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[实用新型]新型适用于汽轮机变工况运行的高压级隔板静叶栅-CN200820233398.3无效
发明人：张忠海;屠姗;周奇;徐大伟;高权;林坤 -专利权人：山东齐鲁电机制造有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： F01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型适用于汽轮机变工况运行的高压级隔板静叶栅。它具有高效率、高强度，运行稳定等优点。其结构为：它包括隔板外环，其内侧设有隔板外围带，与隔板外围带对应的是隔板内围带，隔板内围带安装在隔板体上，隔板外围与隔板内围带间设有多个主流叶栅和多个进汽边加长导流叶栅，主流叶栅和进汽边加长导流叶栅沿隔板体圆周方向在水平中分面处间隔布置，即两相邻进汽边加长导流叶栅间设有至少一个主流叶栅；同时，在隔板体圆周的其余各处则均匀的安装主流叶栅；各主流叶栅和各进汽边加长导流叶栅采用相同的内背弧出汽侧型线，相邻两进汽边加长导流叶栅间构成导流流道，主流叶栅间及主流叶栅与进汽边加长导流叶栅间构成主流流道。
新型适用于汽轮机变工况运行压级隔板静叶栅

[发明专利]负电子压缩率-超陡亚阈斜率场效应晶体管及其制备方法-CN201710165309.X有效
发明人：黄如;王慧敏;黄芊芊 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种负电子压缩率‑超陡亚阈斜率场效应晶体管及其制备方法。本发明在器件亚阈区，第一常规栅介质层和第二常规栅介质层构成常规栅介质电容，负电子压缩率栅介质层构成NEC电容，使得常规栅介质电容的电容大于NEC电容的绝对值，从而两个串联电容为负值，实现栅控制系数小于1，抑制了栅泄露电流，从而使栅压对沟道表面势有超常的控制能力使器件拥有超陡亚阈值斜率；并且，器件中NEC栅介质层在电子尺度的变化能够使其宏观特性不再回滞并且无材料疲劳性，所以在降低器件功耗的基础上，解决了传统铁电
负电子压缩率超陡亚阈斜率场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种像素结构、显示面板以及显示装置-CN201910740615.0在审
发明人：李蒙;李永谦;袁志东;袁粲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种像素结构、显示面板以及显示装置，像素结构包括：交叉设置的栅线和数据线，以及阵列分布的多个像素重复模块；像素重复模块包括：按照顺序依次排列的多个像素单元，每个像素单元包括布置为三角形结构的三个亚像素，且每个像素单元中的三个亚像素与相邻的像素单元中的三个亚像素互为倒置布置；每个像素单元对应两组栅线，每组栅线包括两条相互平行的栅线，第一组栅线分别位于像素单元的第一外侧面和第二外侧面，第二组栅线均位于像素单元中位于第一行的亚像素和位于第二行的亚像素之间
像素单元栅线亚像素像素结构显示面板显示装置像素空间像素重复外侧面三角形结构交叉设置依次排列阵列分布倒置数据线分辨率两组平行

[发明专利]一种导电陶瓷电池板栅-CN201410316798.0在审
发明人：马永泉;丁元军 -专利权人：超威电源有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01M4/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电陶瓷电池板栅，包括栅格骨架和栅格边框，栅格骨架由多根栅杆交叉固定形成，所述栅杆由亚氧化钛导电陶瓷制成，且栅杆为空心结构。本发明采用低密度的亚氧化钛导电陶瓷制作栅格骨架，制成的同等尺寸的电池板栅后，重量可以显著降低，从而提高电池比能量，利于电池轻量化的推进，且可以提高电池板栅耐腐蚀性能。
一种导电陶瓷电池板

[发明专利]涡轮叶片平面叶栅进口轴向速度控制方法-CN202211256735.1在审
发明人：王丽;张剑;钟华贵;张衡;吴佳玉;王闰龙 -专利权人：中国航发四川燃气涡轮研究院
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F01D5/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种涡轮叶片平面叶栅进口轴向速度控制方法，包括依据涡轮叶片的进口轴向速度设计值，设计平面叶栅试验件的扩张通道；平面叶栅试验件的扩张角；基于三维仿真技术，采用进口轴向速度设计值，对平面叶栅试验件的扩张角进行迭代分析；依据验证及修正后扩张角制备平面叶栅试验件；对平面叶栅试验件进行验证，完成平面叶栅进口轴向速度的控制。本发明设计的进口轴向速度方法相比于常规的平面叶栅试验方法，在叶栅相同出口速度情况下，可以提升叶栅进口轴向速度；扩张通道的平面叶栅损失特性更准确；试验件的流道扩张角可以快速获取；试验件上下端壁结构简单且易于加工
涡轮叶片平面进口轴向速度控制方法

[发明专利]压气机平面叶栅实验抽吸槽的实现方法-CN202011171918.4在审
发明人：马宇晨;滕金芳;朱铭敏;羌晓青 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： F04D27/00 文献下载
摘要：一种压气机平面叶栅实验抽吸槽的实现方法，通过选取平面叶栅中相邻叶栅作为第一和第二叶栅，其中第二叶栅位于第一叶栅的叶背方向；设计抽吸槽中心位置、抽吸槽垂直线位置以及设计抽吸槽平行线位置，再进行抽吸槽布置实现，本发明通过使轴向密流比等于1保证压气机平面叶栅的测量准确性，实现压气机平面叶栅实验过程中对轴向密流比的控制。
压气平面实验抽吸实现方法

[发明专利]一种铅炭电池正极板栅及其制备方法和铅炭电池-CN201810342117.6有效
发明人：胡晨;金翼;王绥军;穆居易;孙召琴;黎可;尹秀娟;林亚洲;高飞;刘超群;刘家亮 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国网山东省电力公司临沂供电公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01M4/73 文献下载
摘要：本发明提供了一种铅炭电池正极板栅，该正极板栅包括基体板栅和该基体板栅表面的亚氧化钛膜；亚氧化钛膜的钛氧化物包括Ti4O7栅表面的亚氧化钛膜结构致密，与正极活性物质之间具有良好结合力，具有高导电、耐腐蚀的特点，提高了正极板栅的耐腐蚀性能，增强了板栅与活性物质之间的结合能力，降低了界面电阻，避免了在循环过程中正极材料软化和脱落
一种电池极板及其制备方法

[发明专利]一种替代栅的制备方法-CN200510011506.3有效
发明人：徐秋霞;李瑞钊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于超深亚微米及以下特征尺寸半导体器件制备方法，特别涉及用于超深亚微米金属栅CMOS制造的一种替代栅制备技术。用金属作栅电极，可以从根本上消除栅耗尽效应和硼穿透现象，同时获得非常低的栅电极薄层电阻。本发明采用嵌入式金属栅CMOS工艺(即替代栅制备工艺)实现了一种新颖的金属栅CMOS技术。在这种嵌入式金属栅CMOS工艺中，主要关键技术之一是一套替代栅的制备技术，它包括替代栅材料的选取，精细的替代栅图形的成形，平坦化和替代栅的去除。
一种替代制备方法

[发明专利]分体式涡轮叶栅实验装置-CN202310188498.8在审
发明人：曾飞;李维;宋友富 -专利权人：中国航发湖南动力机械研究所
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分体式涡轮叶栅实验装置，包括底座、多个叶栅以及多个校正块，底座上开设有用于叶栅可活动地插接的定位孔，定位孔的内壁形状和叶栅的外壁形状相适配，定位孔和叶栅一一对应布设，校正块的外轮廓用于与机匣内预设气流流道的内壁轮廓相适配，多个校正块间隔布设于底座上，相邻两校正块围合形成用于叶栅插接至定位孔内后套设于叶栅外以校正叶栅的放置角度和位置的校正通道，叶栅插接至定位孔上并被校正块校正后与底座可拆卸连接，叶栅包括可拆卸连接的叶身和叶尖
体式涡轮实验装置

[发明专利]阵列基板及其驱动方法、液晶显示面板、显示装置-CN201410212373.5在审
发明人：王骁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：所述阵列基板，包括以矩阵形式形成于基板上的多个亚像素；多条数据线，每条数据线提供信号给一列的所述多个亚像素；多条栅线，每条栅线提供栅线信号给一行的所述多个亚像素，其中，每个所述亚像素包括：至少两个子像素电极本发明的技术方案能够提高亚像素的充电率，防止由于亚像素充电不足而引起的Mura等问题，改善显示面板的画面质量。
阵列及其驱动方法液晶显示面板显示装置

[实用新型]显示基板和显示装置-CN201521108609.7有效
发明人：程鸿飞;先建波;李盼 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该显示基板包括：衬底基板和位于所述衬底基板上方的栅线、数据线和像素单元，每个所述像素单元中设置有第一亚像素电极和第二亚像素电极，所述栅线位于所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间，相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元，每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极，所述显示单元中的预设区域包括遮光图形。
显示显示装置

[实用新型]一种微波栅、防护盒及微波热疗设备-CN201721718382.7有效
发明人：李晓阳 -专利权人：上海惠然商务咨询有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： A61N5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波栅、防护盒及热疗设备，其中，一种微波栅，包括底板和照射口，照射口内开设有安置空间，安置空间内均设置有多个独立运动的栅叶组件，同侧的栅叶组件紧密排列；栅叶组件包括滑移叶、转动叶和驱动装置，滑移叶滑移设置于安置空间内，滑移叶朝向照射口的一侧同轴转动设置有转动叶，底板上设置有用于同时控制滑移叶和转动叶运动的驱动装置。通过转动叶和滑移叶的组合使得栅叶组件的在更小的滑移距离内可调节的辐射区域范围最大，节省空间；每一个栅叶组件均为独立控制，栅叶组件根据人体病理形状调节各自单独的位置，相对的栅叶组件之间产生间隔空间，多个间隔空间最终形成一个类似人体病理区域大小的空间区域
滑移栅叶转动叶安置空间照射口底板微波间隔空间驱动装置人体病理防护盒本实用新型独立控制独立运动辐射区域节省空间紧密排列空间区域热疗设备同轴转动微波热疗形状调节组件包括可调节内开同侧

[实用新型]含有亚结构的钙钛矿-HIT叠层太阳能电池-CN202123155369.4有效
发明人：袁晨辰;田清勇;牛欢欢;陈伟中;汪荣峰;范利生;陈加坡;范斌 -专利权人：昆山协鑫光电材料有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含有亚结构的钙钛矿‑HIT叠层太阳能电池。所述含有亚结构的钙钛矿‑HIT叠层太阳能电池包括叠层设置的异质结电池单元和钙钛矿电池单元，所述异质结电池单元的表面具有亚结构绒面，所述钙钛矿电池叠设在所述异质结电池单元的亚结构绒面上；以及第一栅线和第二栅线，所述第一栅线与所述钙钛矿电池单元电连接，所述第二栅线与所述异质结电池单元电连接。本实用新型实施例提供的一种含有亚结构的钙钛矿‑HIT叠层太阳能电池，其中的HIT异质结电池与钙钛矿电池结合的表面具有亚结构绒面，该亚结构绒面的起伏度更小，从而使钙钛矿电池产生的电子能够被更好的收集，进而提高电池整体的电池效率
含有结构钙钛矿 hit 太阳能电池

[发明专利]基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管-CN201910482541.5在审
发明人：吉娜;程庆苏;渠开放;王伟 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，由顶栅、底栅、上层二氧化硅、黑亚磷、源极、漏极、下层二氧化硅组成；所述的顶栅位于上层二氧化硅上端，底栅位于下层二氧化硅下端，黑亚磷同质结位于上层二氧化硅与下层二氧化硅之间，源极及漏极分别位于上层二氧化硅与下层二氧化硅区间的左侧和右侧；垂直黑亚磷隧穿场效应管不但能满足国际半导体技术发展路线图低于10nm规模的高功耗的要求，也能满足低功耗应用的要求，并加速基于分层黑亚磷同质结二维隧穿场效应管的实际应用
二氧化硅亚磷下层同质结上层场效应管底栅顶栅漏极隧穿源极垂直二氧化硅组成路线图低功耗应用国际半导体隧穿晶体管技术发展高功耗上端二维分层下端应用

[发明专利]一种用于改善平面叶栅周期性和出口流场品质的组合抽吸系统-CN202011279305.2在审
发明人：韩吉昂;徐文峰;李聪;胡义;江达林;杨嗣涵 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G01M9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于改善平面叶栅周期性和出口流场品质的组合抽吸系统，包括：上端壁抽吸腔、左侧转盘、左侧转盘滑道、叶栅风洞实验台、叶栅风洞实验台固定座、右侧转盘和右侧转盘滑道。本发明利用左侧栅板和右侧栅板对称抽吸、左侧栅板和右侧栅板栅前附面层结构对称抽吸，通过节流阀门控制布置在叶栅上抽吸装置，实现叶栅内部流场周期性和密流比的控制，同时可以根据不同叶栅的需要，调整左侧栅板和右侧栅板上抽吸孔开设的数量和相对位置，更为高效节能的实现叶栅出口流场周期性和密流比的控制效果。
一种用于改善平面周期性出口品质组合抽吸系统