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[实用新型]一种光控多晶硅还原炉电源-CN201520082432.1有效
发明人：王清华;张滔滔 -专利权人：重庆大全泰来电气有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H02M1/092 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光控多晶硅还原炉电源，包括：多组光控型可控硅组，每组光控型可控硅组包括相对设置的第一光控型可控硅和第二光控型可控硅，第一光控型可控硅的阳极与第二光控型可控硅的阴极连接，第一光控型可控硅的阴极与第二光控型可控硅的阳极连接；变压器，设有多组抽头，变压器的抽头与光控型可控硅组相对应，每组抽头与对应的光控型可控硅组的输入端连接；光控可控硅功率控制器，光控可控硅功率控制器分别与多组光控型可控硅组中的光控型可控硅的控制极连接；负载，负载的第一端与多组光控型可控硅组的公共输出端连接；N排，N排与负载的第二端连接。
一种光控多晶还原电源

[发明专利]一种埋栅晶体硅光伏电池及其制作方法-CN202010227253.8在审
发明人：张银鹏;汪锡文;李欢;彭云祥;张伟 -专利权人：宇泽（江西）半导体有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种埋栅晶体硅光伏电池及其制作方法，所述光伏电池包括P型区、N型区、PN结势垒区，所述晶体硅光伏电池的P型区的表面设置有正极金属输出电极，所述晶体硅光伏电池的N型区的表面设置有负极金属输出电极，所述正极金属输出电极的外表面设置有P型硅薄膜埋覆层，所述P型硅薄膜埋覆层与所述电池的P型区形成同导电类型硅的连通；或/和所述负极金属输出电极的外表面设置有N型硅薄膜埋覆层，所述N型硅薄膜埋覆层与所述电池的N型区形成同导电类型硅的连通。本发明埋栅晶体硅光伏电池，由于电池栅线掩埋于硅材料之下，消除了金属栅线对阳光的反射，从而提高了光伏电池的全面积光电转换效率。
一种晶体硅光伏电池及其制作方法

[发明专利]高效全光谱硅基双结光伏电池-CN201110132377.9有效
发明人：王鹤;杨宏;帅争峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效全光谱硅基双结光伏电池。该电池由上至下的顺序依次为：正面银电极，正面TCO导电薄膜，正面p型纳米硅层，i型纳米硅层，正面n型纳米硅层，p型纳米硅层，正面纳米硅缓冲层，n型单晶硅，背面纳米硅缓冲层，背面n型纳米硅层，背面TCO导电薄膜该结构的电池，底电池具有HIT光伏电池的部分优点，顶电池具有纳米硅薄膜光伏电池的特征。采用本结构的光伏电池结特性好，开路电压高，同时对称性电池结构，可以使用来自地面的反射光，能获得高的光电转化效率。
高效光谱硅基双结光伏电池

[发明专利]测量热辅助光诱导衰减的方法以及预测太阳能电池的输出衰减率的方法-CN202280015837.6在审
发明人：伊野裕司;白泽胜彦;高远秀尚;平藤骏介;新乐浩一郎;伊藤宪和 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明包括：第一光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第一测量步骤，用于测量第一光浸润步骤中的p型晶体硅的第一衰减量；暗退火步骤，用于在高于150℃但不高于250℃对p型晶体硅执行热处理；第二光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第二测量步骤，用于测量第二光浸润步骤中的p型晶体硅的第二衰减量；以及计算步骤，用于使用第一衰减量和第二衰减量计算p型晶体硅的高温光诱导衰减量。
测量辅助光诱导衰减方法以及预测太阳能电池输出

[发明专利]一种非硅哑光双面离型膜及制备工艺-CN201910926053.9在审
发明人：崔清臣;凌红旗;刘斌;苟化冲 -专利权人：中山国安火炬科技发展有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： B29D7/01 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种非硅哑光双面离型膜及制备工艺，该离型膜包括依次相连的非硅离型剂层、基材层以及哑光非硅离型剂层，未使用硅油或含硅离型剂，在具有哑光效果的同时降低了生产成本，同时还可以满足电子材料生产厂家对离型膜各方面性能的需求，解决了目前的哑光离型膜因使用硅油或含硅离型剂会造成硅转移，影响胶性能或表面印刷字符性能的问题。
非硅离型剂层离型剂离型膜硅油哑光双面离型膜哑光离型膜表面印刷电子材料哑光效果依次相连制备工艺基材层未使用生产成本生产

[发明专利]一种光伏电池及其制备方法、光伏组件-CN202310145791.6在审
发明人：金井升;廖光明;杨楠楠 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池及其制备方法、光伏组件，该光伏电池制备方法包括提供硅片；在硅片上生长隧穿氧化层和P型非晶硅层；在P型非晶硅层上生长N型掺杂剂；对N型掺杂剂进行处理，使P型非晶硅层转化为P型非晶硅和N型非晶硅交错排布的非晶硅层；去除N型掺杂剂，形成保护层；对保护层和非晶硅层进行处理形成沟槽和凸起；处理硅片，使沟槽的深度增大；去除保护层；对硅片的第一面进行处理。本发明简化并改进了光伏电池的制作工序，利用N型掺杂剂将P型多晶硅转化为N型多晶硅，提升了掺杂形成的载流子的选择性传输性能，不仅实现了该类光伏电池可以和传统晶体硅电池生产线接轨并大规模量产，而且使得光伏电池的光电转换效率大幅提升
一种电池及其制备方法组件

[发明专利]室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法-CN202110272478.X在审
发明人：吴锂;孙剑;陆明;胡斐;戴希远 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-03-13 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体为一种室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及制备方法。本发明的红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、正面黑硅层、硅衬底、背面黑硅层、金属层、N型硅（或P型硅）薄膜、背面电极。本发明利用黑硅在紫外‑近红外波段的减反特性提高探测器近红外光的吸收；利用金属分别与硅衬底（或背面黑硅层）以及N型硅（或P型硅）薄膜形成的肖特基结吸收近红外光并产生光生载流子，并且利用硅衬底（或背面黑硅层）与N型硅（或P型硅）薄膜接触形成的PN结的结区，实现光伏效应的探测，在零偏压下探测近红外光。
室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池-CN201110020790.6无效
发明人：杨宏;帅争峰;王鹤 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池。该电池依次由正面银电极，正面TCO导电薄膜，p型重掺杂纳米硅层，p型轻掺杂纳米硅层，p型轻扩散晶体硅层，n型晶体硅层，本征纳米硅层，n型纳米硅层，背面TCO导电薄膜，背面银电极构成。通过在电池正面的p型重掺杂纳米硅层与n型晶体硅衬底间制备出p型轻掺杂纳米硅层和p型轻扩散晶体硅层，在p型重掺杂纳米硅层和n型晶体硅衬底间形成了薄的缓冲层和浓度梯度结。利用本结构，能够克服常规异质结光伏电池p型层与i型层之间晶格失配的问题，增强了界面电场，减少了界面复合，提高了光伏电池的开路电压和填充因子，提高了光电转换效率。
一种纳米晶体硅异质结光伏电池

[发明专利]面向硅光芯片端面封装的FA结构设计及封装方法-CN202210160878.6在审
发明人：王兴军;杨丰赫;葛张峰 -专利权人：北京大学长三角光电科学研究院
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供一种面向硅光芯片端面封装的FA结构设计及封装方法，面向硅光芯片端面封装的FA结构设计包括V型槽和盖板，V型槽，底部开设有至少一个V型槽口；盖板盖设于V型槽口，盖板一端用于抵接硅光芯片，盖板底部通过粘胶与电路板粘接，盖板朝向V型槽的一面开设有避让切口，避让切口位于靠近硅光芯片一侧；拉锥光纤穿过V型槽口和避让切口并与硅光芯片上的端面耦合器通信连接。通过在盖板上设置避让切口，盖板一端与硅光芯片抵接，盖板在通过粘胶与电路板粘接时，部分胶水会穿过盖板与硅光芯片之间的配合间隙进入避让切口，此时避让切口可以起到锁胶的作用，避免胶水将硅光芯片上的端面耦合器和光纤端面污染
面向芯片端面封装 fa 结构设计方法

[发明专利]硅基Ge光探测器阵列及其制作方法-CN201710078428.1在审
发明人：仇超;武爱民;盛振;高腾;甘甫烷;赵颖璇;李军 -专利权人：上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区；5）于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面形成上金属电极；6）于各P+型掺杂区之间刻蚀出深槽，形成隔离结构。发明通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽，切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。
硅基 ge 探测器阵列及其制作方法

[实用新型]硅基Ge光探测器阵列-CN201720132169.1有效
发明人：仇超;武爱民;盛振;高腾;甘甫烷;赵颖璇;李军 -专利权人：上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区；5）于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面形成上金属电极；6）于各P+型掺杂区之间刻蚀出深槽，形成隔离结构。实用新型通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽，切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。
硅基 ge 探测器阵列

[发明专利]一种大带宽硅基光调制器-CN201611103311.6有效
发明人：武爱民;何兵;仇超;盛振;高腾;甘甫烷;王曦 -专利权人：上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G02F1/05 文献下载
摘要：本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。
一种带宽硅基光调制器

[发明专利]太阳能电池光接收表面的钝化-CN201910999294.6在审
发明人：林承笵;吉娜维芙·A·所罗门;迈克尔·C·约翰逊;热罗姆·达蒙-拉科斯特;安托万·玛里·奥利维耶·萨洛蒙 -专利权人：太阳能公司;道达尔销售服务公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了太阳能电池光接收表面的钝化方法及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上方设置有本征硅层。在本征硅层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上设置有隧穿介电层。在隧穿介电层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。
太阳能电池接收表面钝化

[发明专利]太阳能电池光接收表面的钝化-CN201580003357.8有效
发明人：林承笵;吉娜维芙·A·所罗门;迈克尔·C·约翰逊;热罗姆·达蒙-拉科斯特;安托万·玛里·奥利维耶·萨洛蒙 -专利权人：太阳能公司;道达尔销售服务公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了太阳能电池光接收表面的钝化方法及所得的太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上方设置有本征硅层。在本征硅层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。在另一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅基板。在硅基板的光接收表面上设置有隧穿介电层。在隧穿介电层上设置有N型硅层。在N型硅层上设置有非导电抗反射涂(ARC)层。
太阳能电池接收表面钝化

[发明专利]一种光电二极管、X射线探测基板及其制作方法-CN201710253989.0有效
发明人：黄睿;孙建明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电二极管、X射线探测基板及其制作方法，该光电二极管包括：具有多个陷光结构的N型硅层，设置于N型硅层上的I型硅层，以及设置于I型硅层上的P型硅层；其中，在各陷光结构处的N型硅层、I型硅层和P型硅层构成径向结结构的PIN。由于N型硅层、I型硅层和P型硅层在各陷光结构处构成的径向结结构的PIN同时具有陷光功能，因此，该径向结结构的PIN不仅可以使光电二极管内部的光吸收方向与载流子传输方向相互垂直，从而提高了光电二极管的光电转换效率；同时可以使光在P型硅层表面发生多次反射，从而提高了光电二极管对光的吸收效率。
一种光电二极管射线探测及其制作方法

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