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- [发明专利]低电阻低泄漏器件-CN201711144428.3有效
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所罗伯·潘迪;简·雄斯基
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安世有限公司
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2017-11-17
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2022-10-21
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H01L29/06
- 公开了一种异质结半导体器件。异质结半导体器件包括衬底和设置在衬底上的多层结构。多层结构包括：包括第一半导体的第一层，其设置在衬底之上；以及包括第二半导体的第二层，其设置在第一层之上，以定义第一层与第二层之间的界面。第二半导体不同于第一半导体，以使得二维电子气在邻近界面处形成。所述器件还包括：第一端子，其电耦接到第一层与第二层之间的界面的第一区域；以及第二端子，其电耦接到第一层与第二层之间的界面的第二区域。所述器件还包括导电沟道，其包括位于底部和侧壁的注入区域。导电沟道填充有金属且导电沟道连接第二端子和第一层的区域，以使得电荷可在第二端子和第一层之间流动。
- 电阻泄漏器件
- [发明专利]低泄漏、低电容隔离材料-CN99110971.6无效
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M·施雷姆斯;R·－P·沃勒特森;J·赫普夫纳
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西门子公司
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1999-06-26
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2000-05-10
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H01L21/316
- 减小在硅衬底上形成的电容的方法。电容具有做在硅衬底表面上的二氧化硅层作为其介质材料。该方法包括将氢原子引入所述表面一部分的步骤,以增大该表面部分的介电常数,增加介质材料的有效厚度因此降低所述电容。该方法包括形成厚度大于2nm的二氧化硅层的步骤。引入氢的步骤包括以每立方厘米1017个原子或更大的浓度在表面形成氢原子的步骤。在一个实施方案中,通过在温度950—1100℃下、压力大于100托下在氢气中焙烧形成氢原子。提供出一种沟槽电容器DRAM单元,其中氢提供出钝化层,以提高衬环区周围的有效电容并由此降低不需要的晶体管效应。
- 泄漏电容隔离材料
- [实用新型]低泄漏监控台-CN200420084165.3无效
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张宁;房非拉
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安方高科信息安全技术（北京）有限公司
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2004-07-23
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2005-08-10
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G06F1/16
- 本实用新型涉及的低泄漏监控台，它包括有上机箱、下机箱、工作台和屏蔽门，所述工作台设置在上机箱与下机箱之间，所述上机箱和下机箱分别由上内箱、上外箱和下内箱、下外箱构成，所述上内箱和下内箱分别套装在上外箱和下外箱内所述上内箱的后面和两侧面上分别设有波导窗，在其底面上设有上下箱屏蔽连接口；所述下内箱的后面和两侧面上分别设有波导窗，由于采用了本设计方案，计算机和显示器能够安全可靠的在监控台内工作，视觉清晰，操作舒适，外表美观，并可有效抑制计算机电磁信息泄漏和防止外部强电磁干扰影响计算机正常工作
- 泄漏监控
- [发明专利]低泄漏联接组件-CN201480013216.X在审
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大卫·J·夫拉尼什
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可得制品公司
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2014-03-14
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2015-12-09
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F16L37/34
- 一个母联接装置(100)包括：一个主体(110)，该主体具有一个前面(112)，该前面包括通向一个流体通道的一个开口(114)；一个杆(130)，该杆具有定位在一个套筒(136)里的一个杆头(134)；一个弹簧(124)，该弹簧绕该杆定位并将该套筒偏置入一个闭合位置中；一个第一密封件(142)，该第一密封件在该主体与该套筒之间进行密封；一个第二密封件(144)，该第二密封件在该套筒与该杆头之间进行密封；以及一个第三密封件(146)，该第三密封件定位在该主体的开口处以便针对一个匹配的公联接装置进行密封。
- 泄漏联接组件
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