专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]大尺寸蓝宝石单晶的微量提拉制备法-CN200510010116.4有效
  • 韩杰才;孟松鹤;左洪波;张明福 - 哈尔滨工业大学
  • 2005-06-24 - 2006-01-25 - C30B15/00
  • 本发明涉及蓝宝石单晶生长方法,具体为一种微量提拉法生长蓝宝石单晶生长方法。将坩埚内的原料加热至熔化后,通过观察液面表面形态,调节炉内加热体发热量,使液面对流形态稳定;加热量调节范围100-2500W/h;熔体内位置与坩埚几何中心相对偏差不大于Φ20.0mm。在引晶工艺过程中,缓慢调节籽晶使其下端至熔体液面以上5-20mm处预热,消除热应力;利用传统提拉法工艺,沿偏离方向的5-15次引晶后使结晶中心转移至,配合旋转控制结晶端部形状使其沿籽晶中心轴对称并开始自
  • 尺寸蓝宝石冷心放肩微量制备
  • [发明专利]C偏M向蓝宝石单晶的生长方法-CN201510331362.3有效
  • 左洪波;杨鑫宏;张学军;李铁 - 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司
  • 2015-06-16 - 2017-10-27 - C30B29/20
  • 该蓝宝石单晶生长方法包括以下阶段升温化料、引晶、、等径、收尾拉脱和降温退火阶段,根据生长晶体重量及晶向要求,籽晶端面晶向为C偏M1°~89°,籽晶直径12~22mm。升温化料阶段适当延长保温时间;引晶阶段,适当增大籽晶杆水流量,做5~15个引晶层;阶段以两次90度旋转人为分三段控制,减小斜几率。本发明针对C偏M向晶体特点,在微量提拉法蓝宝石单晶生长炉结构的基础上改进单晶炉,通过对生长工艺进行控制,形成适于生长高品质、无斜的C偏M向蓝宝石单晶。
  • 蓝宝石生长方法
  • [发明专利]泡生法蓝宝石引晶形态控制方法-CN201210279358.3有效
  • 贾宝申;张向锋 - 无锡鼎晶光电科技有限公司
  • 2012-08-08 - 2012-10-31 - C30B17/00
  • 本发明涉及一种泡生法蓝宝石引晶形态控制方法,其包括如下步骤:a.将氧化铝原料装入单晶炉坩埚内,在籽晶杆上安装籽晶,启动真空系统及加热系统,调节加热系统的电压,以使得氧化铝原料全部融化并达到熔体表面对流稳定状态,并使得液面与坩埚几何中心偏离小于同时调节加热系统的工作电压,以避免籽晶熔融;c.在籽晶的下端部与上述熔体液面2~5mm处预热30min;d.利用传统提拉工艺,旋转籽晶,调节加热系统的工作电压,控制结晶端部的直径小于50mm,并使得结晶端部覆盖后开始
  • 泡生法蓝宝石晶形控制方法
  • [发明专利]一种重掺砷硅单晶的工艺-CN202211553223.1在审
  • 王凯磊;李英涛;王万华;皮小争;方峰;崔彬 - 山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
  • 2022-12-02 - 2023-06-06 - C30B27/02
  • 本发明公开了一种重掺砷硅单晶的工艺。该工艺的参数设定为:根据长度将过程分为初期、中期和后期,其中,初期为长度为1‑40mm的区间;中期为长度为40‑220mm的区间,后期为长度为220mm以上的区间;将降温速度定义为温度差值除以长度差值;将降温速率定义为温度差值除以原始温度;在初期,每20mm降温1‑3SP值,降温速度为0.05‑0.15,降温速率降低;在中期,每20mm降温1‑12SP值,降温速度为0.05‑0.6,降温速率呈现增大、减小、增大的趋势;在后期,每20mm降温3‑15SP值,降温速度为0.15‑0.75,降温速率较小。该工艺可大大提高放成活率。
  • 一种重掺砷硅单晶工艺

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