“刻蚀残留物”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2790258个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]去除刻蚀残留物的方法-CN200610026325.2有效
发明人：王灵玲;宋铭峰;郭佳衢;李建茹;方标;刘轩;王秀;郑莲晃;王润顺 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-04-30 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除刻蚀残留物的方法包括：提供一半导体衬底；在衬底上形成功能层，在所述功能层表面形成掩膜层；图案化所述掩膜层；干法刻蚀所述功能层以形成所需图形并采用气体喷流去除刻蚀残留物；湿法清洗去除刻蚀残留物本发明的另一种去除刻蚀残留物的方法在刻蚀所述功能层以形成所需图形之后先利用湿法去除刻蚀残留物；然后采用灰化方法去除刻蚀残留物；最后进行灰化后的清洗。本发明的刻蚀残留物去除方法对刻蚀后聚合物残留物有很好的去除效果，而且能够抗止光刻胶去除后的残留物再沉积，很好地解决了由于被去除残留物的再沉积而引起的例如堵塞通孔等问题。
去除刻蚀残留物方法

[发明专利]光阻的去除方法、半导体器件的制作方法及半导体器件-CN201410415556.7在审
发明人：李敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：其中，光阻形成于半导体基体上，该去除方法包括以下步骤：湿法刻蚀光阻，湿法刻蚀工艺在半导体基体上产生光阻残留物；干燥含有光阻残留物的半导体基体；湿法去除光阻残留物。该去除方法通过湿法刻蚀光阻并在半导体基体上产生光阻残留物，然后干燥含有光阻残留物的半导体基体，使得光阻残留物和半导体基体之间的刻蚀液得以去除，并减少了光阻残留物和半导体基体之间由于刻蚀液的表面张力引起的粘结力，从而更有利于通过后续湿法工艺去除光阻残留物，进而减少了光阻去除过程中产生的光阻残留物。
去除方法半导体器件制作方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202211128867.6在审
发明人：张富伟;王莎莎;袁智琦;韩岩岩 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，通过SiCoNi刻蚀工艺去除衬底表面的第一介质层，以及衬底内的隔离沟槽的侧壁上的第一介质层，所述SiCoNi刻蚀工艺采用的反应气体为含氟气体；进行退火工艺，以将SiCoNi刻蚀工艺中产生的固体残留物分解为气体残留物；以及，进行排气工艺，以去除所述气体残留物。本发明通过在退火工艺之后增加排气工艺，去除了SiCoNi刻蚀工艺中的固体残留物分解而成的气体残留物，减少SiCoNi刻蚀后晶圆表面的氟含量，从而减少或避免晶圆表面出现残留物缺陷。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310342355.8在审
发明人：江新泽;刘寒 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供的一种半导体结构及其制造方法中，由于在刻蚀介质材料层和氮化材料层形成沟槽的过程中，先对介质材料层执行至少一次第一刻蚀工艺，并在每次执行第一刻蚀工艺之后，执行去除工艺以去除残留在沟槽内的第一残留物从而在刻蚀介质材料层和氮化材料层形成沟槽的过程中去除因刻蚀而残留在沟槽内的残留物，而非在形成沟槽之后再去除残留在沟槽内的残留物，如此能够避免出现沟槽内的残留物无法去除干净和残留物的堆积导致刻蚀效果较差的问题
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种等离子刻蚀残留物清洗液-CN200810042569.9有效
发明人：刘兵;彭洪修;彭杏;于昊 -专利权人：安集微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液，其包含溶剂、水和氟化物，其还含有含颜料亲和基团的星形聚合物。本发明的等离子刻蚀残留物清洗液可以有效去除等离子刻蚀后的光阻残留物、同时可以高效的抑制金属(尤其是铝)和非金属的腐蚀、有较大的清洗和漂洗的操作窗口。
一种等离子刻蚀残留物清洗

[发明专利]在凹槽中填充铜的工艺方法-CN202011501847.X在审
发明人：谭林;石基;吴坚 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在凹槽中填充铜的工艺方法，包括：步骤一、采用刻蚀工艺在层间膜中形成多个凹槽；各凹槽的内侧表面会形成刻蚀残留物；部分或全部的凹槽的底部将底层铜层的表面暴露，在等待时间内暴露的底层铜层的表面会形成氧化铜；步骤二、进行预清洗以同时去除残留物和氧化铜，包括：步骤21、采用带正电荷的惰性气体离子进行溅射刻蚀以去除刻蚀残留物；步骤22、采用H离子对氧化铜进行还原以去除氧化铜；步骤三、形成铜扩散阻挡层；步骤四、本发明能在预清洗工艺中同时去除刻蚀残留物和氧化铜，能防止刻蚀残留物对铜扩散阻挡层和铜籽晶层产生污染并从而能防止由此产生的铜缺失缺陷。
凹槽填充工艺方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310322870.X在审
发明人：孙兴;杨谊;佟金刚 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及制造方法，由于在执行第二刻蚀工艺去除衬底背面的氮化硅层之前，执行第一刻蚀工艺以去除至少部分残留在氮化硅层上的残留物，如此以避免执行第二刻蚀工艺去除氮化硅层时，残留物作为阻挡层降低第二刻蚀工艺刻蚀氮化硅层的刻蚀速率，而导致氮化硅层刻蚀量不够，由于背面残留物分布不均，进而使得衬底背面不平整的问题影响后续制程最终形成的半导体结构性能较低的问题。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法-CN201410218925.3在审
发明人：刘焕新;胡春周;黄晓辉;宋立军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C11D7/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法。本申请还提供了一种清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法。清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法包括：配制本申请提供的清洗试剂；将经刻蚀形成的半导体器件与清洗试剂进行接触，清洗去除半导体器件中的刻蚀残留物。本申请提供的清洗试剂能够十分有效地去除刻蚀残留物，并且该试剂对金属层、介质层及衬底等半导体器件具有非常低的刻蚀速率，从而避免了清洗试剂对芯片的损害，提高了半导体器件的稳定性。
清洗试剂半导体器件刻蚀残留物方法金属互连制作方法

[发明专利]磷酸刻蚀残留物的清洗方法、硅晶片及其加工方法、芯片-CN202310533405.0在审
发明人：欧阳文森;王胜林 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种磷酸刻蚀残留物的清洗方法、硅晶片及其加工方法、芯片。该磷酸刻蚀残留物的清洗方法包括：对磷酸刻蚀后的样品进行第一水洗，第一水洗的温度为55℃~70℃；对第一水洗后的样品进行SC1清洗液清洗，SC1清洗液清洗的温度为60℃~70℃；对SC1清洗液清洗后的样品进行第二水洗该磷酸刻蚀残留物的清洗方法对于磷酸残留物的去除效果较好，能够减少样品表面的磷酸残留物的量，同时能够减少样品表面水痕的出现。
磷酸刻蚀残留物清洗方法晶片及其加工芯片

[发明专利]隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法-CN201810119512.8有效
发明人：林杰;徐鸾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明揭示了一种隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法，所述隔离结构的形成方法包括：提供有源区；在所述有源区上形成前端材料层；图案化所述前端材料层形成开口，所述开口中形成有残留物；以所述开口为基准第一次刻蚀所述有源区形成初始凹槽，所述初始凹槽中形成有凸起，所述凸起位于所述残留物下方；减小所述凸起的宽度，并去除所述残留物；以所述初始凹槽为基准第二次刻蚀所述有源区形成隔离凹槽；以及在所述隔离凹槽中形成隔离结构。于是，本发明中的隔离凹槽是两次刻蚀形成，能够消除刻蚀前端材料层时产生的残留物和由于该残留物导致的有源区凸起缺陷，使得隔离结构正常的形成，确保了隔离结构的质量。
隔离结构形成方法半导体器件

[发明专利]一种刻蚀的方法-CN201210518429.0在审
发明人：姬亚东;方绍明;陈志聪 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀的方法，用于解决现有技术中由于将去除光刻胶及残留物放在流程的最后一步，中间不进行光刻胶以及窗口残留物去除，造成附着在窗口的残留物影响继续刻蚀及离子注入等步骤的进行的技术问题，包括：通过光刻胶层上面的第一开口刻蚀位于所述光刻胶层下面的BPTEOS层，及位于所述BPTEOS层下面的LPTEOS层，生成一深度至位于所述LPTEOS层下面的硅片层上表面的第二开口；去除所述BPTEOS层表面的所述光刻胶层；去除在刻蚀形成所述第二开口过程中残留在所述第二开口内壁的残留物；通过所述第二开口刻蚀所述硅片层上表面，在所述硅片层上表面形成位置与所述第二开口对应的第三开口。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种氧化物层的刻蚀方法-CN202310046272.4在审
发明人：欧阳文森;王胜林;黄珊;周盼盼 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物层的刻蚀方法，包括：提供包括第一器件区和第二器件区的衬底，在衬底上形成有氧化物层；在氧化物层上形成仅暴露第一器件区的第一图案化光刻胶层；以第一图案化光刻胶层为掩模，对第一器件区的氧化物层进行第一次刻蚀；去除第一图案化光刻胶层；形成仅暴露第二器件区的第二图案化光刻胶层，第二器件区的氧化物层上形成有光刻胶残留物；以第二图案化光刻胶层为掩模，对第二器件区的氧化物层进行第二次刻蚀，以去除光刻胶残留物以及第二器件区的氧化物层本发明提供的方法，在第二步刻蚀时选择对光刻胶残留物具有去除效果的刻蚀液，能有效解决光刻胶残留物阻挡第二步刻蚀并形成残留氧化物层的问题。
一种氧化物刻蚀方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀残留物清洗液-CN201911407714.3在审
发明人：肖林成;刘兵;彭洪修;张维棚;赵鹏 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体刻蚀残留物清洗液，包括氧化剂、pH调节剂、稳定剂、有机酸铵盐、金属缓蚀剂、以及水。本发明提供了一种等离子体刻蚀残留物清洗液，可有效去除晶圆清洗过程中的等离子体刻蚀残留物，并且，在金属孔道中的残留物少；对氮化钛的刻蚀具有高选择性，能够高效去除氮化钛硬掩模；并且在高转速单片机清洗中对金属材料和非金属材料以及
一种等离子体刻蚀残留物清洗

[发明专利]一种去除光刻胶残留物的方法-CN202310046274.3在审
发明人：欧阳文森;王胜林;贾鑫;乔学军 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除光刻胶残留物的方法，包括：提供晶圆，在晶圆上形成第一图案化光刻胶层，此时第一图案化光刻胶层所暴露的区域存在光刻胶残留物；对晶圆进行等离子体预处理，以去除光刻胶残留物，等离子体预处理的工艺气体至少包含本发明提供的一种去除光刻胶残留物的方法，可有效去除光刻胶残留物，避免光刻胶残留物因阻挡后续刻蚀的正常进行而形成刻蚀残留层的问题；本发明的方法，仅需增加一道简短的等离子体预处理，无需对现有工艺流程进行较大改动
一种去除光刻残留物方法

[发明专利]相移掩模遮光层残留物修复方法-CN200910055901.X无效
发明人：钱芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种相移掩模遮光层残留物修复方法，对覆盖在形成有接触孔的相移图层上的遮光层残留物进行修复，包括以下步骤：刻蚀位于接触孔四周的部分遮光层残留物曝露出其下的相移图层。该方法无需将所有残留遮光层都刻蚀掉，仅将非正常接触孔四围的残留遮光层刻蚀为不规则形状即可达到有效的改善接触孔的线宽和穿透率的明显效果。
相移遮光残留物修复方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条