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[发明专利]一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法-CN201811347796.2有效
发明人：欧欣;伊艾伦;游天桂;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构的制备方法，包括提供碳化硅单晶晶片，通过氢离子注入在碳化硅单晶晶片中形成注入缺陷层并提供碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶晶片或碳化硅单晶薄膜上外延生长4H‑SiC单晶薄膜；将所述4H‑SiC单晶薄膜与一硅支撑衬底键合，得到包括碳化硅单晶晶片、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；剥离，得到包括碳化硅单晶薄膜、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；表面处理以除去碳化硅单晶薄膜，得到包括4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构。
一种硅基异质集成 sic 外延薄膜结构制备方法

[发明专利]一种同质/异质混合外延生长大尺寸单晶金刚石的制备方法-CN202111075236.8有效
发明人：周兵;于盛旺;马永;王永胜;郑可;黑鸿君;吴艳霞;高洁 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种同质/异质混合外延生长大尺寸单晶金刚石的制备方法，首先将小尺寸单晶金刚石晶种边缘研磨抛光成平直表面；根据单晶金刚石晶种尺寸对氧化钇稳定氧化锆（YSZ）单晶晶片表面刻蚀处理，形成具有凹槽和边框的YSZ单晶晶片衬底，将单晶金刚石晶种放入YSZ单晶晶片衬底槽内，在该衬底表面外延生长YSZ单晶薄膜缓冲层；将YSZ单晶薄膜减薄抛光至平整表面并显露出镶嵌单晶金刚石晶种和YSZ边框的复合衬底模板；在复合衬底表面外延生长一层铱单晶薄膜，并对铱薄膜处理以形成栅格化复合衬底；最后在栅格化复合衬底表面外延生长单晶金刚石。该方法对降低外延缺陷和界面失配，提高大尺寸单晶金刚石的外延生长质量具有显著意义。
一种同质混合外延生长尺寸金刚石制备方法

[发明专利]一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片-CN202210245418.3有效
发明人：徐志群;孙彬;付明全;杨振忠;马伟萍 -专利权人：广东高景太阳能科技有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片，涉及半导体硅片的生产制造领域，能够生产出120微米厚度以下的单晶硅片，从而能够降低硅片的生产成本。具体方案包括：获取单晶硅，并将单晶硅固定于晶托；控制晶托固定有单晶硅的一侧下压，利用切割装置对单晶硅进行切割，切割装置包括：金刚石切割线，金刚石切割线包括颗粒粒径范围在4~10μm的金刚石，金刚石切割线的张力为4.7~5.7牛；在切割过程中利用喷淋装置对单晶硅进行喷淋处理，且利用导轮吹气装置对切割装置进行清洁处理；下压切割行程结束后，控制晶托上移，再将单晶硅从晶托处脱离，得到多个单晶硅片；将单晶硅片逐片插入花篮中，对每个单晶硅片进行清洗处理，得到多个目标单晶硅片。
一种单晶硅生产方法

[实用新型]一种低反射率且具有防护性的单晶硅片-CN201820995868.3有效
发明人：陈春成;戚建静 -专利权人：江苏晶品新能源科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了单晶硅片技术领域的一种低反射率且具有防护性的单晶硅片，包括防护壳，所述防护壳的内腔中部设置有单晶硅片，所述单晶硅片的顶部设置有吸光层，所述吸光层包括上吸光板和下吸光板，所述防护壳的四周内壁均设置有防护板，该装置在单晶硅片顶部设置吸光层，可以降低单晶硅片对阳光的反射效果，增加单晶硅片对阳光的吸收效率，而且吸光层中部还开设有多个单晶硅凸体，便于增加单晶硅片对光照采集的面积，从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率，防护壳内壁设置防护板，以及防护板上的防震棉，便于增加单晶硅片四周防护效果，避免防护壳在受到人体身碰撞后，造成单晶硅片与防护壳内壁发生撞击导致单晶硅片的损坏。
单晶硅片防护壳吸光层防护板低反射率顶部设置吸收效率防护性吸光板内壁本实用新型单晶硅反射效果防护效果光照采集内腔中部四周内壁防震棉凸体

[实用新型]蓝宝石单晶光纤端帽与蓝宝石单晶毛细管的连接结构-CN201621175580.9有效
发明人：薛鹏 -专利权人：天津恒瑜晶体材料股份有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蓝宝石单晶光纤端帽与蓝宝石单晶毛细管的连接结构，包括蓝宝石单晶光纤端帽、蓝宝石单晶毛细管以及设置在蓝宝石单晶光纤端帽、蓝宝石单晶毛细管之间的蓝宝石单晶隔片；蓝宝石单晶毛细管内放置有光纤，蓝宝石单晶毛细管的一端螺纹连接上述的蓝宝石单晶光纤端帽；蓝宝石单晶光纤端帽包括蓝宝石基质的端帽本体，端帽本体一端设有内螺纹孔，端帽本体的另一端设有与内螺纹孔连通的光束孔；蓝宝石单晶光纤端帽的光束孔与蓝宝石单晶毛细管中心孔在同一中心线上
蓝宝石光纤毛细管连接结构

[实用新型]一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统-CN201721587953.8有效
发明人：囤国超;肖祥江;吕春富;董汝昆;柳廷龙;陈朝向;杨嗣文;梁鹏 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，涉及磷化铟单晶生长制备技术领域，尤其是一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，其特征在于该系统包括单晶炉、氮气瓶、机械泵、减压阀和截止阀，单晶炉与氮气瓶和机械泵分别通过管道进行连通，所述的减压阀设置在单晶炉与氮气瓶连通的管道上，靠近单晶炉、氮气瓶和机械泵的管道上分别设置有截止阀。本实用新型的一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，设计科学，结构合理，通过机械泵与单晶炉连接结构，保证了单晶炉在充入氮气前，炉内的真空度达到所需标准，能有效改善磷化铟单晶的质量，有效降低氮气充入单晶炉内时压强，以便于控制单晶炉内的压强差，防止石英管发生爆炸，进而降低生产成本，提高生产效率。
单晶炉磷化铟单晶氮气系统氮气瓶机械泵生长减压阀氮气截止阀连通制备技术领域压强本实用新型连接结构生产效率石英管压强差炉内爆炸保证

[实用新型]一种光吸收性能好的单晶硅片-CN202021646519.4有效
发明人：王婷 -专利权人：江西久顺科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光吸收性能好的单晶硅片，包括单晶硅片本体，所述单晶硅片本体的顶部固定连接有防腐蚀层，所述防腐蚀层的顶部固定连接有防水层，所述单晶硅片本体包括P型单晶硅片和N型单晶硅片，所述N型单晶硅片的底部固定连接有金属导电层，所述P型单晶硅片的顶部设置有硅片层，所述硅片层的顶部设置有防反射层，所述防反射层的顶部设置有聚光层。本实用新型通过单晶硅片本体、防腐蚀层、防水层、P型单晶硅片、N型单晶硅片、金属导电层、硅片层、防反射层和聚光层的配合使用，具备光吸收性能好的优点，解决了现有的单晶硅片光吸收性能差，从而容易导致单晶硅片吸收效率低的问题
一种光吸收性能单晶硅

[实用新型]一种单晶硅棒拉制装置-CN202222092534.4有效
发明人：邓浩;文永飞;马少林;周锐;李侨;丁彪 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种单晶硅棒拉制装置。单晶硅棒拉制装置包括：主炉体；坩埚，坩埚设置于所述主炉体内，用于容纳硅料；加热器，加热器设置于主炉体内，用于将坩埚内的硅料加热成硅液，以从硅液中生长单晶硅棒；以及传热组件，传热组件设置于所述单晶硅棒拉制装置内，传热组件在单晶硅棒通过时至少部分与单晶硅棒接触，以传导单晶硅棒的热量。本申请实施例中，传热组件可以至少部分与单晶硅棒接触，以将单晶硅棒的热量通过接触式传导的方式快速传导至传热组件，以提高单晶硅棒的纵向温度梯度，提高单晶硅棒的晶体生长速度，从而，增大单晶硅棒的拉制效率并降低单晶硅棒的生产成本
一种单晶硅拉制装置

[发明专利]控制单晶高温合金再结晶的方法-CN202110982706.2有效
发明人：束国刚;任忠鸣;玄伟东;段方苗;王保军;李霞;白小龙 -专利权人：中国联合重型燃气轮机技术有限公司;上海大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制单晶高温合金再结晶的方法，所述控制单晶高温合金再结晶的方法包括以下步骤：步骤1：提供产生残余应力的单晶高温合金；步骤2：将所述单晶高温合金置于交变磁场中，并在预设温度下保持预设时间，以使所述单晶高温合金中的残余应力释放。根据本发明提供的控制单晶高温合金再结晶的方法利用交变磁场作用于单晶高温合金释放单晶高温合金中的残余应力，从而抑制了单晶高温合金中再结晶的形成。
控制高温合金再结晶方法

[实用新型]一种单晶炉用环形降氧工装及系统-CN202223493656.0有效
发明人：杨春祥;石鑫;董宇豪;何阳 -专利权人：乐山市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉技术领域，公开了一种单晶炉用环形降氧工装及系统，其中单晶炉用环形降氧工装，包括若干个弧形阻热装置，弧形阻热装置安装在单晶炉内的环形加热器的下方，弧形阻热装置安装在环形加热器上的相邻的两个脚板之间；单晶炉用环形降氧系统，包括单晶炉和上述的单晶炉用环形降氧工装。本实用新型能够解决单晶炉内的高氧问题，提高了生成的单晶硅的品质。
一种单晶炉用环形工装系统

[发明专利]单晶金刚石和使用该单晶金刚石的半导体元件-CN201880081889.7在审
发明人：大曲新矢;山田英明;茶谷原昭义;杢野由明 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种降低了位错密度的单晶金刚石。单晶金刚石(10)具备单晶金刚石层(2、3)。单晶金刚石层(2)形成于金刚石基板(1)之上，包含点缺陷。单晶金刚石层(3)配置在单晶金刚石层(2)之上。单晶金刚石层(2、3)具有比金刚石基板低的位错密度。
金刚石使用半导体元件

[发明专利]一种根据生长角度控制区熔单晶自动生长的方法-CN201711011148.5在审
发明人：尚锐刚;王永涛;李明飞;白杜娟;高源;鲁进军;张建;闫志瑞 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种根据生长角度控制区熔单晶自动生长的方法。在该方法控制的区熔单晶自动生长过程中，通过设置单晶生长角度，并且考虑由于单晶直径和熔区深度变化造成的熔区体积变化，从而精确计算出单晶达到预设直径时所需的多晶移动速度。同时线圈功率按照以直径为函数的曲线变化，该函数曲线通过手动拉晶数据拟合得到，在计算过程中，由于预设单晶直径与单晶生长角度有关，故线圈功率也是随单晶生长角度变化。通过如上设置保证多晶移动速度和线圈功率均为单晶达到预设直径的所需数值，且相互匹配，最终保证区熔单晶自动生长的精确控制。采用本方法生长出的区熔硅单晶不受设备与多晶原料影响，单晶肩部具有标准的外形尺寸，一致性非常高。
单晶生长单晶生长线圈功率预设控制区多晶熔区区熔硅单晶多晶原料方法控制函数曲线计算过程角度变化曲线变化深度变化生长过程数据拟合体积变化移动肩部拉晶匹配保证

[发明专利]一种单晶硅棒称重装置-CN202010394949.X在审
发明人：郭志锋 -专利权人：郭志锋
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01G17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅棒称重装置，其结构包括机体、称台、单晶硅棒第一提升机构、单晶硅棒、双向液压缸、移动式称重体、单晶硅棒第二提升机构、伸缩架，移动式称重体通过伸缩架与机体连接，移动式称重体顶部连接有称台，与现有技术相比，本发明的有益效果在于：通过单晶硅棒第一提升机构、单晶硅棒第二提升机构能够对单晶硅棒进行夹紧提升，后下降轻放于称台，防止单晶硅棒与称台的刚性碰撞，对单晶硅棒起到很好的保护作用，无须人工将单晶硅棒搬运到称台上进行称重，能够有效解决人工搬运单晶硅棒放置造成单晶硅棒磕碰受损的问题。
一种单晶硅称重装置

[发明专利]一种单晶硅籽晶重复利用的方法、铸造单晶硅片及其制备方法-CN201910076657.9在审
发明人：尹翠哲;王小兵 -专利权人：尹翠哲;王小兵
申请日： 2019-01-26 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅籽晶重复利用的方法，用于制备铸造单晶硅片，包括以下步骤：(1)将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部；在籽晶层上方设置熔融硅料，熔融硅料继承单晶硅籽晶的晶向结构生长，制得铸造单晶硅锭；(2)将步骤（1）得到的铸造单晶硅锭进行开方得到小方锭，在每个小方锭的底部区域切割得到尾料籽晶；(3)将步骤(2)得到的尾料籽晶与其他尾料籽晶或者新单晶硅籽晶互相拼接铺设在坩埚底部，按照步骤(1)的方法制得铸造单晶硅锭(4)将步骤（3）所述铸造单晶硅锭依次经过切片和清洗得到所述铸造单晶硅片。本发明提供的方法使单晶硅籽晶能够完全或部分重复利用，大大降低了铸造单晶的籽晶成本。
一种单晶硅籽晶重复利用方法铸造及其制备

[发明专利]单晶硅棒电阻率的测量方法及装置-CN202110180928.2在审
发明人：兰洵;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅棒电阻率的测量方法及装置，属于半导体技术领域。单晶硅棒电阻率的测量方法包括：对待测单晶硅棒头部硅片的电阻率进行测量；根据测量得到的电阻率、单晶硅电阻率和掺杂浓度的第一关系计算所述待测单晶硅棒头部的掺杂浓度；获取单晶硅棒电阻率的测算公式，所述测算公式的计算参数包括单晶硅棒不同位置的浓度比值和单晶硅棒头部的掺杂浓度；根据单晶硅棒不同位置的浓度比值和所述待测单晶硅棒头部的掺杂浓度计算所述待测单晶硅棒不同位置的电阻率。本发明能够计算固定位置处单晶硅棒的电阻率。
单晶硅电阻率测量方法装置