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[实用新型]高频溅射装置-CN201821752980.0有效
发明人：徐继伟;郑亮;余晓荣 -专利权人：江苏特丽亮镀膜科技有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高频溅射装置。该装置包括溅射室、靶材、高频电极、高频振荡器、直流电源、衬底、衬底支座和充气系统；溅射室用于提供真空环境，靶材设置在溅射室内的上部，靶材背面与高频电极可导电地固定连接，高频电极通过绝缘材料安装在溅射室的上端；高频振荡器为可调式振荡器，输入端连接直流电源，输出端连接高频电极；衬底设置在溅射室内的下部，衬底固定安装在衬底支座上，衬底支座可转动地安装在溅射室的下端；充气系统与溅射室连通。本实用新型的高频溅射装置能够对绝缘体靶材进行溅射，从而在衬底上沉积所需的绝缘体薄膜，且能保证获得的绝缘体薄膜厚度的均匀性，结构简单，制造成本低，操作方便。
衬底溅射室高频电极高频溅射装置靶材溅射本实用新型高频振荡器绝缘体薄膜充气系统直流电源绝缘体可调式振荡器室内输出端连接输入端连接靶材背面绝缘材料真空环境制造成本导电地均匀性可转动上端下端沉积连通保证

[发明专利]高频溅射装置-CN200880110336.6有效
发明人：永峰佳纪;中村贯人;恒川孝二 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：通过使用控制高频溅射装置的自偏压的方法来提供高质量的磁阻薄膜。为了通过调整基板电位来控制基板的自偏压，根据本发明的高频溅射装置包括：室；排气部件，其对所述室的内部进行排气；气体导入部件，其将气体供给至所述室中；基板座，其设置有基板承载台；转动驱动部件，其能够转动所述基板座；溅射阴极，其设置有靶材承载台，并被配置成所述靶材承载台的表面不与所述基板承载台的表面平行；电极，其设置在所述基板座内；以及可变阻抗机构，其电连接至所述电极以调整所述基板座上的基板电位。
高频溅射装置

[发明专利]高频溅射装置及高频溅射方法-CN201811256655.X在审
发明人：徐继伟;郑亮;余晓荣 -专利权人：江苏特丽亮镀膜科技有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频溅射装置及高频溅射方法。该装置包括溅射室、靶材、高频电极、高频振荡器、直流电源、衬底、衬底支座和充气系统；溅射室用于提供真空环境，靶材设置在溅射室内的上部，靶材背面与高频电极可导电地固定连接，高频电极通过绝缘材料安装在溅射室的上端；高频振荡器为可调式振荡器，输入端连接直流电源，输出端连接高频电极；衬底设置在溅射室内的下部，衬底固定安装在衬底支座上，衬底支座可转动地安装在溅射室的下端；充气系统与溅射室连通。本发明的高频溅射装置及高频溅射方法，能够对绝缘体靶材进行溅射，从而在衬底上沉积所需的绝缘体薄膜，且能保证获得的绝缘体薄膜厚度的均匀性，结构简单，制造成本低，操作方便。
衬底溅射室高频电极高频溅射装置高频溅射靶材溅射高频振荡器绝缘体薄膜充气系统直流电源绝缘体可调式振荡器室内输出端连接输入端连接靶材背面绝缘材料真空环境制造成本导电地均匀性可转动上端下端沉积连通保证

[发明专利]高频溅射装置及溅射方法-CN201680002499.7有效
发明人：藤井佳词;中村真也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种可尽量抑制处理基板上的反溅射量并高效成膜的高频溅射装置。在真空中向靶(21)施加高频电力并对处理基板(W)的一面(Wa)进行成膜处理的本发明的高频溅射装置(SM)，其具有在处理基板的一面开放且电绝缘的状态下保持处理基板的台架(4)。
高频溅射装置方法

[发明专利]一种HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法-CN201510621266.2在审
发明人：谭利华;侯多源;王科;韩晓刚;陈建维 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，公开了一种HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，首先采用第一高频溅射功率值淀积富硅氧化物薄膜，其中，第一高频溅射功率值为0～1000W；然后采用第二高频溅射功率值淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，第二高频溅射功率值为0～1000W；最后采用第三高频溅射功率值继续淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，第三高频溅射功率值为1000～2500W。本发明将SRO+USG薄膜结构拆分为SRO+USG+USG薄膜结构，通过优化高频溅射工艺参数可以有效增强SRO薄膜与工艺腔室内壁的粘附性，降低薄弱位置处颗粒掉落的概率，提高产品良率、稳定性以及可靠性，提高机台生产的效率和产能
一种 hdp 工艺 sti 薄膜减少颗粒方法

[发明专利]显示用基板及其制造方法以及显示装置-CN200910132922.7无效
发明人：山本哲也;山本直树;牧野久雄;氏原彰;平岛义典;岩冈启明;青木久;保苅一志;吉田基彦 -专利权人：卡西欧计算机株式会社;学校法人高知工科大学
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种由ZnO膜形成透明电极、且可降低相对于热处理的特性变化的显示用基板及其制造方法以及显示装置。第1层(5)通过直流溅射或直流磁控溅射而形成，第2层(6)通过高频溅射、高频磁控溅射、高频叠加直流溅射、高频叠加直流磁控溅射中的任何一种而形成。能够将显示用基板(1)用作例如液晶显示装置的对置电极用的带有透明电极的基板。
显示用基板及其制造方法以及显示装置

[发明专利]一种基于射频和甚高频的双频磁控溅射薄膜的制备方法-CN201410125283.2有效
发明人：叶超;王响英;张苏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于射频和甚高频的双频磁控溅射薄膜的制备方法，利用双靶磁控溅射装置制备，包括以下步骤：(1)安装制备双组元薄膜所需的靶材，并将清洁后的基片置入真空室中；溅射靶中心至基片台中心的距离为130mm；(2)将真空室真空抽至5×10^-4Pa，然后将氩气充入真空室中，氩气的流量为30sccm，保持真空室的压力为5Pa；(3)在其中的一个靶上施加60MHz甚高频电源，调节甚高频功率为150W，在另外一个靶上添加2MHz射频电源，调节射频功率为50～250W；经过溅射在基片上制备双组元薄膜。利用射频与甚高频之间的频率解耦合性能，实现双溅射靶的离子能量分别独立控制，避免了溅射各个靶的等离子体性能（能量、密度）的接近，有利于各组元溅射的独立调控。
一种基于射频甚高频双频磁控溅射薄膜制备方法

[发明专利]一种适用于高频电刀的疏水性硬质涂层及其制备方法-CN202010996873.8有效
发明人：马洋;陈超;康强 -专利权人：宁波云涂科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高频电刀的疏水性硬质涂层及其制备方法，属于疏水涂层领域。本发明的制备方法，包括：(1)以高频电刀为基体，采用多弧离子镀溅射Cr靶，在所述基体上沉积Cr层；(2)采用多弧离子镀溅射Cr靶、TiAl靶，溅射离子与溅射腔体内的N2反应，在Cr层上沉积CrTiAlN，同时采用射频磁控溅射PTFE靶，得到共溅射的CrTiAlN‑PTFE涂层，共溅射完成后得到适用于高频电刀的疏水性硬质涂层。发明的制备方法，采用多弧离子镀和磁控溅射复合设备进行涂层沉积，能够充分发挥两种两种物理气相沉积方法的优势：多弧离子镀制备涂层沉积速率快，结合力强；磁控溅射可制备非金属涂层，涂层致密均匀。
一种适用于高频疏水硬质涂层及其制备方法

[发明专利]一种制备高频软磁薄膜的方法及装置-CN200810092468.2无效
发明人：薛德胜;范小龙 -专利权人：兰州大学
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种在位制备高频特性可调的软磁薄膜的方法及装置。本发明的方法所采用的是现有技术的射频磁控溅射法，但在进行溅射磁性金属材料的同时，还在基片上溅射少量的非磁性金属材料。本发明中溅射到基片上的非磁性金属与磁性金属之原子百分比为3～20。本发明所使用装置除溅射靶外，其余与现有的射频溅射装置完全相同，本发明所采用的溅射靶材为复合靶。
一种制备高频薄膜方法装置

[实用新型]一种具有减震功能的防溅射激光焊接机-CN201921400387.4有效
发明人：朱先勇;朱俊权;白蕾;何从旺;李城龙 -专利权人：安徽镭科智能科技有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： B23K26/21 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有减震功能的防溅射激光焊接机，包括防溅射激光焊接机本体、操作螺栓、连接轴承、涡旋弹簧和侧弹簧，所述防溅射激光焊接机本体底部固定有支撑柱，所述顶轴与工作板顶部连接，且工作板底端安装有底轴，并且底轴安装在基座上端面，所述防溅射激光焊接机本体底端与接触辊贴合，且接触辊边侧安装有涡旋弹簧，并且接触辊安装在放置槽底端，所述放置槽侧壁上固定有侧弹簧。该具有减震功能的防溅射激光焊接机，采用新型的结构设计，使得本装置可以对防溅射激光焊接机工作时产生的小幅高频振动进行削弱，避免长期高频振动对防溅射激光焊接机内部结构的损伤，且可以提高焊接时的精度，避免振动造成的材料位移
一种具有减震功能溅射激光焊接机

[发明专利]双阴极—高频辉光离子渗镀设备及工艺-CN02110183.3无效
发明人：高原;徐重 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2002-03-18 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： C23C14/38 文献下载
摘要：本发明双阴极－高频辉光离子渗镀设备及工艺，是在双层辉光离子渗金属设备阴极和源极之间设置高频感应装置，此装置不是溅射供给源，是一个产生辉光放电电离体的无极放电装置，并具有辅助加热源极溅射材料和阴极工件的作用利用高频感应装置所产生的强大磁场和电场使阴极和源极之间的辉光放电增强，离化率增加，从而提供了一种在导电材料的工件表面加速形成合金元素扩散层、沉积层及它们之间相互结合的复合渗镀层的设备和工艺方法。
阴极高频辉光离子设备工艺

[实用新型]一种提高磁控溅射脉冲电源输出脉冲频率的装置-CN201320306840.1有效
发明人：孙强;孙天乐;陈桂涛;黄西平 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H02M9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高磁控溅射脉冲电源输出脉冲频率的装置，包括依次连接的直流电流源模块、高频脉冲发生模块及磁控溅射装置，直流电流源模块、高频脉冲发生模块还分别与控制模块连接。本实用新型提高磁控溅射脉冲电源输出脉冲频率的装置，利用FPGA芯片的灵活性，产生脉冲发生单元所需的多路驱动信号，脉冲发生单元利用8只开关管交替导通和关断，实现不提高开关管开关频率的条件下，输出频率加倍，
一种提高磁控溅射脉冲电源输出频率装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080011018.1有效
发明人：节原裕一;江部明宪 -专利权人： EMD株式会社
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其能够在真空容器内形成强的感应电磁场，且能够防止天线导体的溅射或温度上升及颗粒的产生。本发明的等离子体处理装置(10)具备：真空容器(11)；高频天线(21)，其配置于所述真空容器(11)的壁的内面(111A)和外面(111B)之间；电介质制成的分隔件(16)，其将所述高频天线(21)和所述真空容器另外，利用分隔件(16)能够抑制由真空容器(11)内生成的等离子体引起的高频天线(21)被溅射或高频天线(21)的温度上升及颗粒产生。
等离子体处理装置

[发明专利]用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法-CN201110112917.7有效
发明人： S·T·哈罗兰;R·D·戈斯曼;R·W·布莱克 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及用于将复合半导体高速溅射到大面积基底上的方法。具体而言，该方法主要提供成用于将薄膜溅射到单独基底(12)上。单独基底(12)可传送到真空室中以抽取小于大约50mTorr的溅射压力。然后，单独基底(12)可传送到溅射室(166)中，且穿过平面磁控管由电离气体以溅射压力连续地溅射靶材(170)，使得薄膜形成在单独基底的表面上。该靶材(170)经受高频功率，该高频功率在大于大约1kW的功率水平下具有从大约400kHz至大约4MHz的频率。在一个特定实施例中，该方法可主要针对将薄膜溅射到单独基底(12)上，该单独基底限定具有大约1000cm2至大约2500cm2的表面面积的表面。
用于复合半导体高速溅射大面积基底方法

[发明专利]溅射装置-CN201580047418.0在审
发明人：山本弘辉;难波隆宏;神井正敦;小梁慎二;近藤智保;森本直树 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以良好的薄膜厚度分布均匀性形成结晶性进一步提高的绝缘材料膜的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有在设置了绝缘材料靶(4)的真空室(1)内保持待处理基板(W)与该绝缘材料靶相对的台架(2)，设置有旋转驱动台架的驱动装置(3)，向绝缘材料靶施加高频电力的溅射电源(E1)，以及向真空室内导入稀有气体的气体导入装置(13，14)，在该溅射装置(SM)中，基板与绝缘材料靶的溅射面之间的间隔(d3)设置在40mm～150mm的范围内。
溅射装置

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