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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]静电放电保护元件-CN02126480.5有效
发明人：陈东旸;唐天浩 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-23 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电保护元件，其包括配置在一基底中的一第一寄生双载子晶体管、一第二寄生双载子晶体管、一第三寄生双载子晶体管以及一第四寄生双载子晶体管。在第一寄生双载子晶体管与一第二寄生双载子晶体管之间更包括配置有一第一长形掺杂区，第三寄生双载子晶体管与一第四寄生双载子晶体管之间更包括配置有一第二长形掺杂区。在基底的周围则是配置有一防护环。
静电放电保护元件

[发明专利]双载子互补式金属氧化物半导体的静电放电防护电路及方法-CN03108824.4无效
发明人：陈孝贤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一结合双载子晶体管的金属氧化物半导体的结构，以双载子晶体管来触发金属氧化物半导体来达到静电放电防护的功能。由于双载子晶体管可避免习知技艺中用RC触发的静电放电防护电路布局过大问题外，利用双载子晶体管也可以防止漏电流，及双载子晶体管本身的触发电压也较低，故可以避免漏电流极高触发电压的问题。
双载子互补金属氧化物半导体静电放电防护电路方法

[发明专利]一种电压源的静电放电保护电路-CN200310102218.X有效
发明人：叶达勋;林永豪;简育生 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合电压源的静电放电保护电路，包括有分别由两NPN双载子晶体管对接的第一双载子晶体管组、第二双载子晶体管组与第一检测电路以及第二检测电路，其中，位于混合电压源间的第一双载子晶体管组、第二双载子晶体管组中的NPN双载子晶体管将藉由同样位于电压源间的第一检测电路与第二检测电路以决定是否导通，而作为阻隔混合电压源以及排除混合电压源间静电放电所产生的大电流。
一种电压静电放电保护电路

[发明专利]半导体元件-CN201710211371.8在审
发明人：温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件，包括具有P型导电型的基底、具有N型导电型的埋入层、NPN双载子接面晶体管以及具有P型导电型的第一井区。埋入层位于基底上。NPN双载子接面晶体管位于埋入层上。第一井区位于埋入层与NPN双载子接面晶体管之间。NPN双载子接面晶体管藉由第一井区与埋入层分离。
埋入层双载子接面晶体管井区半导体元件基底

[发明专利]静电放电保护电路-CN201710321504.7有效
发明人：郑嘉士;蔡青霖 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：硅控整流器包括了两个双载子接面晶体管。第一双载子接面晶体管的第一极耦接至硅控整流器的正极。第二双载子接面晶体管的第一极耦接至第一双载子接面晶体管的基极，基极耦接至第一双载子接面晶体管的第二极，第二极耦接至硅控整流器的负极。第一二极管的正极耦接至第一电压，负极耦接至硅控整流器的正极。第二二极管的正极耦接至第一双载子接面晶体管的基极，负极耦接至硅控整流器的负极。借此，可以提升静电放电保护能力。
耦接双载子接面晶体管硅控整流器正极二极管负极静电放电保护电路第一极静电放电保护能力

[发明专利]具有防治闭锁功能的静电放电保护电路-CN01135473.9有效
发明人：赖纯祥;刘孟煌;苏醒;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-10-12 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：电性耦接至界面端与元件区的静电放电保护电路，至少包含第一双载子连接晶体管、第二双载子连接晶体管、第一金氧半晶体管与第二金氧半晶体管。两个双载子连接晶体管形成现有的硅控整流器，第一金氧半晶体管位于界面端与第二双载子连接晶体管间而第二金氧半晶体管连接第二双载子连接晶体管发射极到电压相对低点，并且两个金氧半晶体管的栅极皆电性耦接到与元件区工作电压相等的电压基准点当元件区未被启动时，硅控整流器会被闭锁而提供静电放电保护功能；当元件区启动时，第二金氧半晶体管被导通而使部份流向第二双载子金氧半晶体管的电流改流到电压相对低点，减少二双载子连接晶体管间正回馈，进而消除硅控整流器的闭锁
具有防治闭锁功能静电放电保护电路

[发明专利]具温度感测的发光二极管封装技术-CN200410064442.9无效
发明人：吴政男;索灵劳伦提尼各鲁 -专利权人：雅捷科技股份有限公司
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具温度感测的LED封装，包括：一LED灯罩；至少一发光二极管晶粒，封装于LED灯罩中；以及一双载子晶体管，封装于LED灯罩中，并位于发光二极管晶粒旁，以感测发光二极管晶粒的温度。上述双载子晶体管的基极连接集极端。上述LED灯罩外有一控制电路连接发光二极管晶粒与双载子晶体管，接收双载子晶体管射极端与集极端之间的电压，并利用双载子晶体管电压与温度的线性关系，调整该控制电路的输出电流，使发光二极管晶粒的温度维持恒定。
温度发光二极管封装技术

[发明专利]双载子反相器组件结构及其制造方法-CN201210089929.7无效
发明人：宋兆峰;谢彦敏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种双载子反相器组件结构及其制造方法，所述双载子反相器组件结构包括闸极配置于基板上。二个第一电极配置于基板上、位于闸极的两侧且位于第一平面。双极性半导体层配置于第一平面与第二平面之间。第一载子阻挡层配置于双极性半导体层与第一电极之间。第二载子阻挡层配置于双极性半导体层与第二电极之间。介电层配置于闸极及第二电极之间。本发明还包括制造上述双载子反相器组件结构的制造方法。
双载子反相器组件结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管驱动电路-CN200810087579.4无效
发明人：李门铿 -专利权人：旭彩光电股份有限公司
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一种发光二极管驱动电路，其包括一双载子接面晶体管、一调变模块、一发光二极管负载以及一低通模块。双载子接面晶体管以一射极电性连接一直流电源；调变模块以一输出端电性连接双载子接面晶体管的一基极；发光二极管负载提供一回授信号予调变模块的一输入端；而低通模块电性连接于双载子接面晶体管的一集极与发光二极管负载之间本发明的双载子接面晶体管被操作于一线性区，藉此，调变模块可以通过双载子接面晶体管来线性地调整发光二极管负载的亮度，进而避免发光二极管负载的光源闪烁等问题。
发光二极管驱动电路

[发明专利]双载子电晶体组件结构及其制造方法-CN201210089928.2无效
发明人：宋兆峰;谢彦敏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种双载子电晶体组件结构及其制造方法，所述双载子电晶体组件结构包括基板、闸极、源极、漏极、介电层、双极性半导体层与载子阻挡层。闸极配置于基板上。源极与漏极配置于基板上且位于闸极的两侧。双极性半导体层至少配置于源极与漏极之间。载子阻挡层配置于双极性半导体层及源极与漏极之间。所述制造方法包括在基板上形成一源极与一漏极；于所述基板上形成一载子阻挡层及一双极性半导体层；于所述双极性半导体层上形成一介电层；以及于所述源极与所述漏极之间的所述介电层上形成一闸极，其中所述介电层将所述闸极
双载子电晶体组件结构及其制造方法

[发明专利]能带隙参考电路及能带隙参考电流源-CN201010262224.1有效
发明人：胡敏弘;丁振国;吴振聪 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2010-08-23 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种能带隙参考电路包含有一第一双载子晶体管；一第一电阻，用来产生一正温度系数电流；一第二双载子晶体管；一第二电阻，用来产生一负温度系数电流；一第一运算放大器，耦接于该第一双载子晶体管及该第一电阻；一第二运算放大器，耦接于该第一双载子晶体管及该第二电阻；以及一零温度系数电流产生器，用来加总该正温度系数电流及该负温度系数电流，以产生一零温度系数电流。
能带参考电路电流

[发明专利]具有低寄生电容的静电放电保护结构及其静电放电保护电路-CN202010915650.4在审
发明人：沈佑书 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有低寄生电容的静电放电保护电路，包括第一双载子接面晶体管与第一静电放电功率钳位组件。第一双载子接面晶体管为NPN型的双载子接面晶体管，基极和发射极共同连接输入输出端，集电极连接第一静电放电功率钳位组件。第一静电放电功率钳位组件连接接地端。第一静电放电功率钳位组件可为齐纳二极管、NPN型、PNP型的双载子接面晶体管，或是类似组件。当注入正静电放电脉冲时，静电放电保护路径由第一双载子接面晶体管与第一静电放电功率钳位组件组成。
具有寄生电容静电放电保护结构及其电路

[实用新型]一种新型双平台移载机构-CN202221551318.5有效
发明人：胡争光;师利全;李小根;罗东;方天国 -专利权人：深圳市鑫三力自动化设备有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型双平台移载机构，包括输送线，该输送线通过若干支架固定于机台大板上，输送线为直线电机输送线，该直线电机输送线包括固定于若干支架上的立板以及安装于立板两面且沿立板长度方向分布的直线电机输送轨道；双平台移载机构还包括两组移载机构，该两组移载机构分别滑接于立板两面的双排向直线导轨上，各移载机构上均设置有直线电机动子，直线电机定子能够驱动直线电机动子沿双排向直线导轨移动，进而直线电机动子带动移载机构运动；本实用新型采用了一种双平台的移载机构方案，双平台在运行过程中上下错开，互不干涉，兼容多工位作业，空间占比小，升降平台可以根据放置产品的尺寸进行调整，可以进行长行程移载。
一种新型平台机构

[发明专利]一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺-CN202010586038.7有效
发明人：吴剑荣 -专利权人：吴剑荣
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，属于半导体技术领域，一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，本方案通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子的上下移动，将热量传递给热源收集箱内的水，既能提高对能量的可持续利用，同时细沙内的水积累到一定的程度滴落后，被已经下沉的双载传递动子包括其表面的变色硅胶吸收，对液态水的回流进行限制，减少液态水的再次进入浓盐酸内，并随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动，逐渐降低浓盐酸的含水量会，从而提高了硅和氯化氢合成为三氯化硅的效率。
一种基于快速合成技术单晶硅高效回收工艺

[实用新型]双氦检移载装置-CN202320585974.5有效
发明人：裴豆豆;邓乔兵;董亮 -专利权人：深圳市誉辰智能装备股份有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01M3/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双氦检移载装置，包括一个双动子移载模组、两个可移动的用于装载电池的腔体机构和分别固定在所述双动子直线模组两端的两个腔盖机构，双动子移载模组能交替驱动两个腔体机构分别移动到双动子移载模组中部的下上料工位供下料再上料，和分别移动到双动子移载模组两头的氦检工位的各自对应的腔盖机构的正下方，与腔盖机构盖合构成密封仓，供电池氦检。本实用新型的双氦检移载装置能交替驱动两个腔体机构分别供进行下上料和分别供进行氦检，可使下上料和氦检交替地同时进行，可成倍提高氦检效率。
双氦检移载装置

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