专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光二极管显示面板及制作方法-CN201710093979.5有效
  • 陈黎暄;陈孝贤;李泳锐 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2017-02-21 - 2019-09-17 - H01L27/12
  • 本发明提供了一种发光二极管显示面板,所述阵列基板上阵列排布有多个像素单元,每个像素单元至少包括三色的子像素单元,每个子像素单元中均设有至少一个与该子像素单元颜色相应的发光二极管晶粒,相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元的发光二极管晶粒的本发明还提供了一种制作方法:在阵列基板的子像素单元内通过转印将对应颜色的发光二极管晶粒从转印板上转印至相应的子像素单元中,每次转印的发光二极管晶粒的颜色以及Bin级相同,相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元内的发光二极管晶粒的与现有技术相比,有效改善发光二极管显示面板的颜色和亮度的均称性。
  • 发光二极管显示面板制作方法
  • [发明专利]发光二极管晶粒的定位和去除方法及设备-CN202011450264.9在审
  • 黄朝葵;于波;李庆;韦冬 - 苏州芯聚半导体有限公司
  • 2020-12-09 - 2021-03-30 - H01L21/66
  • 本发明提供一种发光二极管晶粒定位和去除方法和设备,所述发光二极管晶粒定位和去除方法包括:S1、获取衬底上的多个发光二极管晶粒的测试文档,所述测试文档包括每一发光二极管晶粒的相对坐标位置及光电性能测试结果;S2、依据所述光电性能测试结果,将每一发光二极管晶粒标记为第一代码或者第代码;S3、更新所述第一代码和所述第代码至所述测试文档中;以及S4、读取更新后的所述测试文档中的所述第一代码,获得与所述第一代码对应的一个或多个发光二极管晶粒的相对坐标位置;其中,所述第一代码和所述第代码相异。
  • 发光二极管晶粒定位去除方法设备
  • [发明专利]测试发光二极管晶粒的方法-CN201110045544.6无效
  • 郑勖廷;曾一士;王遵义 - 致茂电子(苏州)有限公司
  • 2011-02-25 - 2011-09-14 - G01R31/26
  • 一种测试发光二极管晶粒的方法,利用量测该发光二极管晶粒与邻近的发光二极管晶粒的电性差异,再根据邻近的发光二极管晶粒的光学数值来估算该发光二极管晶粒的光学数值。可以有效提升测试发光二极管晶粒的效率。该方法包含量测第一发光二极管晶粒的光学数值,分别量测该第一发光二极管晶粒与一第发光二极管晶粒的电性以计算出一内阻差值,以及根据该内阻差值及该第一发光二极管晶粒的光学数值估算出第发光二极管晶粒的光学数值该方法还可以根据一预设电流建立电压值与波长的关系函数,利用该预设电流驱动待测发光二极管晶粒,量测该晶粒的电压值并根据该电压值与波长的关系函数估算该待测晶粒所产生的光线的波长。
  • 测试发光二极管晶粒方法
  • [发明专利]发光二极管的制造方法-CN200810067587.2无效
  • 张家寿 - 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
  • 2008-06-04 - 2009-12-09 - H01L21/50
  • 一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:将发光二极管晶片固定于第一粘着层上;形成若干发光二极管晶粒;将该若干发光二极管晶粒固定于第粘着层上;该若干发光二极管晶粒与第一粘着层分离;将第粘着层平贴于基座上;把该若干发光二极管晶粒固定于与其相对应的凹座内,利用导线把每一发光二极管晶粒电连接于基座上,并向基座的凹座内填充透光材料,该透光材料分别包覆每一发光二极管晶粒。本发明的发光二极管制造方法中取放发光二极管晶粒动作采用平行方式,即把若干发光二极管晶粒一体组装于基座中,无须逐一将发光二极管晶粒置入基座中,提高了组装速度。
  • 发光二极管制造方法
  • [发明专利]发光二极管封装结构-CN201010272003.2无效
  • 洪梓健;沈佳辉 - 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
  • 2010-09-08 - 2012-04-04 - H01L33/64
  • 一种发光二极管封装结构,包括发光二极管晶粒、封装体及基座,该发光二极管晶粒固定于该基座上,该封装体包覆该发光二极管晶粒,该发光二极管晶粒与该基座之间设置一导热衬底,该导热衬底包括相对设置的第一表面及第表面,发光二极管晶粒贴附于导热衬底的第一表面上,发光二极管晶粒与导热衬底贴合处为接触面,导热衬底的第一表面的面积大于发光二极管晶粒的接触面的面积,导热衬底的第表面固定在基座上。与现有技术相比,本发明的发光二极管发光二极管晶粒与基座之间设置导热性能较佳的导热衬底,且导热衬底的面积相对较大,从而发光二极管晶粒所产生的热量可以较快的传递到基座上,提高整个发光二极管的散热性能,延长其使用寿命
  • 发光二极管封装结构
  • [发明专利]发光二极管封装模块及其制造方法-CN200710194082.8无效
  • 萨文志 - 启萌科技有限公司
  • 2007-11-30 - 2009-06-10 - H01L25/00
  • 本发明涉及一种发光二极管封装模块,包括一基板、一第一发光二极管晶粒、一第发光二极管晶粒、一连接电路及一修复电路。其中,第一发光二极管晶粒及第发光二极管晶粒通过打线接合或倒装接合而设置于基板,第一发光二极管晶粒及第发光二极管晶粒经由连接电路电性串联。修复电路具有第一延伸部,所述的第一延伸部分别与第一发光二极管晶粒电极电性连接。本发明亦揭露一种发光二极管封装模块的制造方法。
  • 发光二极管封装模块及其制造方法
  • [发明专利]发光二极管制造方法-CN200810303127.5无效
  • 张家寿 - 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
  • 2008-07-28 - 2010-02-03 - H01L33/00
  • 一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:提供一发光二极管晶片,于该发光二极管晶片的衬底上形成若干发光二极管晶粒;于发光二极管晶粒的周围形成一保护层;于保护层上沉积一电极层;去除发光二极管晶片的衬底,并于每一发光二极管晶粒上形成第电极;去除每一发光二极管晶粒周围的保护层;于每一发光二极管晶粒的外围开设一通槽;提供一基座,将该基座组装于该电极层上;打线、密封及切割。与现有技术相比较,本发明的发光二极管制造方法无须导电架,也无须逐个取放发光二极管晶粒,采用晶片结合法及剥离法使得多个发光二极管晶粒一体式同步封装,制造方法简便且成本较低。
  • 发光二极管制造方法
  • [发明专利]发光二极管-CN201010570711.4无效
  • 曾坚信 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2010-12-02 - 2012-06-06 - H01L25/075
  • 本发明涉及一种发光二极管,包括第一晶粒组、第晶粒组以及光波长转换物质,该第一晶粒组包括多个红光发光二极管晶粒,该第晶粒组包括多个蓝光发光二极管晶粒,该光波长转换物质含有能由蓝光激发发出可见光的荧光粉材料,该光波长转换物质设置在蓝光发光二极管晶粒的出光路径上,该多个蓝光发光二极管晶粒的总发光面积大于该多个红光发光二极管晶粒的总发光面积。该种发光二极管的色域广、演色性高,且该种发光二极管所包含的晶粒种类少、成本较低。
  • 发光二极管
  • [发明专利]光源模块-CN201811088629.0有效
  • 陈仲渊 - 致伸科技股份有限公司
  • 2018-09-18 - 2021-07-02 - H01L33/54
  • 本发明涉及一种光源模块,包括发光二极管晶粒、承载基板以及封装层。发光二极管晶粒可输出光束,承载基板电性连接于发光二极管晶粒且承载该发光二极管晶粒。其中,承载基板可反射投射至承载基板的光束,使光束穿过发光二极管晶粒而往外投射。封装层包覆发光二极管晶粒以及部分承载基板,以保护发光二极管晶粒;其中,光束可因应封装层的形状,而产生对应于封装层的光束的光形。
  • 光源模块

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