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[发明专利]一种低温板坯加热生产取向电工钢的方法-CN201110008661.5无效
发明人：许学勇;王全礼;夏兆所;冯莉莉;潘丽梅;周谊军;董浩;赵楠 -专利权人：首钢总公司
申请日： 2011-01-16 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C22C38/16 文献下载
摘要：一种低温板坯加热生产取向电工钢板的方法，属于取向电工钢技术领域。铸坯在1100-1200℃加热后热轧，热轧板经常化酸洗后进行一次冷轧，钢板冷轧后用脱碳渗氮同时退火，最后涂层并高温退火，得到二次再结晶组织的成品。钢中添加P、Cu、Mn合金元素，使钢中具有一定的初始抑制能力；钢带冷轧后用850℃-920℃脱碳渗氮同时退火，通入湿的氢气+氮气+NH3，向钢中渗氮形成AlN+SiN(SiMnN)、AlN+CuS等析出物优点在于，利用渗氮方法实现了低温加热稳定生产取向电工钢。
一种低温加热生产取向电工方法

[发明专利]一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法-CN201310016881.1无效
发明人：杨雯;段良飞;张力元;杨培志;自兴发;冷天玖 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅薄膜低温快速晶化方法。以单晶硅Si（100晶相）为衬底，利用磁控溅射镀膜仪在单晶硅衬底上溅射一层非晶硅（α-Si）薄膜和Al膜，利用光热退火炉在N2气氛下150℃~200℃退火，得到多晶硅薄膜。利用Al诱导非晶硅薄膜晶化，可以在较低温度（150℃~200℃）下晶化，得到晶粒尺寸在20~100nm的多晶硅薄膜，降低了成本，退火时间短，降低了晶化过程中的能耗，晶化率达到40%~70%，能很好的与非晶硅微晶硅叠层太阳电池器件的要求相匹配
一种非晶硅薄膜低温快速方法

[发明专利]一种电注入退火装置-CN201810474688.5在审
发明人：蒋新;刘涛;陈国才;刘斌;窦福存 -专利权人：苏州晶洲装备科技有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种电注入退火装置，用于电池片退火，包括框架主体，所述框架主体的底部设置有滚轮输送系统，用于承载电池片的载具经所述输送滚轮系统依次经过所述上料工位、反向电流注入工位、冷却工位和下料工位进行退火处理；其中，所述反向电流注入工位用于对所述载具内的电池片进行电注入，所述反向电流注入工位中设有至少两个工艺腔，包括至少一个高温工艺腔和至少一个低温工艺腔，所述反向电流注入工位中配置有热量控制系统，用于调节所述至少一个高温工艺腔和至少一个低温工艺腔的腔内温度本发明能够实现对于电池片的电注入状况下的退火，处理效率高，能够有效提高电池片的转换效率。
电池片反向电流电注入工位退火低温工艺高温工艺框架主体退火装置热量控制系统处理效率冷却工位上料工位输送滚轮输送系统退火处理下料工位转换效率工艺腔滚轮腔内载具承载配置

[发明专利]一种基于溶液加工的均匀离散型绒球状红荧烯晶体生长的方法-CN201710171533.X在审
发明人：王丽娟;张沛沛;张梁;范思大;朱阳阳;尹丽;孙丽晶;李占国 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：先在处理干净的Si/SiO2衬底（3）上通过滴涂（）聚合物溶液（1），空气环境下低温退火（）处理，形成一层退火固化的聚合物诱导层（6）。再在退火固化的聚合物诱导层（6）上滴涂（）红荧烯溶液（2），将初步形成的红荧烯薄膜进行低温退火（）处理，固化成膜，在四氢呋喃（8）/DMF（9）双溶剂调控和聚合物诱导层的诱导作用下，红荧烯晶体有序生长成均匀的离散型绒球状晶体
一种基于溶液加工均匀离散绒球状红荧烯晶体生长方法

[发明专利]基于Cu的GaN HEMT无金欧姆接触电极的制备方法-CN202010041714.2在审
发明人：杜瑞坤;周炳 -专利权人：桂林理工大学;宁波海特创电控有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：HEMT无金欧姆接触电极的制备方法,具体步骤包括：对GaN HEMT外延层进行表面处理；形成源漏电极图形；沉积无金源漏电极金属层；life‑off形成源漏金属电极；对沉积源漏电极后的GaN HEMT进行退火处理本发明采用磁控溅射Cu薄膜作为欧姆接触帽层金属，通过后期相对较低温度RTA快速退火促进电极层间金属相互发生固相反应，重新结晶，形成欧姆接触；NH3氛围下退火，减少了表面损伤，使溅射Cu薄膜的电极导电性能增强；在相对低温环境下制备欧姆接触电极，有利于减少器件由于高温退火等因素引起的漏电，提升了器件的击穿电压和可靠性；降低工艺温度，节省成本。
基于 cu gan hemt 欧姆接触电极制备方法

[发明专利]显示基板的制备方法、显示基板、显示面板和显示装置-CN202111616204.4在审
发明人：胡道兵 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该显示基板的制备方法包括以下步骤：在基底层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成非晶硅层，其中，所述非晶硅层包括所述显示区非晶硅层和所述驱动区非晶硅层；对所述驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层。本申请的显示基板的制备方法将形成的非晶硅层分为显示区非晶硅层和驱动区非晶硅层，同时仅对驱动区非晶硅层进行退火形成低温多晶硅层，而不对显示区非晶硅层进行退火处理，故减少了对显示区非晶硅层进行退火处理的时间
显示制备方法面板显示装置

[发明专利]一种提高低温高磁感取向硅钢磁感强度的生产方法-CN202211048132.2在审
发明人：申明辉;杨佳欣;田文洲;郭小龙;叶鹏;陈文聪;程祥威;骆新根;高洋;孙亮 -专利权人：武汉钢铁有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：本发明涉及提高低温高磁感取向硅钢磁感强度的生产方法，包括如下步骤：转炉冶炼后出钢；RH精炼处理，精炼处理过程真空度小于67Pa处理时间≥18min，且合金加入后保持真空度小于67Pa循环时间≥8min；钢水在连铸进行保护浇注；板坯加热后热轧；再依次进行常化、冷轧、脱碳退火及渗氮、涂覆退火隔离剂、高温退火、拉伸平整退火、涂层、激光刻痕后进行成品分卷包装。一种如所述生产方法所生产的低温高磁感取向硅钢。
一种提高低温高磁感取向硅钢强度生产方法

[发明专利]一种扁钢及其制造方法-CN200910075675.1有效
发明人：孟传峰;许洪新;杜义 -专利权人：山西太钢不锈钢股份有限公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： C22C38/14 文献下载
摘要：扁钢的成分为：C：0.17～0.25％；Si：1.00～1.50％；Mn：2.00～3.50％；Ni：1.00～1.50％；Ti：0.03～0.10％；其余为Fe与不可避免的杂质；经过浇铸、钢锭退火、反复不少于三次的先镦粗后再拨长锻造与再退火，试样经淬火与低温回火，Rm达到1570MPa，AKU达到118～136J。制造方法是(一)真空感应炉冶炼按照成分要求冶炼；(二)浇铸将钢水铸成钢锭；(三)钢锭退火在590～690℃保温不低于4小时；(四)锻造钢锭在1180～1200℃保温不小于3小时，先镦粗后再拨长如此反复加热、保温、锻造镦粗再拨长不少于3次；(五)退火。本发明制造的扁钢的试样，经淬火与低温回火，Rm达到1570MPa，AKU达到118～136J。
一种及其制造方法

[发明专利]使用离子注入过的晶片监测低温急速热退火工艺-CN200310109111.8有效
发明人：吴金刚;王粒子;黄晋德;刘玉红 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种制造集成电路器件的方法，具体地说涉及使用离子注入过的晶片监测低温急速热退火工艺。这个方法包括提供一个含有硅材料的监测晶片。此方法将一些粒子注入进硅材料的一定深度。将含有这些注入粒子的监测晶片置入急速热退火的工艺中处理。也就是在第一温度下的第一状态进行急速的热退火的工艺过程。第一温度是在一个小于650℃的被定义为低温区的区域内。假如第一温度是在规定温度的容许误差范围内，则将一些产品用晶片进行急速热退火。
使用离子注入晶片监测低温急速退火工艺

[发明专利]一种低温凝固结合定向退火所得的多孔材料及其制备方法-CN201711162039.3有效
发明人：汤玉斐;毛梦琛;赵康;吴聪 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温凝固结合定向退火所得的多孔材料，该多孔材料具有层片状、长条形、针状或树枝状的定向结构。其制备方法为将适量分散剂、粘结剂、退火介质及陶瓷或金属粉末加入溶剂中球磨得到浆料；再将注浆模具充分冷冻；随后将其置于退火冷源中定向退火，保温一段时间后再次冷冻；待浆料完全冻结后低压干燥，高温烧结，最后得到多孔材料该方法解决了由于快速低温凝固过程中冰晶生长不充分导致多孔材料孔隙分布不均一的情况；获得的多孔材料孔径分布均匀并具有较高强度。
一种低温凝固结合定向退火所得多孔材料及其制备方法

[发明专利]一种立方织构Ni-W-Al合金基带的制备方法-CN202010406518.0有效
发明人：陈靖;任宇芬;王世卓;李涛;刘德伟;代海洋 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：Al板为原材料，采用真空感应熔炼制备Ni‑W‑Al合金铸锭，W和Al的原子百分含量分别为5%和8%~11%，然后进行热轧，终轧温度控制在920℃以上，热轧最后一道次后立刻淬火处理，随后进行冷轧开坯及高温退火，退火过程中控制退火气氛，最后再通过精轧及低温退火处理获得高强度、强立方织构的金属基带。本发明在Ni‑W合金中添加适量的Al元素，在高温阶段形成强立方织构，在最后低温阶段析出第二相粒子，获得较高的力学性能。采用特殊的气氛可以有效增加最终第二相粒子的析出，进一步提高力学性能。
一种立方 ni al 合金基带制备方法

[发明专利]一种背面钝化电池SiO₂钝化层的制备方法-CN201310282773.9无效
发明人：汤安民;福克斯·斯蒂芬;苗凤秀;蔡永梅;苗丽燕;刘长明;刘丽芳;谢斌;谢旭;杨金波;李仙德;陈康平;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：两步热处理的具体步骤如下：⑴SiO2钝化层的生长：在850℃~1000℃的温度条件下，通入氮气和氧气的混合气体，对硅片进行氧化，氧化时间在10min~90min之间，其中氧气的体积比控制在5%~50%之间；⑵低温退火：完成氧化过程后，降温到400℃~800℃，通入氮气对生成的SiO2钝化层进行退火处理，退火时间在30min~90min之间。本发明通过优化氧化过程中的温度和气体比例，以及增加在氧化后的低温退火过程来改善SiO2钝化层的质量，从而提高钝化效果最终获得硅太阳能电池效率的提升。
一种背面钝化电池 sio sub 制备方法

[发明专利]铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法-CN201310181115.0无效
发明人：史伟民;钱隽;金晶;李季戎;廖阳;王国华;许月阳 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法，其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再腐蚀去铝，并用氮气吹干。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。
低温诱导非晶硅薄膜化为多晶方法

[发明专利]一种改善高频直缝焊焊管焊缝的低温冲击韧性的方法-CN201010215184.5无效
发明人：余腾义;李正荣;左军;李军;姜涛;刘勇;覃柱;田道建 -专利权人：攀钢集团钢铁钒钛股份有限公司;攀钢集团研究院有限公司;攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司;攀钢集团攀枝花钢钒有限公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C21D9/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种新的改善高频直缝焊焊管焊缝的低温冲击韧性的方法，该方法包括对通过高频直缝焊方式焊接管坯后的焊管焊缝进行热处理，其中，所述热处理包括退火处理和退火处理后的正火处理，所述退火处理的温度为650-720℃，所述退火处理的时间为5-20s，所述正火处理的温度为1060-1100℃，所述正火处理的时间为5-20s。Ac3以上30～50℃)高出100℃的1060-1100℃的温度下对高频直缝焊焊管焊缝进行正火处理，保证了焊管焊缝在正火过程中组织充分奥氏体化，能够大大减小焊缝组织与母材组织的差别，显著提高焊管焊缝的低温冲击韧性
一种改善高频直缝焊焊管焊缝低温冲击韧性方法

[实用新型]一种电注入退火装置-CN201820736338.7有效
发明人：蒋新;刘涛;陈国才;刘斌;窦福存 -专利权人：苏州晶洲装备科技有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电注入退火装置，用于电池片退火，包括框架主体，所述框架主体的底部设置有滚轮输送系统，用于承载电池片的载具经所述输送滚轮系统依次经过所述上料工位、反向电流注入工位、冷却工位和下料工位进行退火处理；其中，所述反向电流注入工位用于对所述载具内的电池片进行电注入，所述反向电流注入工位中设有至少两个工艺腔，包括至少一个高温工艺腔和至少一个低温工艺腔，所述反向电流注入工位中配置有热量控制系统，用于调节所述至少一个高温工艺腔和至少一个低温工艺腔的腔内温度本实用新型能够实现对于电池片的电注入状况下的退火，处理效率高，能够有效提高电池片的转换效率。
电池片反向电流电注入工位退火本实用新型低温工艺高温工艺框架主体退火装置热量控制系统处理效率冷却工位上料工位输送滚轮输送系统退火处理下料工位转换效率工艺腔滚轮腔内载具承载配置