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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种钛蚀刻液-CN201711439632.8有效
发明人：孙广胜;刘兵 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23F1/38 文献下载
摘要：本发明提出一种钛蚀刻液，包括碱，磷酸三钾，C4‑C6多元醇，带有颜料吸附基团的星型共聚物，乙二胺四甲叉磷酸，双氧水以及水。该蚀刻液在有效去除晶圆上钛的同时，对于基材如金属铜、铝、钨、金等低腐蚀，使用寿命长，在半导体晶片蚀刻等领域具有良好的应用前景。
一种蚀刻

[发明专利]一种精馏玻璃设备的清洗方法-CN201910938740.2有效
发明人：丁姜宏;刘兵;彭洪修 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种精馏玻璃设备的清洗方法，通过后续清洗，可以将精馏玻璃设备可以应用于ppb级试剂的制备中，解决了高硅硼玻璃在电子级试剂制备中的应用过程中金属离子、杂质颗粒溶出的问题，在玻璃清洗领域具有良好的使用前景。
一种精馏玻璃设备清洗方法

[发明专利]一种化学机械抛光液及其使用方法-CN202210066663.8在审
发明人：姚颖;王欣;荆建芬;邱欢;明伟;陆弘毅;李昀;魏佳;郑闪闪;汪国豪;王苗苗 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂，水溶性纤维素、非离子表面活性剂和水。本发明中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷和介质层侵蚀均有很好的修复与控制能力。
一种化学机械抛光及其使用方法

[发明专利]一种化学机械抛光液及其应用-CN202111654879.8在审
发明人：杨俊雅;荆建芬;郑闪闪;蔡鑫元;李瑾琳;王曦;唐浩杰;汪国豪;杨征;王苗苗 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包含研磨颗粒，络合剂，腐蚀抑制剂，羧酸酯类化合物，金属表面缺陷改善剂和氧化剂。本发明中的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的金属铜去除速率，并且对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比，同时可以改善抛光后铜线的碟形凹陷和介质层侵蚀，并降低抛光后的铜表面粗糙度和表面缺陷数。
一种化学机械抛光及其应用

[发明专利]一种电子级柠檬酸的制备方法及其装置-CN201711452572.3有效
发明人：张新胜;钮东方;柳俊;荆建芬;王晓东;杨俊雅;张建;马健;蔡鑫元;宋凯 -专利权人：华东理工大学;安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B01D61/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子级柠檬酸的制备方法及其装置，包括以下步骤，步骤一：筛选一阴离子交换膜；步骤二：利用超净电解法，利用步骤一中筛选得到的所述阴离子交换膜去除初始柠檬酸溶液中的部分金属离子，得到第一柠檬酸溶液；步骤三：利用超净电解法，进一步循环电解所述第一柠檬酸溶液，去除所述第一柠檬酸溶液中的第二部分金属离子，得到所述电子级柠檬酸。相比于传统工艺，不仅操作简单，清洁无污染，适用于工业化大规模生产，制得的电子级柠檬酸中仅包含20ppb以下的微量金属离子，所得电子级柠檬酸纯度更高。
一种电子柠檬酸制备方法及其装置

[发明专利]一种碱性化学机械抛光液-CN202111658503.4在审
发明人：何华锋;王晨;史经深;朱峻立;李星;顾钦源 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碱性化学机械抛光液，包括：二氧化硅研磨颗粒，有机碱、钾盐、阻聚剂、非离子型表面活性剂和水；其中所述非离子表面活性剂选自聚丙二醇、聚乙二醇‑聚丙二醇‑聚乙二醇三嵌段共聚物中的一种或多种。本发明中的碱性化学机械抛光液能够显著降低芯片表面缺陷，显著提高产品的良率，同时具有比较高介电层二氧化硅的去除速度。
一种碱性化学机械抛光

[发明专利]一种纳米颗粒沉降检测装置及其应用-CN202111660264.6在审
发明人：李节;尹先升;刘同君;冯家辉;翁绍亮 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01N15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米颗粒沉降检测装置，包括：沉降柱，用于所述纳米颗粒进行沉降，所述沉降柱的柱体上设有竖直方向上均匀分布的取样口；检测模块，包括压力传感器与控制装置，用于测量和记录和分析所述沉降柱内的压力；底座，包括底盘和支架，用于固定与支撑所述沉降柱。本发明提供的纳米颗粒沉降检测装置，能够检测纳米颗粒的沉降情况，借助沉降方法能够有效减小纳米颗粒的粒度分布宽度，并能评价批次间的稳定性；同时，便于取样，可以与其他检测装置联用，更加灵活、方便，具有广泛的使用前景。
一种纳米颗粒沉降检测装置及其应用

[发明专利]一种合成氧化铈的方法及一种化学机械抛光液-CN202111654878.3在审
发明人：尹先升;刘同君;李节;冯家辉;翁绍亮 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种合成氧化铈的方法，包括：S1：配置铈源水溶液，并向所述铈源水溶液中掺杂稀土元素；S2：配置沉淀剂水溶液，在反应釜中将所述铈源水溶液添加至所述沉淀剂水溶液中，制得混合溶液；S3：晶化反应：充分搅拌所述混合溶液，密闭所述反应釜进行高温晶化反应；所述S1‑S3中涉及原料均经惰性气体曝气处理，所述S1‑S3均在惰性气体保护氛围中完成。本发明合成氧化铈的方法最终得到的氧化铈颗粒粒径均匀，能够有效降低对硅晶圆表面的划伤，具有广泛的推广应用价值。
一种合成氧化方法化学机械抛光

[发明专利]一种合成氧化铈的方法、一种氧化铈及一种化学机械抛光液-CN202111658452.5在审
发明人：刘同君;尹先升;冯家辉;李节;翁绍亮 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C01F17/235 文献下载
摘要：本发明提供一种合成氧化铈的方法，包括：S1.准备原料，配制铈源水溶液和碱性沉淀剂溶液；S2.晶化合成，将铈源水溶液和碱性沉淀剂溶液送入反应釜中进行晶化反应，反应全程通入惰性气氛保护；S3.经洗涤、分散、过滤得到氧化铈颗粒。无需高温焙烧，最终得到的氧化铈颗粒粒径均匀，粒径分布窄，易于分散成为DLS：50nm～300nm的氧化铈抛光液，且粒径可控。能够有效降低对硅晶圆表面的划伤，具有广泛的推广应用价值。
一种合成氧化方法化学机械抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN202111597693.3在审
发明人：王嵩;朱薇菡;孙沉敏;谭明月;孙金涛;顾钦源;董泽同;王晨 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液，包括经非离子表面活性剂处理后的α‑氧化铝纳米研磨颗粒、氧化剂、有机羧酸、水和pH调节剂。本发明的化学机械抛光液使用非离子型表面活性剂来修饰具有正电表面的磨料颗粒的方法。所得纳米颗粒在有机酸的溶液环境下能保持长时间稳定，并具有良好的抛光性能。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液及其应用-CN202111625525.0在审
发明人：马健;荆建芬;李昀;杨俊雅;周靖宇;宋凯;陆弘毅;王拓;刘天奇;杨征 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液，包括：研磨颗粒，络合剂，烷醇酰胺表面活性剂，氮唑类腐蚀抑制剂和氧化剂；所述研磨颗粒平均粒径为40‑140nm；所述络合剂为氨羧化合物及其盐。本发明的优势在于：1)本发明的抛光液对铜的去除速率高，对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比；2)本发明的抛光液可以改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀。
一种化学机械抛光及其应用

[发明专利]一种化学蚀刻组合物及其应用方法-CN202111634116.7在审
发明人：张文贝;刘兵;彭洪修 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种化学蚀刻组合物，包括：氧化剂、络合剂、有机胺、有机溶剂、腐蚀抑制剂和去离子水。使用本发明提供的化学蚀刻组合物，能够有效刻蚀钼或钼基材料，同时避免对氧化硅和氧化铝等的刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
一种化学蚀刻组合及其应用方法

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN202111627749.5在审
发明人：殷天亮;郁夏盈;朱俊立;董泽同;王晨 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒，硅促进剂，氧化剂，pH调节剂和水。本发明中的化学机械抛光液能够在酸性条件下，显著提高多晶硅的去除速度。
一种化学机械抛光

[发明专利]蚀刻组合物-CN202111624865.1在审
发明人：张文贝;刘兵;彭洪修 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体蚀刻工艺领域，尤其涉及一种蚀刻组合物。一种蚀刻组合物，包括氢氧化铵的衍生物、氧化剂、含氟蚀刻剂、有机溶剂、腐蚀抑制剂和水。本发明蚀刻组合物不但特别适用应用于湿法蚀刻钼及氮化钛，且能够调节对钼/氮化钛的蚀刻选择性；采用了本发明的蚀刻组合物，在能够有效刻蚀钼或钼基材料以及氮化钛(或钛)的情况下，同时避免对氧化硅和氧化铝等的刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
蚀刻组合

[发明专利]一种绝缘膜抛光液及其使用方法-CN202111590690.7在审
发明人：徐鹏宇;王兴平;陈寅斌;刘凤如;贾长征;李守田 -专利权人： 安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘膜抛光液，包括：氧化铈，阴离子型高分子，阳离子型高分子，绝缘膜抑制剂和水；所述绝缘膜抛光液的抛光速率的图形抛光速率为无图形抛光速率5倍以上。本发明中的绝缘膜抛光液具有较好的稳定性，并且能够实现自动停止功能。
一种绝缘抛光及其使用方法

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