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- [发明专利]半导体结构-CN201710882925.7在审
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刘张李
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2017-09-26
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2018-01-30
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H01L29/78
- 本发明提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第一连接结构、第二连接结构以及拓展结构，所述栅极位于基底上，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述基底中并分别位于所述栅极两侧，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述拓展结构附着在所述第一连接结构上和/或所述第二连接结构上。在本发明提供半导体结构中，第一连接结构和第二连接结构作为电性连接分别引出第一掺杂区和第二掺杂区，通过附着在第一连接结构和/或第二连接结构上的拓展结构来减小导通状态时的等效电阻值，同时可实现不影响等效电容值大小，从而提高半导体结构的性能。
- 半导体结构
- [发明专利]半导体结构-CN201710884249.7在审
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刘张李
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2017-09-26
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2018-02-27
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H01L27/088
- 本发明提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第一连接结构和第二连接结构，所述栅极呈条形位于基底上并分别位于所述栅极两侧沿所述栅极的伸展方向延伸，所述第一连接结构连接所述第一掺杂区，所述第二连接结构连接所述第二掺杂区，所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增且与所述第一连接结构递增方向相反的方向递增。在本发明提供半导体结构中，通过所述第一连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向递增，同时所述第二连接结构的横截面积沿所述栅极的延伸方向且与所述第一掺杂区递增方向相反的方向递增，提高半导体结构的性能。
- 半导体结构
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