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[发明专利]钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜铁电异质结构及其制备方法-CN202210124482.6在审
发明人：郑明;关朋飞 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜铁电异质结构及其制备方法，异质结构包含铁电单晶衬底和在衬底上外延生长的钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜；制备方法，包括以下步骤：步骤1：选取钙钛矿型碱土矾酸盐陶瓷块体为靶材；步骤2：采用脉冲激光沉积技术，在铁电单晶衬底上沉积一层外延的钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜。本发明将碱土钒酸盐薄膜外延生长在铁电单晶衬底上，通过控制纵向施加的直流电场强度，使铁电单晶衬底产生逆压电效应，引入面内压应变，从而实现对碱土矾酸盐薄膜电阻的调控，呈现出电致电阻效应，这对于关联金属材料在新一代电场可调的低功耗非易失性电子器件中的应用具有重要的指导意义
钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜铁电异质结构及其制备方法

[发明专利]全铁电半导体PN结薄膜器件及其制备方法-CN202010660606.3在审
发明人：周勇;王灿;姚小康;何萌;葛琛;郭尔佳;金奎娟 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种全铁电半导体PN结薄膜器件，其自下而上依次包括：衬底、底电极、N型铁电层、P型铁电层和顶电极，或者衬底、底电极、P型铁电层、N型铁电层和顶电极；其中，所述N型铁电层由N型铁电材料形成，所述P型铁电层由P型铁电材料形成。本发明还提供一种制备本发明的全铁电半导体PN结薄膜器件的方法。本发明的全铁电半导体PN结薄膜器件可用于解决现有铁电存储器中数据存在破坏性读取的问题，同时实现了更加优异的电和光对铁电极化状态的非破坏性读取。
全铁电半导体 pn 薄膜器件及其制备方法

[发明专利]一种三方相弛豫铁电单晶退极化抑制方法-CN202111199232.0有效
发明人：张双捷;宋丕麒 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种三方相弛豫铁电单晶退极化抑制方法。本发明属于压电材料领域。本发明的目的是为了解决三方相弛豫铁电单晶由于矫顽场较低，在大驱动电场的作用下容易退极化的技术问题。本发明根据晶体畴结构和各向异性特征选择晶体切型、极化方向和压应力施加方向，以确保所选三方相弛豫铁电单晶的自发极化方向向极化方向旋转，从而确定极化方向和压应力施加方向，并通过施加合适的压应力对单晶退极化场强展开调控，从而增大退极化场强，抑制驰豫铁电单晶退极化。本发明的方法无需使用复杂的直流偏置装置或额外电子元件，不增加整体系统的复杂度，操作简单，易于实现，可提高三方相弛豫铁电单晶所能承受的驱动电场强度，有效提高换能器最大声源级和输出功率。
一种三方相弛豫铁电单晶退极化抑制方法

[发明专利]基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法-CN201710313107.5有效
发明人：高兴森;姚竣翔 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层，所述铁电层为BiFeO
基于铁磁异质结电控磁型存储器及其制备方法

[发明专利]一种USB连接器的铁壳与胶芯自动化组装设备-CN202111446072.5在审
发明人：韩林;黄磊;王钰;王拥军 -专利权人：广东联基精密工业有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B23P21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种USB连接器的铁壳与胶芯自动化组装设备，包括本体上料工位、铁壳上料工位、底盖上料工位、底盖组装工位、底盖压入工位、本体组装工位、本体压入工位、铁壳后盖铆压工位、铁壳侧面铆压工位、组装品平移取出工位、铁壳整形工位、电测工位以及电测后排不良工位；底盖上料工位、铁壳上料工位分别衔接于底盖组装工位，本体上料工位衔接于本体组装工位，底盖组装工位、底盖压入工位、本体组装工位、本体压入工位、铁壳后盖铆压工位、铁壳侧面铆压工位、组装品平移取出工位、铁壳整形工位、电测工位以及电测后排不良工位依次设置。
一种 usb 连接器自动化组装设备

[发明专利]铁电门器件-CN200710139132.2无效
发明人：丰田健治;大塚隆 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-07-15 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：铁电元件，具有：铁电电容器、与所述铁电电容器串联连接的开关元件、输入端子和接地端子，开关元件由N型场效应型晶体管、和P型场效应晶体管构成，N型和P型场效应晶体管的源极均与输入端子连接，N型和P型场效应晶体管的漏极均与铁电电容器的一端连接，N型和P型场效应晶体管的栅极、以及铁电电容器的另一端与接地端子连接，在输入端子上施加电压时，如果在铁电电容器上施加铁电电容器具有的铁电体的矫顽电压以上的电压时，则开关元件作为电阻工作，在输入端子上施加电压时，如果在铁电电容器上施加比矫顽电压小的电压时，开关元件作为电容器工作。
电门器件

[发明专利]一种极化增强的异质结型铁电神经突触器件及其制备方法-CN202210609168.7在审
发明人：王天宇;孟佳琳;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种极化增强的异质结型铁电神经突触器件及其制备方法。该极化增强的异质结型铁电神经突触器件包括：衬底；底层电极，形成在所述衬底上；无机铁电功能层，覆盖所述底层电极；有机铁电功能层，覆盖所述无机铁电功能层；顶层电极，形成在所述有机铁电功能层上，利用有机铁电功能层与无机铁电功能层形成异质结，使器件铁电极化增强，扩大突触权重调制区间。
一种极化增强异质结型铁电神经突触器件及其制备方法

[发明专利]具有应力限制层的位移型铁电超晶格薄膜材料及其制备方法-CN200510020476.2无效
发明人：李燕;邓宏;姜斌;郝兰众;张鹰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有应力限制层的位移型铁电超晶格薄膜材料及其制备方法，该种材料结构上包括基片、缓冲层、位移型铁电超晶格薄膜和金属电极，与现有技术不同的是，该种材料在位移型铁电超晶格薄膜和金属电极之间还有一层应力限制层，应力限制层选用与位移型铁电超晶格薄膜具有类似晶格结构的、单晶格常数小于位移型铁电超晶格薄膜晶格常数的材料来制作。加入应力限制层之后的位移型铁电超晶格薄膜材料大大减小了位移型铁电超晶格薄膜的介电损耗，其损耗比同样厚度、同样工艺生长的BaTiO₃/SrTiO₃超晶格以及单层铁电薄膜BaTiO₃都小一个数量级，并且铁电超晶格薄膜的剩余极化强度增加近四十倍。本发明所采用的制备方法主要是利用激光束外延生长技术依次生长缓冲层、位移型铁电超晶格薄膜和应力限制层，利用真空蒸发技术蒸镀金属电极。
具有应力限制位移型铁电超晶格薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法-CN202310104007.7在审
发明人：廖敏;罗梓綦;曾斌建;郑帅至;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜电容技术领域。本发明提供了一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法，在衬底一面顺次沉积第一金属层、氧化铪基铁电薄膜、第二金属层，得到金属‑铁电‑金属结构的铁电电容；对金属‑铁电‑金属结构的铁电电容进行热处理后，顺次进行刻蚀第二金属层、在氧化铪基铁电薄膜上沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层，得到金属‑铁电‑金属结构的氧化铪基铁电薄膜电容。本发明氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法相较于传统的金属后退火(PMA)处理，通过沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层可进一步提高氧化铪基铁电薄膜电容的极化强度，进一步优化氧化铪基薄膜的铁电性能
一种氧化铪基铁电薄膜电容性能优化方法

[发明专利]一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法-CN201910349696.1有效
发明人：霍宗亮;李春龙;张瑜;洪培真;邹兴奇;靳磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/11597 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法，该三维NAND型铁电存储器基于现有的铁电存储器结构，在铁电层和介质层之间插入一层辅栅极材料层，构成三维NAND型铁电存储器，单元的栅极叠层为主栅极材料层、铁电层、辅栅极材料层和介质层，配合辅栅极材料层单独对铁电层进行编程和擦除操作，从而有效改善铁电存储器的可靠性，即增大了存储窗口，提高了器件耐久性以及提升了器件的保持特性。
一种三维 nand 型铁电存储器制作方法操作方法

[实用新型]一种通用型压铁-CN202120606947.2有效
发明人：杨红兵;王耀 -专利权人：无锡蠡湖增压技术股份有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B22C9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通用型压铁，包括压铁本体和浇口杯本体，所述压铁本体的上半段中心竖向设置有压铁进铝口，且压铁本体的下半段内部竖向设置有压铁内圆，所述压铁本体的底端端面嵌入安装有压铁密封圈，所述浇口杯本体安置在压铁本体的下方该通用型压铁可以实现压铁通用，降低制作成本，也避免了换型时匹配压铁的麻烦，操作过程中方便简单且能避免漏液的问题，通过保证压铁内圆直径小于浇口杯内圆直径，且压铁密封圈外圆直径大于浇口杯外圆直径，可以实现压铁通用，即使压铁内圆产生磨损，也不会出现漏液情况，操作人员使用时只需要保证压铁密封圈罩在浇口杯壁上即可，操作方便。
一种通用型

[实用新型]一种可调节式定子线棒压型装置-CN201020241420.6无效
发明人：路春玲;蒋颖;孙彦立 -专利权人：天津市天发重型水电设备制造有限公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H02K15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可调节式定子线棒压型装置。本实用新型属于水轮发电机技术领域。一种可调节式定子线棒压型装置，其特征是：定子线棒压型装置包括直线压铁、直线上压铁、沉头螺钉、可调节垫片，直线压铁在中心位置上开有槽口，直线上压铁镶入槽口内，用沉头螺钉夹紧把合，直线压铁和直线上压铁间有可调节垫片
一种调节定子线棒压型装置

[发明专利]多元结晶型磷酸铁锂正极材料及其制备方法、锂离子电池和涉电设备-CN202210100586.3在审
发明人：陈涛;王跃林;龙志林;练平;杨志诚;余锋磊 -专利权人：湖南裕能新能源电池材料股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本申请提供一种多元结晶型磷酸铁锂正极材料及其制备方法、锂离子电池和涉电设备。多元结晶型磷酸铁锂正极材料的制备方法，包括：将包括锂源、磷源、水和多种粒径的铁源在内的原料混合，第一球磨得到第一固液混合物；将所述第一固液混合物进行砂磨得到第二固液混合物；将所述第二固液混合物和碳源混合，进行水热反应得到第三固液混合物；将所述第三固液混合物干燥得到正极材料前驱体，然后在还原性气氛中煅烧得到所述多元结晶型磷酸铁锂正极材料。锂离子电池，其原料包括所述的多元结晶型磷酸铁锂正极材料。涉电设备，包括所述的锂离子电池。本申请提供的制备方法，工艺简单、适用于工业化生产，所得磷酸铁锂正极材料压实密度高，电化学性能优异。
多元结晶磷酸正极材料及其制备方法锂离子电池设备

[发明专利]一种铁电-半导体耦合光伏器件及其制备方法-CN202111414150.3在审
发明人：李辉;李丛梦;古宏伟 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明涉及光伏器件技术领域，尤其涉及一种铁电‑半导体耦合光伏器件及其制备方法。本发明提供了一种铁电‑半导体耦合光伏器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、P型光学吸收层、N型铁电材料层、第二载流子传输层和电极层；或包括由下到上依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、P型光学吸收层、N型非铁电材料层、铁电材料层、第二载流子传输层和电极层。所述铁电‑半导体耦合光伏器件具有较高的光电转化效率和较低的制备成本。
一种半导体耦合器件及其制备方法

[发明专利]一种铁电电容器和铁电场效应管及其制造方法-CN200710039405.6无效
发明人：江安全;费瑾文;汤庭鳌 -专利权人：复旦大学
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电电容器和铁电场效应管及其制备方法。该铁电电容器包括：n型或p型半导体衬底，在该衬底上设置的包含铁电层和反铁电层的双层结构，以及在该双层结构设置的上电极，必要时，在衬底和双层铁电结构之间设置一绝缘层。铁电场效管是上述铁电电容器作为存储单元。按常规工艺，依次制备衬底、绝缘层、铁电双层结构和上电极。本发明设计的铁电电容器和铁电场效管可有效提高逻辑保持时间。
一种电容器电场效应及其制造方法

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