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[发明专利]一种半导体生产线的控制调度方法及装置-CN202110205887.8有效
发明人：李莉;林国义 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体生产线的控制调度方法及装置，旨在解决准确调控调度半导体生产线资源，使其准时交货率更高。所述方法部分其包括：获取半导体生产线的当前的短期性能指标；通过计算半导体生产线的短期性能指标获取预测准时交货率，判断当前的预测准时交货率是否低于预设阈值，若预测准时交货率低于阈值，则对半导体生产线进行重调度，调整半导体生产线的短期性能指标的数值，根据半导体生产线的短期性能指标的数值生成半导体生产线调度方案。本发明能够有利于半导体生产线的资源调控、保证半导体生产线的生产效率和准时交货。
一种半导体生产线控制调度方法装置

[发明专利]一种半导体制备系统-CN202310989838.7在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：国镓芯科（成都）半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制备技术，具体公开了一种半导体制备系统，包括生产单元和中控单元，生产单元用于半导体的制备生产，中控单元用于对生产单元在进行制备生产半导体时，对其工作状况进行精确控制，其中，生产单元包括：外机体和半导体制备室，半导体制备室位于外机体内部，且其自上而下设有半导体制备腔和半导体成型腔，在半导体制备腔和半导体成型腔之间还设有流通管，半导体制备腔为一密闭腔室，在其内部蓄有镓液，半导体制备腔的侧部还安装有第一加热组件，在半导体制备腔的顶部贯穿设有延伸至外机体外部的第一输入管，第一输入管的底端通过伸缩件连接有分流件，提升整个系统的智能化和便捷化，并确保最终生成的半导体成品质量更好。
一种半导体制备系统

[发明专利]半导体器件中实现载流子寿命控制的结构及其制造方法-CN201310321062.8有效
发明人：张栋;黄国华;王明杰;吕国琦 -专利权人：上海北车永电电子科技有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L29/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种半导体器件中实现载流子寿命控制的结构及其制造方法。本发明中，该半导体器件中实现载流子寿命控制的结构包括半导体衬底、绝缘介质层、和半导体外延层；该绝缘介质层位于半导体衬底和半导体外延层之间，且该绝缘介质层由多个岛状绝缘介质块组成，且岛状绝缘介质块的直径小于3μm；在半导体外延层与绝缘介质层的交界面处具有因晶格不匹配而形成的缺陷。该半导体器件中实现载流子寿命控制的结构的生产涉及的设备和工艺都是传统半导体生产工程中常用的技术，与统的半导体生产线兼容性更好，容易在半导体生产线上实施，具有更低的生产成本。
半导体器件实现载流子寿命控制结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380072766.4在审
发明人：平林康弘;大西徹;西胁克彦;斋藤顺 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-02-12 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明使用依次层压有表面侧半导体层、绝缘层和背面侧半导体层的SOI基板，批量生产对半导体层的厚度进行了管理的纵型的半导体装置。对SOI基板的表面实施从表面实施的处理，并从SOI基板的背面进行蚀刻而去除背面侧半导体层和绝缘层以使表面侧半导体层的背面露出，并对露出的表面侧半导体层的背面实施从背面实施的处理。能够准确地管理SOI基板的表面侧半导体层的厚度，并批量生产具有与表面侧半导体层相同的厚度的半导体层的半导体装置。在不为形成有作为半导体装置而发挥作用的半导体结构的有源区域的区域中，无需去除背面侧半导体层和绝缘层。还能够批量生产在有源区域中去除了绝缘层和背面侧半导体层，而在外围耐压区域中保留了绝缘层和背面侧半导体层的纵型的半导体装置。能够成品率较高地批量生产高性能的半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的生产管理方法及半导体衬底-CN200510113762.3无效
发明人：米田义之 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的生产管理方法及半导体衬底。该方法包括如下步骤：在已形成多个半导体器件的半导体衬底上设置至少一个标签区域，该标签区域设置有能够在不进行物理接触的条件下读出/写入信息的标签；在不与半导体衬底接触的条件下，将每个半导体器件的生产管理信息写入标签中；以及在划分半导体衬底之后从标签中读出生产管理信息，并基于生产管理信息选取无缺陷的半导体器件。
半导体器件生产管理方法半导体衬底

[发明专利]监控退火设备出现小颗粒尺寸缺陷的方法-CN201410469249.7在审
发明人：何理;许向辉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种监控退火设备出现小尺寸颗粒缺陷的方法，用于在半导体设备进行工艺监控，包括；提供监控用半导体衬底以及生产用半导体衬底，所述监控用半导体衬底没有图形；将所述监控用半导体衬底以及生产用半导体衬底按照相同的半导体工艺流程在所述半导体设备中进行半导体工艺；在半导体工艺之后，将所述监控用半导体衬底上形成氧化层；基于形成有氧化层的监控用半导体衬底进行缺陷扫描判断，获得所述半导体设备的小尺寸颗粒缺陷的情况。
监控退火设备出现颗粒尺寸缺陷方法

[发明专利]半导体生产系统-CN201210559043.4无效
发明人：苏育家 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体生产系统，所述半导体生产系统包括生产设备和生产设备控制系统，所述生产设备控制系统用于控制所述生产设备进行半导体生产工艺，所述生产设备控制系统进一步包括无线通信模块，所述无线通信模块用于与移动终端设备通信本发明的半导体生产系统能够方便工艺人员了解半导体生产系统的状态。
半导体生产系统

[实用新型]半导体生产系统-CN201220713019.7有效
发明人：苏育家 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体生产系统，所述半导体生产系统包括生产设备和生产设备控制系统，所述生产设备控制系统用于控制所述生产设备进行半导体生产工艺，所述生产设备控制系统进一步包括无线通信模块，所述无线通信模块用于与移动终端设备通信本实用新型的半导体生产系统能够方便工艺人员了解半导体生产系统的状态。
半导体生产系统

[发明专利]一种半导体制造系统及其提高半导体制造质量的方法-CN202310677932.9有效
发明人：乔焜;陈治路 -专利权人：雅安宇焜芯材材料科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制造系统及其提高半导体制造质量的方法，包括半导体制造外壳、半导体制造内腔、以及半导体制造下壳，其特征在于，半导体制造外壳和半导体制造内腔呈圆柱形壳体，半导体制造内腔设置于半导体制造外壳内部并与半导体制造外壳同轴心，半导体制造下壳设置于半导体制造外壳的底部、且与半导体制造内腔连通，半导体制造下壳用于收集制造半导体时产生的副产物；本发明的通过对半导体制造系统的重构设计以及生产方法的重新规制确保了设备的安全性、生产的半导体的质量
一种半导体制造系统及其提高质量方法

[发明专利]生产包括半导体部分和非半导体部分的装置的系统和方法-CN201210018554.5有效
发明人： T.加蒙;N.豪艾斯;M.拉里施;O.诺伊霍夫;D.皮科尔茨;F.赖特纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及生产包括半导体部分和非半导体部分的装置的系统和方法。一种系统生产包括半导体部分和非半导体部分的装置。前端被配置为接收半导体部分并且对该半导体部分进行加工。后端被配置为接收经加工的半导体部分并且将经加工的半导体部分和非半导体部分组装成装置。传输装置被配置为自动地处置前端中的半导体部分并且自动地将经加工的半导体部分传输到后端。
生产包括半导体部分装置系统方法

[发明专利]半导体器件及其生产方法-CN201410083341.X有效
发明人： A·毛德;R·奥特雷姆巴;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括提供半导体衬底；在衬底上提供至少一个半导体器件，该半导体器件具有与半导体衬底相对的背面和朝向半导体衬底的正面；在半导体器件的背面上提供接触层；将接触层接合到辅助载体；并且从衬底分离该至少一个半导体器件此外，本发明还提供一种根据该方法生产的半导体器件和中间产品。
半导体器件及其生产方法

[发明专利]一种动态模拟半导体生产系统废气处理的方法及装置-CN202310152028.6有效
发明人：程星华;杨光明;卢芳慧;曹东;李卫佳;缪怡君;赵晓妍;解敏 -专利权人：中国电子工程设计院有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态模拟半导体生产系统废气处理的方法及装置，方法包括如下步骤：采集目标半导体生产工艺，以及半导体生产系统中的设备布局信息；确定生产目标半导体的目标机台组、目标机台和生产物流路径；获取第一生产节拍和第二生产节拍，结合目标半导体的生产物流路径，给出目标机台及目标机台组所产生的废气数据；获取目标机台组的废气处理信息和第三生产节拍，结合时间控制指令，给出针对半导体生产系统废气处理的动态模拟。将生产设备和腔体进程、生产节拍等参数囊括，实现了半导体生产系统废气处理动态模拟，为设备选型、管路设计、动能用量提供更精准的参考。
一种动态模拟半导体生产系统废气处理方法装置

[发明专利]半导体器件以及其制作方法-CN200310123567.X有效
发明人：桑原秀明;高山彻;后藤裕吾;丸山纯矢;大野由美子;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种低成本，小体积，并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术，将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上，从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比，本发明可以用更低成本，并更高产量地大量生产半导体器件，而且可以减少每个半导体器件的生产成本。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]生产报表的更新方法、生产控制系统、装置、介质和设备-CN202110824172.0在审
发明人：王剑平;蒋治纬;王晓;李忠雄;王柏皓;孙克武;余露;操津津 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06F16/23 文献下载
摘要：本公开提供了一种生产报表的更新方法、生产控制系统、装置、介质和设备，涉及半导体制造技术领域。该半导体生产报表的更新方法是基于实时得到的目标生产数据对已有的半导体生产报表进行实时更新，而无需每次都重新建立新的半导体生产报表，更新效率高；同时，本公开实施例中的目标生产数据是基于由半导体在各生产设备上的最大停留时间与当前时刻确定的目标时间区间，在历史生产数据库中查询得到的，而无需每次都重新获取大量的重复历史数据，可以在保证半导体生产报表准确性的前提下大大减小数据量，从而提高数据处理效率与半导体生产报表的更新效率。
生产报表更新方法控制系统装置介质设备

[发明专利]缺陷率预测模型的训练方法、装置及系统-CN201711478609.X有效
发明人：经晶;刘倩 -专利权人：英特尔产品（成都）有限公司;英特尔公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本申请提供一种用于训练半导体芯片生产过程中的第一半导体芯片生产装置的缺陷率预测模型的方法，包括：采用逻辑回归模型来从第一半导体芯片生产装置的历史半导体芯片样本数据集中的样本数据的参数集中选择出一种或多种最适合预测参数；以及使用所选择出的一种或多种最适合预测参数的参数值来训练缺陷率预测模型，所述缺陷率预测模型用于预测位于第一半导体芯片生产装置下游的一个或多个第二半导体芯片生产装置所生产出的半导体芯片的缺陷率。利用该方法，可以训练出供在第一半导体芯片生产装置处使用的缺陷率预测模型，由此可以实现在预测出的缺陷率超过预定阈值时，及时对第一半导体芯片生产装置进行缺陷维护处理。
半导体芯片缺陷率生产装置预测模型样本数据预测参数逻辑回归模型装置及系统生产过程阈值时预测申请维护生产

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