专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于AC摆铣头的五轴机床-CN202311078640.X在审
  • 林振广;刘金铭 - 佛山市丽铭机械制造有限公司
  • 2023-08-25 - 2023-09-29 - B23C1/06
  • 本发明公开了一种基于AC摆铣头的五轴机床,涉及数控机床的技术领域;机床本体内安装有两个导流板;机床本体内固接有第一收纳盒;使用时,每相邻两个滤板的倾斜方向相反,使废屑在第一收纳盒内折返式向下转移,占用机床本体内有限的空间的同时对废屑进行充分过滤,同时,滤板通过震动对废屑进行过滤,且滤板通过震动也可将废屑逐步转移至下一个滤板上,AC轴摆铣头切削产生的新废屑下落至滤板上后,会逐步向下一个滤板转移,从而对新废屑充分进行震动过滤,避免了现有技术中翻转过滤件转移废屑时过滤效果降低的问题,同时,用于收集冷却液的收集盒设置有多个且包覆于对应的滤板下侧,避免了现有技术转移碎屑时碎屑掉落至冷却液舱室中的问题。
  • 一种基于ac摆铣头机床
  • [发明专利]一种高压蒸汽降压降温降噪系统-CN201810812148.3有效
  • 刘金铭;朱炜 - 嘉兴石化有限公司
  • 2018-07-23 - 2023-08-29 - F01K21/00
  • 本发明公开了种高压蒸汽降压降温降噪系统,包括输出高压蒸汽的锅炉岛,锅炉岛通过高压蒸汽总管连接高压蒸汽减压阀的进口端,高压蒸汽减压阀的出口端通过降噪板与低压蒸汽管道连接,低压蒸汽管道上还设有用于控制低压蒸汽管道蒸汽压力的压力控制器,低压蒸汽管道与蒸汽透平机组连接,降噪板为圆形板,降噪板中心具有可供蒸汽流通的通孔,降噪板靠近低压蒸汽管道一端均匀分布有8个沉孔,沉孔环绕通孔分布,沉孔上焊接有喷嘴,喷嘴沿着蒸汽流通方向设置。该高压蒸汽降压降温降噪系统减少切割管线的工作量及降低管线清洁的工作量,不破坏原有蒸汽管道布置即可实现高压蒸汽减压降温降噪。
  • 一种高压蒸汽降压降温系统
  • [实用新型]一种可以同时给样品和进样针加热的恒温装置-CN202320475738.8有效
  • 刘文青;刘金铭;刘金东;邓军;张强 - 上海速抵仪器有限公司
  • 2023-03-14 - 2023-08-29 - G01N30/16
  • 本实用新型提供了一种可以同时给样品和进样针加热的恒温装置,其特征在于:包括恒温气体发生器和恒温罩罩,恒温气体发生器和恒温罩通过输气管路连接。所述恒温气体发生器具有一个温度控制器、一个温度显示器、一个风量调节器、一个加热开关、一个报警器、一个鼓风机、一个加热器、一个出风口、一个P I D/SSR控制器、一个出风口温度传感器、一个温度传感器接线端子。所述恒温罩组件,呈罩体的将自动液体进样器笼罩于其内;所述恒温罩上具有至少一个气源输入端、至少一个气源释放端、至少一个开合门、一个温度传感器;所述输气管路是可以拉伸弯曲管道,包括管道、金属卡箍、弯管接头。该装置能够同时给样品和进样针加热。
  • 一种可以同时样品进样针加热恒温装置
  • [发明专利]一种新型围栅VFET理想开关结构-CN202310636823.2在审
  • 廖永波;徐丰和;李平;袁丕根;刘金铭 - 电子科技大学
  • 2023-05-31 - 2023-08-25 - H01L29/423
  • 本发明涉及半导体技术和集成电路技术,尤其涉及一种新型围栅VFET理想开关结构及其工艺实现方式。本发明提出的新型围栅VFET理想开关采用纵向设计,器件四面环栅,且沟道区相对漏漂移区重掺杂的技术方案。本发明所要解决的关键技术问题是:在新结构中引入一种新的机制抑制DIBL效应,减小由短沟道效应引起的阈值电压漂移带来的影响,显著降低导通电阻,增加器件导通电流密度,消除寄生BJT效应。本专利优化了其工艺实现流程,器件沟道长度不再受到光刻精度的限制,沟道长度能够小于12nm,大幅缩小了器件的特征尺寸,降低了单个器件占用面积,提高了集成度,突破了当前摩尔定律的限制。
  • 一种新型vfet理想开关结构
  • [发明专利]一种基于直线电机的五轴机床-CN202310671700.2有效
  • 林振广;刘金铭 - 佛山市丽铭机械制造有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-08-15 - B23Q11/00
  • 本发明涉及数控机床的技术领域。本发明公开了一种基于直线电机的五轴机床;每个热能转换器上均固接有导热板;每个导热板均穿过对应的外壳;收纳盒中部连接有除废屑机构;使用时,通过热能转换器和导热板相配合,实现了对冷却液降温的同时对热能进行利用,避免了因冷却液温度升高而导致刀具冷却效果降低的问题,同时,通过拨块使每个导热板两侧的冷却液交换流动,进而使冷却液的温度均匀分布,利于每个导热板对冷却液中的热量均匀吸收,提高换热效率,处理废屑时,通过圆筒对废屑进行收集,通过螺旋片将圆筒中的废屑转移出基于直线电机的五轴机床,无需人工清理,便利性强。
  • 一种基于直线电机机床
  • [发明专利]一种沟道重掺杂的抗总剂量NMOS器件-CN202210244303.2有效
  • 廖永波;冯轲;李平;刘仰猛;杨智尧;刘金铭;刘玉婷 - 电子科技大学
  • 2022-03-14 - 2023-06-16 - H01L29/06
  • 一种沟道重掺杂的抗总剂量NMOS器件,本发明涉及微电子技术和集成电路技术。本发明是一种沟道重掺杂的抗总剂量NMOS器件,该结构器件在普通NMOS器件的基础上,在沟道表面形成一层重掺杂的P+层;所述P+层的掺杂浓度比P‑衬底高2个数量级以上;在所述P+层与N+源区和N+漏区之间分别设有轻掺杂N‑源区和轻掺杂N‑漏区;所述P+层可位于轻掺杂N‑源区和轻掺杂N‑漏区之间的任何位置;在所述P+层上方为薄栅介质层,在所述P‑衬底区域上方为厚栅介质层。本发明所具有的优点如下:首先,本专利的所述P+层,可以有效抑制总剂量效应在栅介质层中产生的固定空穴对沟道中电子的吸引作用,从而有效抑制了器件的阈值电压的漂移;第二,在所述P+层的上方为薄栅介质层,可以减少栅介质层中总剂量效应产生的固定空穴;第三,所述薄栅介质层和厚栅介质层的厚度满足一定比例,使得薄栅介质层和厚栅介质层的阈值电压保持一致,因此不必使用双栅结构,无需采用分压电路。
  • 一种沟道掺杂剂量nmos器件

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