专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]天线-CN200410037401.0有效
  • 柯贝雷罗威尔 - 美国莫列斯股份有限公司
  • 2004-04-29 - 2005-11-02 - H01Q13/08
  • 本发明涉及一种天线,包括一辐射组件及一与辐射组件相间隔地上下迭置的接地面,辐射组件具有一辐射面以及一设在辐射面上的馈入点,接地面上形成有一馈入部,用以与馈入点电性连接;特别是,在接地面上形成有一槽状辐射部由此,当降低辐射组件的侧面高度时,利用槽状辐射部可补偿辐射组件因降低所损失的频宽,并降低天线的SAR值。
  • 低侧高天线
  • [发明专利]横向高压器件及高压器件-CN200310101268.6有效
  • 陈星弼 - 电子科技大学
  • 2003-10-16 - 2004-09-15 - H01L29/06
  • 一种制造横向器件及器件的耐压区(及漂移区)的方法。器件做在第一耐压区内,器件做在第二耐压区内。在MOST导通时,其源与漏之间电压接近,耐压区中只有p区5大部分被耗尽,n区6及p区7均为中性区,用来作电子及空穴的漂移区。器件在导通时,p区2大部分未耗尽,有更小的导通电阻。在器件关断而漏电压接近于衬底电压或器件关断而源极电压接近于最大电压时,第一耐压区或第二耐压区各p及n层均全耗尽,产生对衬底按最佳横向变掺杂分布要求的电荷密度。
  • 横向高压器件
  • [发明专利]具有MOSFET电阻多样性的逆变器相开关-CN202210118093.2在审
  • M·C·哈尔曼;W·A·伯恩斯;J·M·奥托 - 操纵技术IP控股公司
  • 2022-02-08 - 2022-08-26 - H02P6/08
  • 本申请公开了具有MOSFET电阻多样性的逆变器相开关。为逆变器提供了一个或多个实施例。该逆变器包括被配置为经由输出端子供应AC功率的相开关。该相开关包括支路和支路。该支路包括固态开关,其被配置为在DC总线的导体与输出端子之间选择性地传导电流,该支路包括固态开关,其被配置为在输出端子与DC总线的导体之间选择性地传导电流。该固态开关具有第一导通状态电阻值,该固态开关具有不同于第一导通状态电阻值的第二导通状态电阻值。分流电阻器可以与固态开关或固态开关中的对应的固态开关串联连接,以平衡支路和支路的电阻。
  • 具有mosfet电阻多样性逆变器开关
  • [发明专利]开关-CN202010498668.9在审
  • 高桥直树;高桥俊太郎 - 罗姆股份有限公司
  • 2020-06-04 - 2020-12-08 - H03K17/567
  • 本发明提供一种开关,能够防止向电源端子与接地端子之间施加了反向偏压时的破坏。开关具备:电源端子,其被施加电源电压;输出端子,其外部连接有负荷;接地端子,其被施加接地电压;以及输出晶体管,其设置于上述电源端子与上述输出端子之间,且具有体二极管。上述开关还具备:充电部,其在上述电源电压比上述接地电压低的情况下,对上述输出晶体管的控制端进行充电;以及切断部,其在上述电源电压比上述接地电压低的情况下,切断从上述接地端子到上述电源端子的电流路径。
  • 开关

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