专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]功率模块及其控制器、车辆-CN202223184570.X有效
  • 程玲;杨胜松;郭富利;吴彦 - 比亚迪半导体股份有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-04-07 - H01L25/07
  • 本实用新型公开了一种功率模块及其控制器、车辆,功率模块包括:所述衬底设有间隔设置的第一导电和第二导电;所述功率芯片设在所述第一导电上且与所述第一导电电连接,所述功率芯片包括间隔设置的开尔文和栅极,所述第二导电与所述开尔文电连接形成开尔文源极电路;所述栅极电阻设在第二导电,所述栅极电阻与所述第二导电绝缘连接,且所述栅极电阻与所述栅极电连接形成栅极电路,所述栅极电路和所述开尔文源极电路沿所述衬底的厚度方向排布根据本实用新型的功率模块,可以消除源极电感效应,降低开关损耗,减小栅极驱动回路的导电,提高衬底的利用率,从而提高功率模块的电流传输能力以及功率密度。
  • 功率模块及其控制器车辆
  • [发明专利]一种硒化锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法-CN202010686441.7有效
  • 李煜;郑博方;张晗;李峰 - 深圳大学
  • 2020-07-16 - 2022-06-14 - C01B19/04
  • 本发明涉及一种硒化锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法,其包括步骤:提供具有硒空位缺陷的硒化锡纳米片以及硒粉;将所述具有硒空位缺陷的硒化锡纳米片置于双管式炉的载气下游的加热段中,同时,将所述硒粉置于所述双管式炉的载气上游的加热段中;在惰性气体的保护下,对所述双管式炉的载气上游的加热段进行加热,使所述载气上游的加热段的温度达到第一预设阀值,其后,对所述双管式炉的载气下游的加热段进行加热,使所述载气下游的加热段的温度达到第二预设阀值,并进行保温处理,即得到硒空位缺陷修复后的硒化锡纳米片。本发明通过对硒化锡纳米片中的硒空位缺陷进行修复,有效提高了硒化锡纳米片的电导率。
  • 一种硒化亚锡纳米片中空位缺陷修复方法
  • [发明专利]一种二维非层状In2-CN201911192379.X有效
  • 周兴;左念;翟天佑 - 华中科技大学
  • 2019-11-28 - 2021-02-09 - C30B29/46
  • 该制备方法具体为:将硫化铟、硫化锡和氯化钠混合获得前驱体,然后将前驱体置于中心并对其加热生成In2SnS4晶体材料,利用载气将In2SnS4晶体材料带入下游沉积,从而在位于下游沉积的衬底上进行沉积,以此形成二维非层状In亚锡和氯化钠混合作为前驱体,能够降低中心的温度,减小制备过程中的能耗,实现制备过程的可控,同时本发明将衬底设置在下游沉积,与中心保持一定的距离,能够避免中心温度过高而破坏衬底
  • 一种二维层状inbasesub
  • [发明专利]中锰钢的成形方法及其制备的中锰钢和应用-CN202210015355.2在审
  • 李振江;张如义;罗超;齐会萍;杨雯;杜诗文 - 太原科技大学
  • 2022-01-07 - 2022-04-12 - B21B3/02
  • 本发明属于冲压成形领域,具体涉及一种中锰钢的成形方法,具体包括以下步骤:1)将切削后的中锰钢铸锭加热至900~1200℃保温1~1.5h,进行奥氏体热轧,空冷;2)把热轧后的中锰钢板料加热至600℃~730℃两相,保温3‑5min;3)将中锰钢板料快速移至冲压模具,在600℃~730℃两相进行冲压成形;4)冲压成形后冷却并保压30‑50s,得到中锰钢成形件。本发明提供的中锰钢在工业应用的成形方法,该方法提高了冲压件表面质量,降低了制造成本,且工艺流程简单便于操作,制备的冲压件具有较高的强度和良好的塑性,在汽车产业方面应用广泛。
  • 锰钢成形方法及其制备应用
  • [发明专利]一种无电阻式基准源-CN201710604992.2有效
  • 周泽坤;曹建文;汪尧;余洪名;鲁信秋;王韵坤;石跃;张波 - 电子科技大学
  • 2017-07-24 - 2018-08-31 - G05F3/26
  • 包括启动电路,在电源建立时使所述基准源脱离零状态,在启动完成后退出;基准电压产生电路,选择阈值电压负系数较大的PMOS管和负系数较小的NMOS管,由PMOS管和NMOS管阈值电压之差得到基准电压中的负电压,正电压由热电压、阈值斜率因子以及相关MOS管宽长比决定,由此可得到温度特性较好的基准电压VREF;偏置电流产生电路,利用工作在的NMOS管产生具有正特性的偏置电流,且随着温度升高,其正特性会增强本发明在传统阈值基准的基础上减少了基准电路支路来降低基准电路的功耗以及提升基准电压的电源抑制比。
  • 一种电阻基准
  • [发明专利]一种基于水下目标开尔文尾流空中辐射磁场的探测方法-CN202310544018.7在审
  • 王宏磊;赵爽 - 西北工业大学
  • 2023-05-15 - 2023-08-01 - G01V3/08
  • 本发明实施例公开了一种基于水下目标开尔文尾流空中辐射磁场的探测方法,所述方法包括:将获取的水下航行器的器型信息、下潜深度和航行速度,输入至开尔文尾流波高模型中,确定所述开尔文尾流波高;根据所述开尔文尾流波高确定流体速度势;根据所述流体速度势确定开尔文尾流速度场模型;根据所述开尔文尾流速度场模型确定开尔文尾流磁场强度;根据所述开尔文尾流磁场强度确定所述开尔文尾流辐射磁场的磁感应强度。通过实施本发明实施例的方法可以明确水下目标开尔文尾流在空中辐射磁场的计算方法、磁场强度、空间分布等,为空中平台对水下目标磁探测提供理论基础和技术支撑。
  • 一种基于水下目标开尔文尾流空中辐射磁场探测方法

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