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[发明专利]一种用于设计分析目的的晶圆测试方法-CN201310097505.X无效
发明人：张涛;郝福亨 -专利权人：西安华芯半导体有限公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于设计分析目的的晶圆测试方法，在制作完成的晶圆表面制作再分布层，通过再分布层连接线将晶圆中芯片的若干第一焊盘与再分布层上与第一焊盘对应的若干第二焊盘连接，再分布层的第二焊盘位于微探针探测的区域以外，在再分布层的第二焊盘位置用探针卡的针对晶圆加测试激励，在芯片上用微探针对芯片进行信号测试，物理上就把探针卡的针和微探针分开，探针卡的针与微探针互相不影响；最大化地增加微探针和芯片的接触范围，保证信号测试能够正常进行
一种用于设计分析目的测试方法

[发明专利]半导体结构、半导体器件及其制造方法-CN202110474903.3在审
发明人：吴俊毅;余振华;刘重希 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：结构包括：芯衬底，附接至再分布结构的第一侧，其中，第一再分布结构包括第一导电部件和第一介电层，其中，每个芯衬底包括导电柱，其中，芯衬底的导电柱物理和电接触第一导电部件；密封剂，在再分布结构的第一侧上方延伸，其中，密封剂沿每个芯衬底的侧壁延伸；以及集成器件封装件，连接至第一再分布结构的第二侧。
半导体结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN202110767924.4在审
发明人：崔朱逸;姜圭浩;姜芸炳;金炳赞;朴峻泳;李种昊;黄贤洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：可以提供包括再分布基板的半导体封装件，再分布基板包括绝缘层和位于绝缘层中的再分布图案。每个再分布图案可以包括通路部分、与通路部分垂直地交叠的焊盘部分以及从焊盘部分延伸的线部分。
半导体封装

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811447838.X有效
发明人：李承远;李国政;郑允玮;林彦良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了集成电路组件的再分布层的示例性实施例。本发明的集成电路组件的再分布层包括一个或多个导电接触件阵列，一个或多个导电接触件阵列被配置和布置为允许接合波在接合期间排出再分布层之间的空气。这种一个或多个阵列的配置和布置在接合期间使再分布层之间的不连续部(诸如作为实例的气穴)最小化。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和形成集成电路封装件的方法-CN201911205785.5有效
发明人：余人睿;裴浩然;陈威宇;张家纶;林修任;谢静华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；密封剂，至少部分地密封集成电路管芯；位于密封剂上的再分布结构，再分布结构电连接至集成电路管芯，再分布结构包括焊盘；无源器件，包括物理和电连接至焊盘的导电连接件；以及保护结构，设置在无源器件和再分布结构之间，保护结构围绕导电连接件，保护结构包括环氧树脂助焊剂，保护结构中设置有空隙。
半导体器件形成集成电路封装方法

[发明专利]固态驱动器封装-CN201710601042.4有效
发明人：李光烈;金宝星;南泰德;李旺周 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：该固态驱动器封装可以包括集成电路基板和提供在集成电路基板上的多个第三芯片，集成电路基板包括：下再分布层；提供在下再分布层上的第一芯片和第二芯片；以及提供在下再分布层上的连接基板，连接基板被提供在第一芯片和第二芯片的外周上所述多个第三芯片经由连接基板和下再分布层电连接到第一芯片和第二芯片。
固态驱动器封装

[实用新型]一种电去离子高纯水装置-CN200420077411.2无效
发明人：周从章;吴开达;周益杰;赵莹;赵文艺 -专利权人：北京爱思泰克科技开发有限责任公司
申请日： 2004-07-08 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： C02F1/42 文献下载
摘要：一种电去离子高纯水装置，其特征在于，所述的电去离子高纯水装置在淡室隔板的亚室内沿水道设置多个水再分布器，即用水再分布器将亚室再分成若干部分，亚室内的水经再分布器重新分布，可以减少返混。
一种离子高纯水装置

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201910162651.3有效
发明人：庄博尧;蔡柏豪;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了半导体器件和制造工艺，其中，第一半导体器件电连接至再分布结构。天线衬底位于第一半导体器件的与再分布结构相对的侧上；以及电连接件与第一半导体器件分隔开，并且将天线结构连接至再分布结构。
半导体器件制造方法

[实用新型]低温甲醇二氧化碳吸收装置-CN202122581992.X有效
发明人：房建;郝双喜 -专利权人：北京大德广源石油技术服务有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低温甲醇二氧化碳吸收装置，包括：包括塔体，均与所述塔体连通且由上至下依次设置的净化气出口、贫液入口、原料气入口、富甲醇出口，上下间隔设于塔体内且位于贫液入口、原料气入口间的上填料堆、液体再分布器和下填料堆，所述液体再分布器包括：支撑盘；连通槽，其包括上行槽、对称设于所述上行槽两侧的一对下行槽；多个液体分布管，多个液体分布管均与一对连通槽连通，以分布连通槽内聚集的液体；挡盖。本实用新型具有通过液体再分布器的设置，将上填料堆的壁流引入聚集槽，而后通过多个液体分布管再分布，有效改善了液体分布的均匀性的有益效果。
低温甲醇二氧化碳吸收装置

[发明专利]一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺-CN201210426668.3有效
发明人：成文;杨晓生 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，包括如下步骤：（1）将硅片送入扩散炉；（2）升温过程；（3）恒温过程（可根据设备调整为多步恒温）；（4）第一次扩散（低温沉积）；（5）第一次低温分布；（6）第一次升温再分布；（7）第一次恒温再分布（可根据设备调整为多步恒温）；（8）第一次降温再分布；（9）第二次恒温再分布；（10）第二次扩散；（11）第二次降温再分布；（12）取出硅片。
一种实现深结低表面浓度晶体扩散工艺

[实用新型]填料塔截锥式再分布器及填料塔-CN201420079792.1有效
发明人：叶祥开 -专利权人：深圳市绿绿达环保有限公司
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： B01D3/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及填料塔的再分布器技术领域，具体涉及填料塔截锥式再分布器。所提供的填料塔截锥式再分布器，包括空心无顶圆锥状的本体，本体的底部安装于填料塔的塔体内壁并底部朝上、顶部朝下，本体的顶部相间环设多个第一锥齿以及第二锥齿，各相邻的第一锥齿以及第二锥齿的底部相连；第一锥齿的顶点距离塔体的轴线的长度为塔体的半径的本实用新型另一目的还在于提供填料塔，填料塔包括塔体，还包括上述的填料塔截锥式再分布器。经该填料塔截锥式再分布器收集后流出的液体分布均匀，即布液均匀，可有效提高填料塔的效率。
填料塔截锥式再分

[发明专利]包括不同厚度的电再分布层的半导体封装体及其制造方法-CN202111375948.1在审
发明人： T·迈尔;M·格鲁贝尔;T·沙夫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体封装体还包括第一电再分布层，其中，第一电再分布层被配置为在第一电接触部与半导体封装体的第一外部电接触部之间提供电耦合。所述半导体封装体还包括第二电再分布层，其中，第二电再分布层被配置为在第二电接触部与半导体封装体的第二外部电接触部之间提供电耦合。当在垂直于第一主表面和第二主表面中的至少一个的第一方向上测量时，第一电再分布层的至少一个区段的最大厚度小于第二电再分布层的最大厚度。
包括不同厚度再分半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装器件-CN202210164541.2在审
发明人：崔圭振;李在彦;朱昶垠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装器件，包括：半导体芯片，在所述半导体芯片的有源表面上包括第一芯片焊盘和第二芯片焊盘；以及在所述第一芯片焊盘和第二芯片焊盘上的再分布基板。所述再分布基板包括顺序堆叠在所述有源表面上的第一再分布图案和第二再分布图案。所述第一再分布图案包括第一通孔部分和与所述第一通孔部分竖直重叠的第一通孔焊盘部分。所述第二再分布图案包括第二通孔部分和与所述第二通孔部分竖直重叠的第二通孔焊盘部分。所述第一通孔部分与所述第一芯片焊盘接触。所述第二通孔部分与所述第二芯片焊盘接触。
半导体封装器件

[发明专利]基于S型铜布线的芯片级三维柔性封装结构-CN201110458669.1无效
发明人：潘开林;李鹏;黄鹏;任国涛 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于S型铜布线的芯片级三维柔性封装结构，包括设有钝化层的硅芯片、铜接线柱、再分布铜布线、凸点下金属层和焊料凸点，硅芯片焊盘区域与铜接线柱连接，凸点下金属层设置在再分布铜布线上并通过再分布铜布线与铜接线柱相连接，焊料凸点设置在凸点下金属层上，其特征是：钝化层上设有柔性层，再分布铜布线设置在柔性层的表面上，再分布铜布线与凸点下金属层连接的一端设置为具有微弹簧效果的S形状，凸点下金属层旁边的柔性层上设有通孔，焊料凸点正下方的钝化层中设有空气隙本发明采用空气隙和S形再分布铜布线使得封装结构具有三维柔性，实现芯片和基板间的三维柔性连接，解决热循环中热不匹配引起的热应力导致的可靠性问题。
基于布线芯片级三维柔性封装结构

[发明专利]基于卷曲型铜布线的芯片级三维柔性封装结构-CN201110458784.9无效
发明人：潘开林;李鹏;黄鹏;任国涛 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于卷曲型铜布线的芯片级三维柔性封装结构，包括设有钝化层的硅芯片、铜接线柱、再分布铜布线、凸点下金属层和焊料凸点，硅芯片焊盘区域与铜接线柱连接，凸点下金属层设置在再分布铜布线上并通过再分布铜布线与铜接线柱相连接，焊料凸点设置在凸点下金属层上，其特征是：钝化层上设有柔性层，再分布铜布线设置在柔性层的表面上，再分布铜布线与凸点下金属层连接的一端设置为具有微弹簧效果的卷曲形状，凸点下金属层旁边的柔性层上设有通孔，焊料凸点正下方的钝化层中设有空气隙本发明采用空气隙和卷曲形再分布铜布线使得封装结构具有三维柔性，实现芯片和基板间的三维柔性连接，解决热循环中热不匹配引起的热应力导致的可靠性问题。
基于卷曲布线芯片级三维柔性封装结构