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[发明专利]开关装置和开关模块-CN201110420075.1无效
发明人：齐藤研二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明的开关装置的特征在于具备：开关元件（1）；发射极电极（100）；用于将发射极电极（100）连接到外部的主布线的主布线用发射极端子（4）；在发射极电极（100）和主布线用发射极端子（4）之间的主电流路径中插入的多个控制用发射极端子（5）、控制用发射极端子（6）、控制用发射极端子（7）；介插在邻接的控制用发射极端子之间的主电流路径中的电感（8）、电感（9）。
开关装置模块

[发明专利]RF放大器-CN201610457770.8在审
发明人：吉安·霍赫扎德 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：一种RF放大器(200)包括输入晶体管(202)，所述输入晶体管(202)具有输入晶体管基极端子、输入晶体管集极端子和输入晶体管发射极端子；简并组件(206)，所述简并组件(206)连接在所述输入晶体管发射极端子与接地端子之间；以及保护晶体管(204)，所述保护晶体管(204)具有保护晶体管基极端子、保护晶体管集极端子和保护晶体管发射极端子。所述输入晶体管基极端子连接到所述保护晶体管发射极端子，且所述保护晶体管基极端子连接到所述输入晶体管发射极。
rf 放大器

[发明专利]用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路和包括其的控制装置-CN201980031490.2在审
发明人：金俊烨 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：一种用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路，包括：第一分压器，该第一分压器连接至P沟道MOSFET的源极端子；第一子晶体管，该第一子晶体管包括第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子，该第一发射极端子被连接至第一分压器；第二子晶体管，该第二子晶体管包括第二集电极端子、第二发射极端子和第二基极端子，该第二发射极端子被连接至P沟道MOSFET的栅极端子，并且该第二基极端子被连接至第一连接节点；第三子晶体管，该第三子晶体管包括第三集电极端子、第三发射极端子和第三基极端子，该第三发射极端子被连接至第二发射极端子，并且该第三集电极端子被连接至接地；以及第三电阻器，该第三电阻器连接在第二集电极端子与第二发射极端子之间。
用于控制沟道 mosfet 驱动器电路包括装置

[发明专利]具有两个辅助发射极导体路径的半导体模块-CN201580008490.2有效
发明人： S.哈特曼;D.科泰特;S.基钦 -专利权人： ABB瑞士有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：半导体模块（10）包括：至少一个半导体芯片（12），其包括至少一个半导体开关（14），该至少一个半导体开关（14）具有集电极（18）、发射极（22）和栅极（20）；集电极端子（24），其连接到集电极（18）；栅极端子（26），其连接到栅极（20）；发射极端子（28），其经由具有发射极电感（32）的发射极导体路径（30）连接到发射极（22）；辅助发射极端子（38），其连接到发射极（22）；第一导体路径（34），其连接到发射极（22）；和第二导体路径（36），其连接到发射极（22）具有与第一导体路径（34）不同的与发射极导体路径（30）的互感耦合。第一导体路径（34）和第二导体路径（36）能连接到辅助发射极端子（38）和/或第一导体路径（34）连接到辅助发射极端子（38）并且第二导体路径（36）连接到第二辅助发射极端子（44）。半导体开关（14）是IGBT，并且第一导体路径（34）和第二导体路径（36）中的每个包括桥接点（40），用于使相应导体路径连接到辅助发射极端子（38）。
具有两个辅助发射极导体路径半导体模块

[发明专利]双极性晶体管及相关的制造方法-CN200610006071.8无效
发明人：徐永大;梁奉吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了包括具有基本相同高度的发射极端子和基极端子的双极性晶体管及其制造方法。双极性晶体管包括形成于作为集电极的半导体层上并作为基极的硅－锗层。双极性晶体管还包括具有用于发射极端子和集电极端子的接触窗口的绝缘层。通过形成填充接触窗口的多晶硅层且在多晶硅层上执行平面化工艺来形成发射极和集电极端子。执行离子注入工艺来形成多晶硅发射极端子和多晶硅基极端子。
极性晶体管相关制造方法

[发明专利]高保持电压双极结器件-CN202310197258.4在审
发明人： P·马哈詹 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：所述器件包括基极、集电极和发射极端子。由于独特配置的发射极端子，实现了高保持电压。具体地，所述器件包括具有第一类型导电性的基极阱区。发射极端子包括邻近基极阱区(例如，在基极阱区内和/或在基极阱区上)的发射极接触区和辅助发射极区，所述发射极接触区具有第二类型导电性，所述辅助发射极区邻接所述发射极接触区并具有比所述基极阱区更高导电性水平的第一类型导电性实施例根据发射极接触区和辅助发射极区的形状而变化。实施例还根据用于将集电极端子与发射极端子隔离的结构以及由硅化物层覆盖的区域而变化。
保持电压双极结器件

[发明专利]用于深亚微米制造工艺的对称双极结型晶体管-CN200780034683.0有效
发明人： K·E·阿兰德特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本文所述的是双极结型晶体管及其制造方法的实施例，该晶体管包括：多个基极端子环，且在多个基极端子环中的任意两个基极端子环之间具有发射极端子环；以及围绕多个基极端子环和发射极端子环的集电极端子环。
用于微米制造工艺对称双极结型晶体管

[发明专利]三端子PIN二极管-CN201380051221.5无效
发明人： G·范齐尔;G·G·古罗夫 -专利权人：先进能源工业公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本公开内容描述了具有集电极、基极、发射极以及位于所述集电极与所述基极之间的本征区的开关。所述本征区提高了开关的效率并且降低了损耗。所述集电极、基极和发射极均具有相应的端子，并且通过所述基极端子的电流的AC分量大于通过所述发射极端子的电流的AC分量。此外，在接通状态下，所述基极端子与所述集电极端子之间的第一交流电流大于所述集电极端子与所述发射极端子之间的第二交流电流。换言之，AC主要在所述集电极与所述基极之间传递，并且由所述基极与所述发射极之间的DC电流来控制。
端子 pin 二极管

[实用新型]偏置电阻器晶体管半导体器件及半导体器件-CN201520769857.X有效
发明人： D·M·海明格尔;T·基纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：偏置电阻器晶体管半导体器件包括：基极端子；发射极端子；集电极端子；主要双极型晶体管，具有基极、与发射极端子耦合的发射极以及与集电极端子耦合的集电极；第一电阻器，具有与主要双极型晶体管的基极耦合的第一端子，并且具有与基极端子耦合的第二端子；及保护双极型晶体管，具有与主要双极型晶体管的集电极耦合的集电极、与主要双极型晶体管的发射极耦合的基极以及与基极端子耦合的发射极，保护双极型晶体管具有发射极到集电极区，发射极到集电极区被配置为响应于静电放电事件以雪崩模式操作。
偏置电阻器晶体管半导体器件

[发明专利]具有共源极电感布局以避免直通的逆变器切换器件-CN201711021952.1有效
发明人：徐竹娴;陈清麒 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：一种逆变桥中的相脚具有上部晶体管，上部晶体管具有上部栅极、集电极、和发射极端子，其中上部栅极和发射极端子布置为产生上部共源极电感。下部晶体管具有下部栅极、集电极、和发射极端子，其中下部栅极和发射极端子布置为产生下部共源极电感。上部二极管跨接在上部集电极和发射极端子上，并且大体上与上部共源极电感并联。下部二极管跨接在下部集电极和发射极端子上，并且大体上与下部共源极电感并联。因此，当在其中一个晶体管关闭时承载换向电流时，二极管大体上绕过共源极电感。这允许相脚在避免“直通”问题的同时，在栅极端子处具有显著的共源电感。
具有共源极电感布局避免直通逆变器切换器件

[发明专利]用于具有增强的共源极电感的逆变器开关器件的有源栅极钳位-CN201711187288.8有效
发明人：徐竹娴;陈清麒;迈克尔·W·德格尼尔 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：晶体管包括半导体器件，半导体器件各自具有相应的栅极、源极、和发射极端子。每个发射极端子连接到相应的输出电极，输出电极构造成增强相应的栅极端子和发射极端子之间的共源极电感。每个发射极端子还连接到大体绕过相应的输出电极的相应的开尔文发射极电极。每个相应的有源钳位连接在相应的栅极端子和开尔文发射极电极之间，使得有源钳位功能在存在增强的共源极电感的情况下保持有效。
用于具有增强共源极电感逆变器开关器件有源栅极

[发明专利]用于电压驱动电子元件的驱动电路-CN200810109891.9有效
发明人：东和幸;米谷心助 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：提供了用于驱动电压驱动元件的驱动电路，该电压驱动元件包括栅极端子、发射极端子和集电极端子，该驱动电路包括：第一半导体开关元件，其包括被置于用于驱动电路的功率源和栅极端子之间的输出端子；第一电阻器，其被置于该输出端子和栅极端子之间在将栅极端子和发射极端子之间的部分中累积的电荷提供到栅极端子和集电极端子之间的部分之后，电容元件将来自功率源的电荷提供给栅极端子和发射极端子之间的部分。
用于电压驱动电子元件电路

[发明专利]辅助振动阻尼型晶体振荡器电路-CN200910161714.X无效
发明人：新井淳一 -专利权人：日本电波工业株式会社
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H03B5/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种辅助振动阻尼型晶体振荡器电路，该振荡电路形成为柯匹兹型，其中晶体单元连接在振荡晶体管的基极端子和集电极端子之间，第一电容器连接在振荡晶体管的发射极端子和集电极端子之间，而第二电容器连接在振荡晶体管的发射极端子和基极端子之间该发射极端子和集电极端子之间的区域或发射极端子和基极端子之间的区域包括电抗并联电路，其中LC串联电路以并联方式连接于第一或第二电容器。
辅助振动阻尼晶体振荡器电路

[实用新型]充电电路-CN201620715503.1有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：一种使用从电源输出的电力给电容器充电的充电电路，包括：第一和第二PNP型晶体管；第一和第二电阻器；以及电流路径维持单元，其中所述电源连接至所述第一PNP型晶体管的发射极端子，所述第一电阻器连接在所述第一PNP型晶体管的发射极端子与基极端子之间，所述电容器连接至所述第二PNP型晶体管的集电极端子，所述第二电阻器连接在所述第二PNP型晶体管的集电极端子与基极端子之间，所述第一PNP型晶体管的基极端子和集电极端子分别连接至所述第二PNP型晶体管的发射极端子和基极端子，所述电流路径维持单元设置在所述第一PNP型晶体管的集电极端子与所述第二PNP型晶体管的发射极端子之间。
充电电路

[发明专利]压控开关装置以及开关组件-CN202111136965.X在审
发明人：克里斯蒂安·菲利普·桑多;安东·毛德;弗朗茨-约瑟夫·尼德诺斯切德 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01H9/00 文献下载
摘要：本发明公开了压控开关装置和开关组件，其中压控开关装置(500)包括：形成在具有横向截面面积AQ的半导体部分(100)中的漏极/漂移结构(130)；源极/发射极端子；以及在漏极/漂移结构(130)与源极/发射极端子之间的发射极沟道区(120)。电阻路径(900)将源极/发射极端子和发射极沟道区(120)电连接。
开关装置以及组件

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