组件。包括依次层叠的TCO玻璃、非晶硅薄膜、PVB层、普通玻璃、第一EVA层、蜂窝板、第二EVA层、钢化玻璃组成的夹层装置，以及粘接于夹层装置端部的笔型接线盒。所述的笔型接线盒与TCO玻璃上的电路相连接。本实用新型的非晶硅薄膜太阳能蜂窝型光伏组件，采用非晶硅薄膜作为太阳能电池，能源转换效率高，成本低廉；蜂窝型结构的蜂窝板作为内芯，结构强度好，隔音效果好，有效的提高了光伏组件的抗冲击性。
一种非晶硅薄膜太阳能蜂窝型光伏组件

[发明专利]一种高速硅光调制器相移臂及其制备方法-CN202111429663.1有效
发明人：余胜;曹权 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;武汉飞思灵微电子技术有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明涉及光通信领域，提供了一种高速硅光调制器相移臂及其制备方法，高速硅光调制器相移臂包括：脊型波导；P型掺杂区和N型掺杂区分别位于所述脊型波导的两侧；P型掺杂区包括P型重掺区和P型轻掺区；所述P型重掺区位于所述脊型波导的边界区域，所述P型轻掺区位于所述脊型波导的核心区域；N型掺杂区包括N型重掺区和N型轻掺区；所述N型重掺区位于所述脊型波导的边界区域，所述N型轻掺区位于所述脊型波导的核心区域；本发明通过在脊型波导内光场相对较弱的边界区域进行较高浓度的离子掺杂，在脊型波导内光场相对较强的核心区域进行较低浓度的离子掺杂，使得在提高硅光调制器带宽的同时，不会引起光学损耗较大幅度的增加。
一种高速调制器相移及其制备方法

[发明专利]一种硅光伏电池及其制备方法-CN201810002365.6有效
发明人：张军 -专利权人：广东珠海香洲高景太阳能技术有限公司;广东金湾高景太阳能科技有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅光伏电池及其制备方法，所述硅光伏电池的制备方法包括：n型硅片表面硅纳米线阵列的制备；将含有绝缘纳米颗粒和Spiro‑OMeTAD的氯苯溶液通过旋涂法旋涂于n型硅片上，并进行退火处理；接着将PEDOT:PSS溶液旋涂于n型硅片上，并进行退火处理，正面电极的制备；n型硅片背面8‑羟基喹啉‑锂/氟化锂复合界面层的制备；背面铝电极的制备。通过旋涂含有绝缘纳米颗粒和Spiro‑OMeTAD的氯苯溶液，在形成Spiro‑OMeTAD层的同时，绝缘纳米颗粒将沉积于n型硅片表面，有效减少n型硅片表面的缺陷态，降低硅光伏电池的表面复合速率，进而提高太阳能电池的光电转换效率
一种硅光伏电池及其制备方法

[实用新型]光伏光热太阳能采集及集水装置-CN201620105624.4有效
发明人：徐超;王昌;闫洪波;谷东;张浩;胡文栋;常明泽;张海威 -专利权人：徐超;王昌;闫洪波
申请日： 2016-01-24 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H02S40/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了光伏光热太阳能采集及集水装置，包括槽行架、支撑轴、槽型抛物面聚光集热器、H薄膜型非晶硅光伏太阳能电池组、集热管支架、集水槽、原动机、整体支架、蒸汽管、基板、雨水挡板；其特征是所述槽行架为圆弧凹面型，槽行架的上表面为将光照聚光到槽型抛物面聚光集热器上的聚光镜，且槽行架的内腔中为条状的蒸汽管；所述H薄膜型非晶硅光伏太阳能电池组贴附在槽行架的上表面的聚光镜上面，H薄膜型非晶硅光伏太阳能电池组为透明的，且是以单块的H薄膜型非晶硅光伏太阳能电池组成；所述槽型抛物面聚光集热器通过集热管支架固定在槽行架的凹面上方；本实用新型结构新颖，实用性强。
光热太阳能采集集水装置

[发明专利]一种叠层电池的中间串联层、叠层电池及光伏组件-CN202010850733.X有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供了一种叠层电池的中间串联层、叠层电池及光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。其中，中间串联层为隧穿结结构，包括重掺杂n型硅层、重掺杂p型硅层、以及位于所述重掺杂n型硅层与所述重掺杂p型硅层之间的透明导电层。由于透明氧化层的高导电率以及载流子交换能力，提升了载流子交换速率，从而提升电池的转换效率，降低光电损耗，且透明氧化层与重掺杂n型硅层和重掺杂p型硅层均具有良好的接触特性，不要求界面的高缺陷态密度处理，降低了制备工艺要求；另外，由于重掺杂n型硅层、重掺杂p型硅层的横向导电率差，降低了载流子通过顶电池漏电点的几率，减少了顶电池被短路的风险，便于太阳能电池的大面积制备，提高了电池成品的良率。
一种电池中间串联组件

[发明专利]一种局域非晶硅发射极晶体硅背场的双面太阳电池结构-CN201810198895.2在审
发明人：黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种局域非晶硅发射极晶体硅背场的双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由重掺杂n型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线II构成。本发明保持了双面进光特性，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，提高了晶体硅太阳电池的发电能力。
重掺杂钝化发射极双面太阳电池本征非晶硅导电区域减反射层金属栅线背电场钝化层非晶硅光区域晶体硅背场载流子晶体硅太阳电池透明导电氧化物串联电阻短路电流发电能力发射极面晶体硅层开路电压场钝化光特性基底传输

[实用新型]一种硅基异质集成的非互易损耗偏移型光学薄膜隔离器-CN202320166782.0有效
发明人：陈钊;吉晨;孙珍珍;任晓宁;黎嘉平 -专利权人：渚羽科技（杭州）有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基异质集成的非互易损耗偏移型光学薄膜隔离器，包括硅基层、二氧化硅层、III‑V薄膜层、脊波导和磁光材料层，上述硅基层、上述二氧化硅层、上述III‑V薄膜层和上述脊波导从下到上设置，上述磁光材料层设于上述脊波导侧壁上；此薄膜隔离器属于底功低功耗型器件，在硅平台上具有高集成度，这能够大大降低制造成本，其截面与硅基异质集成激光器有相似的结构，可以直接与激光器集成，无需进行光路校准，提高光传输效率。
一种硅基异质集成易损偏移光学薄膜隔离器