“再分布”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1273055个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]填料塔用再分布器和填料塔-CN201320130257.X有效
发明人：柴田修作;滨村隆史;池田司;折笠贵则;松崎光浩 -专利权人：株式会社吴羽
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： B01D3/14 文献下载
摘要：本实用新型的目的是，提供即使在填料塔中作为蒸馏对象的单体发生聚合化，也能够长时间稳定运转而不堵塞的再分布器和具有该再分布器的填料塔。本实用新型的填料塔用再分布器，是设置在填料塔的填料层下方的再分布器，其特征在于，该再分布器具有引水槽状的环状主体部和引水槽状的分岔部，该环状主体部以与所述填料塔的内壁接触的状态环绕配置，该分岔部从该环状主体部向塔内中央部延伸
填料再分

[发明专利]3D封装件结构及其形成方法-CN201510756143.X在审
发明人：陈孟泽;刘重希;林志伟;黄晖闵;郭炫廷;郑明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种方法，包括：在载体衬底上方形成第一管芯封装件，第一管芯封装件包括第一管芯，第一再分布层形成在第一管芯上方并耦接至第一管芯，第一再分布层包括设置在一层或多层介电层中的一层或多层金属层，第二管芯附着于再分布层上方，在第二管芯和第一再分布层上方层压第一介电材料，形成穿过第一介电材料至第二管芯的第一通孔，并且形成穿过第一介电材料至第一再分布层的第二通孔，以及在第一介电材料上方以及在第一通孔和第二通孔上方形成第二再分布层，并且第二再分布层耦接至第一通孔和第二通孔。
封装结构及其形成方法

[发明专利]3D封装件结构及其形成方法-CN202010740046.2有效
发明人：陈孟泽;刘重希;林志伟;黄晖闵;郭炫廷;郑明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种方法，包括：在载体衬底上方形成第一管芯封装件，第一管芯封装件包括第一管芯，第一再分布层形成在第一管芯上方并耦接至第一管芯，第一再分布层包括设置在一层或多层介电层中的一层或多层金属层，第二管芯附着于再分布层上方，在第二管芯和第一再分布层上方层压第一介电材料，形成穿过第一介电材料至第二管芯的第一通孔，并且形成穿过第一介电材料至第一再分布层的第二通孔，以及在第一介电材料上方以及在第一通孔和第二通孔上方形成第二再分布层，并且第二再分布层耦接至第一通孔和第二通孔。
封装结构及其形成方法

[发明专利]具有增强性能的晶片级封装-CN201780058052.6在审
发明人：扬·爱德华·万德梅尔;乔纳森·哈勒·哈蒙德;朱利奥·C·科斯塔 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶片级封装，所述晶片级封装包括第一薄化裸片(12)、多层再分布结构(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片包括由玻璃材料形成的第一装置层(24)。所述多层再分布结构包括再分布互连件，所述再分布互连件将所述第一装置层连接到在所述多层再分布结构的底部表面上的封装触点(44)。在本文中，所述再分布互连件与所述第一装置层之间的连接不含焊料。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口。
再分布薄化裸片多层第一装置第一模互连件晶片级封装顶部表面第二模封装开口焊料玻璃材料底部表面增强性能驻留触点填充种晶延伸

[实用新型]一种便于检修的填料塔用分布器-CN201920603698.4有效
发明人：司志东 -专利权人：山西天泽煤化工集团股份公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于检修的填料塔用分布器，属于填料塔技术领域，解决了现有填料塔检修费时、费力，影响产品生产时长的问题；其技术特征是：包括壳体和再分布器，所述壳体的内部设有填料腔，填料腔内安装有多个用于对填料分流的再分布器，再分布器由多块塔盘连接而成，塔盘包括盖板和螺栓，本实用新型不需要取出填料就能达到检修、清理再分布器，提高了检修效率。
再分布器检修填料塔本实用新型填料腔壳体塔盘螺栓影响产品盖板分布器多块时长费力取出分流生产

[发明专利]半导体封装件和制造方法-CN202210281518.1在审
发明人：鲍新宇;鲁立忠;李志纯;张丰愿;山姆·瓦齐里;黄博祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种半导体器件包括：第一再分布结构；第一管芯，位于第一再分布结构之上并电耦合到第一再分布结构；第一贯穿过孔，位于第一再分布结构之上并电耦合到第一再分布结构；绝缘层，沿着第一再分布结构、第一管芯以及第一贯穿过孔延伸
半导体封装制造方法

[发明专利]芯片封装方法及封装结构-CN202210480633.1在审
发明人：谢国梁;袁文杰 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装方法和封装结构，封装方法包括提供基板，在基板上形成再分布层；提供待封装芯片，待封装芯片包括相对的第一表面和第二表面，第一表面具有感应区以及与感应区耦合的焊垫，将待封装芯片的第一表面与再分布层对位压合，并使焊垫与再分布层电连接；填充塑封材料对待封装芯片的第二表面、再分布层进行塑封；于塑封材料上形成通孔，通孔暴露再分布层，并于通孔内形成导电柱，导电柱凸于塑封材料表面；剥离基板，并于待封装芯片的第一表面设置功能性玻璃，功能性玻璃覆盖待封装芯片的感应区及再分布层。
芯片封装方法结构

[发明专利]芯片封装方法及封装结构-CN202210456656.9在审
发明人：谢国梁;袁文杰 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装方法和封装结构，芯片封装方法包括：提供基板，在基板上形成再分布层；提供待封装芯片，待封装芯片包括相对的第一表面和第二表面，第一表面具有感应区以及与感应区耦合的焊垫，将待封装芯片的第一表面与再分布层对位压合，并使焊垫与再分布层电连接；填充塑封材料对待封装芯片的第二表面、再分布层进行塑封；剥离基板；在待封装芯片的第一表面上设置透光基板，透光基板覆盖待封装芯片的感应区，再分布层暴露于透光基板的外侧；在再分布层的表面形成焊接凸起
芯片封装方法结构

[发明专利]半导体封装件-CN202210095556.8在审
发明人：李大虎;金晋贤;朴完洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体封装件，包括：第一再分布基板；第一半导体芯片，其设置在第一再分布基板上；第一模制层，其覆盖第一半导体芯片和第一再分布基板；第二再分布基板，其设置在第一模制层上；第二半导体芯片，其设置在第二再分布基板上第二半导体芯片包括不与第一半导体芯片交叠的第二芯片第一导电凸块、与第一半导体芯片交叠的第一侧壁和不与第一半导体芯片交叠的第二侧壁，其中，第一侧壁和第二侧壁彼此相对；以及第一模制通路，其穿透第一模制层并且将第二芯片第一导电凸块连接到第一再分布基板
半导体封装

[发明专利]带有印刷成形封装部件和导电路径再分布结构的引线载体-CN201680025495.0有效
发明人：菲利普·E·罗杰 -专利权人：由普莱克斯有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：引线载体的连续模制复合物片中的每个封装部位包括半导体裸片；一组端子结构，每个端子结构具有顶面和在连续的模制复合物片的背面露出的相对的背面；以及一组电流路径再分布结构，每个电流路径再分布结构形成为细长的布线结构所制造的每个再分布结构为(a)电预耦合到预定的端子结构的预链接再分布结构，或(b)与每个端子结构电隔离的初始未链接的再分布结构中的任一者。每个再分布结构的底表面从连续模制复合物片的背面朝着连续模制复合物片的顶面偏移。
带有印刷成形封装部件导电路径再分结构引线载体

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010242219.8有效
发明人：余振华;郭鸿毅;刘重希;蔡豪益;谢政杰;于宗源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：公开了封装的半导体器件及其形成方法，该封装的半导体器件包括附接至再分布结构的第一管芯、附接至第一管芯的第二管芯以及围绕第一管芯和第二管芯的模塑料。在实施例中，方法包括在第一再分布结构上方形成电耦接至第一再分布结构的第一导电柱；将第一管芯附接至第一再分布结构，第一管芯包括第二导电柱；在邻近第二导电柱的位置将第二管芯附接至第一管芯；用密封剂密封第一导电柱、第一管芯和第二管芯；在密封剂、第一导电柱、第一管芯和第二管芯上方形成第二再分布结构；并且将第三管芯接合至第一再分布结构。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]填料塔用再分布器、填料塔以及1,1-二氯乙烯单体的蒸馏方法-CN201310091717.7无效
发明人：柴田修作;滨村隆史;池田司;折笠贵则;松崎光浩 -专利权人：株式会社吴羽
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： B01D3/14 文献下载
摘要：本发明的目的是，提供即使在填料塔中作为蒸馏对象的单体发生聚合化，也能够长时间稳定运转而不堵塞的再分布器和具有该再分布器的填料塔。本发明的另一目的是，提供通过用具有这种再分布器的填料塔长时间稳定地进行1,1-二氯乙烯的粗单体的蒸馏，有效地得到纯化单体的纯化方法。本发明的填料塔用再分布器，是设置在填料塔的填料层下方的再分布器，其特征在于，该再分布器具有引水槽状的环状主体部和引水槽状的分岔部，该环状主体部以与所述填料塔的内壁接触的状态环绕配置，该分岔部从该环状主体部向塔内中央部延伸
填料再分以及氯乙烯单体蒸馏方法

[发明专利]组合式换热分散反应装置-CN201210120930.1无效
发明人：刘其祥;钱长荣 -专利权人：江苏长荣化工设备有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本发明包括壳体、气液进口管、气液出口管、箱体、与箱体连通的进口管和出口管、多根波纹管；在箱体上方的壳体内横向设置上部气液再分布板，上部气液再分布板上均布通孔，在出口管上方的上部气液再分布板与壳体之间设置间隙，在该间隙下方的壳体上设置上挡液板；在箱体下方的壳体内横向设置下部气液再分布板，下部气液再分布板上均布通孔，在进口管下方的下气液再分布板与壳体之间设置间隙，在该间隙下方的壳体上设置下挡液板。
组合式分散反应装置

[实用新型]半导体装置-CN201620734996.3有效
发明人：姜成根;元秋亨;金因瑞 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体装置，所述半导体装置能够通过增加用于形成输入/输出垫的区域而容易地增加所述输入/输出垫的数目，使得再分布层形成为延伸直到包封物。在一个实施例中，所述半导体装置包含再分布层；后段制程(BEOL)层，所述BEOL层电连接到再分布层；半导体裸片，所述半导体裸片电连接到所述BEOL层；氧化物层，所述氧化物层覆盖半导体裸片的一个表面；包封物，所述包封物包封氧化物层、半导体裸片、BEOL层以及再分布层的一个表面；以及导电凸块，所述导电凸块形成于再分布层的另一个表面上并且电连接到再分布层。
半导体装置

[实用新型]芯片封装结构-CN202220999695.9有效
发明人：谢国梁;袁文杰 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片封装结构，包括待封装芯片，所述待封装芯片包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有感应区以及与所述感应区耦合的焊垫；再分布层，位于所述待封装芯片的第一表面上，所述再分布层与所述焊垫之间电连接；塑封层，位于所述再分布层设置有待封装芯片的一侧且包覆所述待封装芯片设置；透光基板，位于所述再分布层的另一侧且覆盖所述待封装芯片的感应区，所述透光基板的外侧暴露所述再分布层；焊接凸起，形成于所述再分布层设有透光基板的一侧上
芯片封装结构