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[发明专利]成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法和碲及碲化物纳米线热电装置-CN201610539817.5在审
发明人：林宗宏;周庭楙;李璎纯;饶允婷 -专利权人：林宗宏
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明是提供成长碲及碲化物纳米线阵列的方法及碲及碲化物纳米线热电装置。碲及碲化物纳米线可表现出n‑型或p‑型热电特性。碲及碲化物纳米线热电装置包含有第一电极、于第一电极上所形成具热电特性的多个碲及碲化物纳米线阵列以及第二电极。另于碲及碲化物纳米线阵列及第二电极间可包含导电聚合物。借此，透过碲及碲化物纳米线热电材料的纳米尺度特性，可大幅提高热电转换效率。再者，此种热电装置不受大小规模限制，且具有轻薄体积以及可挠特性，具备在衣物、汽车、工厂废热等广大的应用性。
成长碲化物纳米阵列导电基材方法热电装置

[发明专利]一种宽波段快响应自驱动型光电探测器及其制备方法-CN202310067629.7在审
发明人：潘毅;林煜楠;胡永琪;毛家彤;张又麒;张一诺;王栋立 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽波段快响应自驱动型光电探测器及其制备方法，包括衬底、二维过渡金属碲化物和两个金属电极；二维过渡金属碲化物位于衬底上方，两个金属电极位于二维过渡金属碲化物上方，两个金属电极位于二维过渡金属碲化物的顶面轴心线两侧制备方法为S1：提高衬底表面亲水性；S2：在衬底表面通过化学气相沉积法得到二维过渡金属碲化物；S3：在二维过渡金属碲化物表面蒸镀两个非对称设置的金属电极。提高二维过渡金属碲化物的制备效率，能够在衬底较大范围内获得连续均匀的二维过渡金属碲化物。
一种波段响应驱动光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种脉冲式注入反应物生长单层碲化物掺杂结构的方法-CN201911093527.2在审
发明人：袁梦辉;陈鑫;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲式注入反应物生长单层碲化物掺杂结构的方法。该方法通过同时注入多种过渡金属有机物和二乙基碲或注入六羰基钼和多种硫族元素，以控制载气流量来控制碲化物掺杂的量，控制反应温度与反应时间来控制碲化物生长的面积和层数，从而得到高质量的掺杂结构的二碲化钼。本发明的优点是：生长条件精确可控，操作简单方便，能制备出稳定的单层掺杂结构的二碲化钼。该发明制备的单层掺杂结构的二碲化钼，在纳米电子器件、润滑材料、光催化等领域有着广阔的应用前景。
一种脉冲注入反应物生长单层碲化物掺杂结构方法

[发明专利]一种碲化亚铜化合物废料中二氧化碲的分离回收方法-CN201711346174.3有效
发明人：刘运连;朱刘;狄聚青;胡智向 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲化亚铜化合物废料中二氧化碲的分离回收方法，包括以下步骤：a)将碲化亚铜化合物废料、稀盐酸和双氧水混合，过滤后得到混合溶液；所述稀盐酸的摩尔浓度为3mol/L～5mol/L；b)将步骤a)得到的混合溶液依次进行碱转化沉铜、硫化、加钙除杂和中和沉碲，得到含碲沉淀物；c)将步骤b)得到的含碲沉淀物进行干燥，得到高纯二氧化碲粉体。与现有技术相比，本发明在盐酸、双氧水体系下，通过控制特定工艺，从碲化亚铜化合物废料中直接分离回收二氧化碲，并且收率好，分离回收的二氧化碲纯度高，实现了稀散碲元素更好的循环利用。实验结果表明，本发明提供的分离回收方法二氧化碲的收率不低于93％，得到的二氧化碲纯度为99.99％。
一种碲化亚铜化合物废料氧化分离回收方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310386334.2无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，封装盖将发光层及阴极封装于阳极上，封装盖包括第一氮氧化硅层、形成于第一氮氧化硅层表面的第一无机阻挡层、形成于第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于第二氮氧化硅层表面的第二无机阻挡层；第一无机阻挡层的材料的包括碲化物及金属，第二无机层的材料包括硒化物及金属；碲化物选自三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种，金属选自银、铝、镍、金、铜及铂中的至少一种，硒化物选自硒化锑、硒化钼、硒化铋、二硒化铌、二硒化钽及硒化亚铜中的至少一种。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310386249.6无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，封装盖将发光层及阴极封装于阳极上，封装盖包括形成于阴极表面的第一氮氧化硅层、形成于第一氮氧化硅层表面的第一无机阻挡层、形成于第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于第二氮氧化硅层表面的第二无机阻挡层；第一无机阻挡层的材料的包括碲化物、氮化物及金属，第二无机层的材料包括金属氧化物、氮化物及金属；碲化物选自三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种，氮化物选自四氮化三硅、氮化铝、
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310386257.0无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，封装盖将发光层及阴极封装于阳极上，封装盖包括形成于阴极表面的第一氮氧化硅层、形成于第一氮氧化硅层表面的第一无机阻挡层、形成于第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于第二氮氧化硅层表面的第二无机阻挡层；第一无机阻挡层的材料的包括碲化物、氮化物及金属合金，第二无机层的材料包括金属氧化物、氮化物及金属合金；碲化物选自三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种，氮化物选自四氮化三硅、
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种1T相结构的电催化剂及其制备方法-CN202211645397.0在审
发明人：高堂铃;付刚;王冠;何影翠;张晓男 -专利权人：黑龙江省科学院石油化学研究院
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明提供一种1T相结构的电催化剂及其制备方法，所述1T相结构的电催化剂包括导电衬底，以及原位生长于所述导电衬底上的二碲化铂和阴离子掺杂二碲化铂，所述二碲化铂和所述阴离子掺杂二碲化铂均为1T相结构。本发明通过阴离子掺杂二碲化铂缓解了二碲化铂晶格过度膨胀的问题，优化了金属d轨道中心位置，缩小了铂原子间距从而提升氢吸附强度，有效提升电催化剂的氧还原催化活性，而二碲化铂和阴离子掺杂二碲化铂均为1T相结构本发明提供的1T相结构的电催化剂为有效纳米化的贵金属硫化物电催化剂，催化活性强，解决了贵金属硫化物基面活性较差、贵金属利用率低的问题。
一种结构催化剂及其制备方法

[发明专利]一种通过烷基硫醇溶解硫族氧化物实现无膦制备硒或碲化物半导体量子点的方法-CN201610842555.X有效
发明人：张皓;辛蔚;姚栋;刘轶;杨柏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明属于荧光量子点制备技术领域，具体涉及一种无膦制备油溶性硒或碲化物半导体量子点的方法，特别是涉及一种以二氧化硒或二氧化碲为原料在烷基硫醇中还原溶解的方法制备硒或碲前驱体，并利用此前驱体制备高质量功能性硒或碲化物半导体量子点的方法本发明的核心内容是用烷基硫醇去溶解硒或碲的二氧化物，获得硒或碲的溶液。本发明所使用的烷基硫醇和硒或碲的二氧化物均为常见的稳定的化合物，且价格低廉，绿色环保。所制备的前驱体活性高，可以在较温和条件下制备多种功能性硒或碲化物量子点。利用此方法可有效降低制备成本，同时减小环境污染，对硒或碲化物量子点的工业化生产及相关的LED产业意义重大。
一种通过烷基硫醇溶解氧化物实现制备碲化物半导体量子方法

[发明专利]四方相碲化亚铜及其合成方法-CN202111510313.8有效
发明人：张凯;戴永平 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种四方相碲化亚铜及相可控合成四方相、六方相碲化亚铜的方法。所述方法包括：提供铜源、碲粉和衬底；将所述铜源、碲粉和衬底置于化学气相沉积反应腔室中，并通入输运气体；在660～690℃的生长温度下，于所述衬底上生成四方相二维碲化亚铜；或在700～800℃的生长温度下，于所述衬底上生成六方相二维碲化亚铜。本发明提供的相可控合成四方相、六方相碲化亚铜的方法，采用化学气相沉积法通过对生长温度的调控能够调控合成物的物相，能够可控生长大尺寸的二维碲化亚铜单晶；并且该方法能够合成四方相碲化亚铜，该四方相结构为碲化亚铜的全新的原子相结构
四方相碲化亚铜及其合成方法

[发明专利]一种金属二碲化物纳米片及其制备方法-CN202010031489.4在审
发明人：吴长征;彭晶;郭宇桥;谢毅 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种二碲化物纳米片的制备方法，包括：S1)在高压条件下，将金属二碲化物晶体、碱金属盐与非质子溶剂混合反应，得到插入碱金属离子的中间体；S2)将所述插入碱金属离子的中间体在质子溶剂中进行剥离，得到二碲化物纳米片。与现有技术相比，本发明通过在高压条件下，将碱金属离子插入金属二碲化物层间，扩大了层间距的同时保证了其平面的结晶性和完整性；然后在质子溶剂中进行快速膨胀解离，充分利用溶剂分子进入中间体层间，进一步扩大层间距从而克服金属二碲化物材料的层间范德华力，同时有效地保护了层内的化学键，从而得到了大尺寸高质量的二碲化物纳米片；该方法利用溶液反应，方法简单，产率高，过程可控，可宏量化。
一种金属二碲化物纳米及其制备方法

[发明专利]水溶性聚丙烯胺－碲/硒化镉核壳结构量子点的制备方法-CN200510027956.1无效
发明人：任吉存;钱惠锋 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2005-07-21 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种水溶性聚丙烯胺－碲/硒化镉核壳结构量子点的制备方法，首先以镉盐或镉的氧化物、镉的氢氧化物和碲/硒氢化钠，在水溶液中制得碲/硒化镉量子点，再以1－乙基－3[3－(二甲氨基)丙基]碳二亚胺和N－羟基丁二酰亚胺为联接剂，在碲/硒化镉量子点表面均匀包覆一层聚丙烯胺聚合物，得到核壳结构聚丙烯胺－碲/硒化镉量子点。合成的产物聚丙烯胺－碲/硒化镉核壳结构量子点具有良好的光学性能，均一的尺寸分布，良好的光稳定性和水溶性，表面功能化(存在大量的氨基)，适合于生物应用。
水溶性聚丙烯硒化镉核壳结构量子制备方法

[发明专利]将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件-CN201110175409.3无效
发明人： J·M·弗里 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明名称为将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件。包括设置在碲化镉层内的改性碲化镉和未改性碲化镉的层。该改性区包括的碲化物浓度大于未改性碲化镉区中的碲化物浓度。该改性区还包括六方密排晶体结构。还公开用于将碲化镉层改性的方法和薄膜器件。
将碲化镉层改性方法具有碲化镉层薄膜器件

[发明专利]在二维1T′相过渡金属碲化物表面制备金纳米颗粒的方法-CN202110481330.7在审
发明人：陶立;许建斌 -专利权人：香港中文大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种在二维1T′相过渡金属碲化物表面制备金纳米颗粒的方法，包括如下步骤：S1、用化学气相沉积法在衬底上制备二维1T′相过渡金属碲化物薄膜，其中过渡金属碲化物的化学式为XTe2,X为过渡金属；S2、将步骤S1所得样品在浓度为0.3‑3mM的氯金酸溶液中浸泡预定时间，再洗净残留溶液并吹干，以在所述二维1T′相过渡金属碲化物薄膜表面形成金纳米颗粒。本发明的制备方法快速、简单，可以在二维1T′相过渡金属碲化物薄膜表面得到高密度、高均匀分布的金纳米颗粒，且金颗粒的尺寸和密度可控。
二维过渡金属碲化物表面制备纳米颗粒方法

[发明专利]碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法-CN201010604140.1无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：碲化镉薄膜光伏器件(10)大体上公开包括渐变合金碲化物层(22)。该器件可以包括硫化镉层(18)、在该硫化镉层(18)上的渐变合金碲化物层(22)和在该渐变合金碲化物层(22)上的背接触(24)。该渐变合金碲化物层(22)一般具有在从该硫化镉层(18)朝该背接触层(24)的方向上延伸的递增合金浓度和递减镉浓度。该器件(10)还可包括在该硫化镉层(18)和该渐变合金碲化物层(22)之间的碲化镉层(20)。还大体上公开用于制造基于碲化镉的薄膜光伏器件的方法，该光伏器件具有渐变碲化镉结构。
碲化镉薄膜器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法

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