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[实用新型]转换红外光的具有高、低温非晶硅本质层的太阳能电池-CN201020629469.9无效
发明人：张一熙;梅长锜;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种转换红外光的具有高、低温非晶硅本质层的太阳能电池，其包括透明基板、第一与第二电极、红外光转换层以及依序配置于第一电极与第二电极之间的第一n型半导体层、高温非晶硅本质层、第一p型半导体层、第二n型半导体层、低温非晶硅本质层与第二p型半导体层；第一n型半导体层位于高温非晶硅本质层与第二电极之间；红外光转换层配置于第一n型半导体层与第二电极之间或第二p型半导体层与第一电极之间，用以将红外光转换为可见光
转换红外光具有低温非晶硅本质太阳能电池

[发明专利]一种倒装硅光芯片的耦合封装结构及方法-CN201811324098.0在审
发明人：丁兰;张博;李进 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明属于光通信技术领域，公开了一种倒装硅光芯片的耦合封装结构及方法，倒装硅光芯片的正面包括位于两端的光口，多层电路板靠近光口的区域设置有凹槽，倒装硅光芯片正面朝下焊接在多层电路板上，L型玻璃块的第一侧面固定在倒装硅光芯片的背面上，光纤插入到玻璃毛细管中，玻璃毛细管位于凹槽的上方，玻璃毛细管粘接到L型玻璃块的第二侧面。本发明解决了现有技术中倒装硅光芯片的端面耦合困难、耦合效率较低、耦合结构不够稳定的问题。
倒装硅光芯片玻璃毛细管多层电路板耦合封装光口光通信技术领域侧面固定端面耦合光纤插入区域设置芯片正面耦合结构耦合效率焊接背面侧面

[发明专利]一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备-CN202110502234.6有效
发明人：王景洋;杨妍;孙富君;欧祥鹏;唐波;张鹏;刘若男;李彬;李志华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备，涉及硅基器件技术领域，用于提供一种结构简单、光响应度和量子效率较高的硅基光探测器。包括：具有脊型顶层硅的SOI基底；其中，脊型顶层硅包括基部以及形成在所述基部上的脊部；形成在脊部中的N型掺杂区，以及至少形成在基部中的P型掺杂区；其中，N型掺杂区包括N型重掺杂区以及形成在N型重掺杂区两侧的N阱，P型掺杂区包括P阱以及形成在P阱两侧的P型重掺杂区，且N型重掺杂区域与P阱之间形成有超浅结；形成在P型重掺杂区上的阳极，以及形成在N型重掺杂区上的阴极。
一种硅基光探测器以及制备方法电子设备

[发明专利]N型晶体硅太阳能电池及制备方法、光伏组件-CN201810649226.2在审
发明人：陈孝业;薛文娟;尹海鹏 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池及制备方法、光伏组件，属于太阳能电池技术领域。该N型晶体硅太阳能电池包括依次设置的正面电极、正面钝化层、发射极、N型晶体硅基体、背面钝化层以及背面电极，其中，所述正面钝化层包括与所述发射极直接接触的氧化镓层。该太阳能电池中，利用氧化镓层所带有的负电荷对N型晶体硅太阳能电池的发射极的P型硅表面进行化学钝化和场钝化，降低P型硅表面处的少数载流子复合速率，并利用氧化镓层减少对入射光线的吸收而提高电池的光生电流密度，从而提高太阳能电池的电压与电流，提升太阳能电池的光电转换效率，进而提高光伏组件的输出功率，降低度电成本，提高光伏发电的性价比。
太阳能电池光伏组件发射极氧化镓正面钝化层制备太阳能电池技术光电转换效率背面钝化层少数载流子背面电极光伏发电化学钝化入射光线输出功率依次设置正面电极场钝化电成本负电荷降低度电池复合吸收

[实用新型]N型晶体硅太阳能电池及光伏组件-CN201820966475.X有效
发明人：陈孝业;薛文娟;尹海鹏 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N型晶体硅太阳能电池及光伏组件，属于太阳能电池技术领域。该N型晶体硅太阳能电池包括依次设置的正面电极、正面钝化层、发射极、N型晶体硅基体、背面钝化层以及背面电极，其中，所述正面钝化层包括与所述发射极直接接触的氧化镓层。该太阳能电池中，利用氧化镓层所带有的负电荷对N型晶体硅太阳能电池的发射极的P型硅表面进行化学钝化和场钝化，降低P型硅表面处的少数载流子复合速率，并利用氧化镓层减少对入射光线的吸收而提高电池的光生电流密度，从而提高太阳能电池的电压与电流，提升太阳能电池的光电转换效率，进而提高光伏组件的输出功率，降低度电成本，提高光伏发电的性价比。
太阳能电池光伏组件发射极氧化镓正面钝化层太阳能电池技术光电转换效率背面钝化层本实用新型少数载流子背面电极光伏发电化学钝化入射光线输出功率依次设置正面电极场钝化电成本负电荷降低度电池复合吸收

[发明专利]一种基于硅纳米线阵列的异质结光伏电池及其制备方法-CN201711221172.1有效
发明人：赵红英 -专利权人：金寨嘉悦新能源科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅纳米线阵列的异质结光伏电池及其制备方法，用以提高光伏电池的光电转换效率。基于硅纳米线阵列的异质结光伏电池的制作方法包括：n型硅片的清洗；在n型硅片的表面制备硅纳米线阵列；对n型硅片以及硅纳米线各自的表面进行钝化处理；硅纳米线/P3HT复合活性膜的制备；PEDOT:PSS/P型Cu9S5导电化合物/硼掺杂石墨烯复合导电层的制备；聚乙烯亚胺有机钝化层的制备；ITO透明导电层的制备；正面银栅电极的制备；背面电极的制备。
一种基于纳米阵列异质结光伏电池及其制备方法

[实用新型]一种硅光芯片温度传感器-CN202120538340.5有效
发明人：郑宇;黄颖 -专利权人：武汉科宇智联信息技术有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅光芯片温度传感器，包括设有二氧化硅包层的输入波导、导入Y型波导、第一传感波导、第二传感波导、导出Y型波导和输出波导，输入波导连接导入Y型波导的输入端，导入Y型波导的两个输出端分别串联第一传感波导、第二传感波导后再分别连接导出Y型波导的两个输入端，导出Y型波导的输出端连接输出波导；第二传感波导包括三条紧密并排设置的硅波导，位于中间的硅波导的两端分别连接导入Y型波导以及导出Y型波导；在第一传感波导中，光信号被束缚在硅波导中传播；在第二传感波导中，光信号被束缚在相邻硅波导之间的二氧化硅包层中传播。该温度传感器实现了内置集成型硅光芯片温度探测，可靠性高。
一种芯片温度传感器

[实用新型]一种低界面态异质结光伏器件-CN201922357381.X有效
发明人：马立云;姚婷婷;李刚;沈洪雪;彭赛奥;金克武;王天齐;杨扬;王东;汤永康;甘治平;时君;黄海青;程国送 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低界面态异质结光伏器件，包括p型晶硅衬底，所述p型晶硅衬底的底面设有背电极，p型晶硅衬底的顶面由下至上依次层叠有n型发射膜层、透明导电层与前电极，所述p型晶硅衬底的顶面呈凹凸的绒面结构；该异质结器件具有晶格匹配好、界面态密度低的优点，转换效率高，增强异质结光伏器件的整体性能。
一种界面态异质结光伏器件

[发明专利]一种光栅式的面入射型光探测器-CN201910168487.7有效
发明人：曾治国;陈国良;李显尧;孙雨舟;萧越 -专利权人：苏州旭创科技有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本申请公开了一种光栅式的面入射型光探测器，包括：衬底；光栅主动层，设于所述衬底上，所述光栅主动层包括多个光栅凸起；所述衬底上靠近所述光栅主动层的上表层形成掺杂层，所述掺杂层包括多个交替排列的P型掺杂电极和N型掺杂电极，相邻的P型掺杂电极和N型掺杂电极之间具有未掺杂硅区域；所述光栅凸起覆盖所述未掺杂硅区域和所述未掺杂硅区域两侧的P型掺杂电极的一侧和N型掺杂电极的一侧。本申请采用光学光栅式的增强吸收层和硅层接触电极的设计，实现了面入射的光耦合方式，避免了波导式光探测器受光耦合器限制的问题，实现了高速、低暗电流、低损耗、偏振不敏感的高灵敏度光探测器，而且具有更大的光接收角度
一种光栅入射探测器

[发明专利]通过水解离进行太阳能制氢的混合装置及其制造方法-CN201810366607.X有效
发明人：理查德·内策尔;周国富 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及一种将光电阳极与商用硅光伏电池单片集成的混合装置，商用硅光伏电池包括p型硅层和n型硅层，其中p型硅层和n型硅层均具有对应于硅晶体的(100)晶面的主暴露表面，光电阳极包括在p型硅层的(100)
混合装置暴露表面光电阳极中间层硅光商用太阳能制氢紫外光照射可见光电池单片外延生长硅晶体量子点水分解水解离制造电池

[发明专利]非晶硅中间带太阳能电池及其制备方法-CN201210375872.7无效
发明人：周天微;曹权;左玉华;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶硅中间带太阳能电池及其制备方法，该非晶硅中间带电池包括：导电衬底；n型纳米线，形成于导电衬底上；非晶硅中间带层，形成于n型纳米线上；p型非晶硅层，形成于非晶硅中间带层上；透明导电薄膜层，形成于p型非晶硅层上。本发明中，通过利用纳米线材料具有高度取向性、占空比和比表面可控的特性，从而为光生载流子提供快捷通道，减少复合，提高光生载流子的收集效率。
非晶硅中间太阳能电池及其制备方法

[发明专利]光电二极管以及制备方法、X射线探测基板-CN201610971511.7有效
发明人：黄睿 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供了光电二极管以及制备方法、X射线探测基板，用以通过光电二极管中的颗粒结构吸收光线中的光子，产生表面等离子体激元共振，从而增强了颗粒结构周围的局域电场，促进了对入射光的吸收效率，从而提升了光电转化效率；由于光电转化效率得到提升，从而减小I型硅层的厚度成为可能，进一步降低了图形化I型硅层时的刻蚀难度，同时避免了刻蚀I型硅层时的应力问题。所述光电二极管，包括：沿入射光方向依次设置的N型硅层、I型硅层、P型硅层以及位于所述N型硅层与所述P型硅层之间的用于产生表面等离子体激元共振的颗粒结构，其中，所述颗粒结构位于N型硅层与I型硅层之间，或者所述颗粒结构位于I型硅层与P型硅层之间。
光电二极管以及制备方法射线探测

[实用新型]具有一致绒面的单晶异质结太阳能电池-CN201620793055.7有效
发明人：曾清华;宋广华;王树林 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有一致绒面的单晶异质结太阳能电池，包括，N型硅片，所述N型硅片的上表面具有一致绒面的陷光结构，下表面为抛光面；所述N型硅片的上表面设有本征非晶硅层、所述本征非晶硅层表面设有P型非晶硅层；所述P型非晶硅层表面设有ITO透明导电层；所述ITO透明导电层上设有金属栅线电极；所述N型硅片的下表面为本征非晶硅层、所述本征非晶硅层表面设有N型非晶硅层；所述N型非晶硅层表面为ITO透明导电层；所述本实用新型在电池片表面利用了具有一致绒面的陷光结构，这种表面陷光结构的独立单元的一致性极大地提高了后续在表面上成膜的均匀性。
具有一致单晶异质结太阳能电池

[发明专利]双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法-CN201710416600.X在审
发明人：刘正新;孟凡英;张丽平;石建华;俞健;刘金宁;刘毓成 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅本发明的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出
微晶硅本征非晶硅双面受光窗口层异质结太阳电池透明导电薄膜光学带隙薄膜硅非晶硅晶体硅光电转换效率微晶硅薄膜第二电极第一电极发电功率工艺窗口工艺控制光伏组件背场层低缺陷太阳光衬底叠层制作电池输出吸收生产管理

[实用新型]双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池-CN201720645616.3有效
发明人：刘正新;孟凡英;张丽平;石建华;俞健;刘金宁;刘毓成 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅本实用新型的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出
双面晶体薄膜硅异质结太阳电池