“高硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3670982个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]γ-Al₂O₃纳米颗粒在制备变质高硅铝合金中的用途-CN201910666968.0在审
发明人：王奎;吕勋;蒋海燕;余水金;余智成 -专利权人：上海交通大学;福建泰达高新材料有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本发明属于高硅铝合金变质技术领域，具体涉及γ‑Al₂O₃纳米颗粒在制备变质高硅铝合金中的用途，γ‑Al₂O₃纳米颗粒作为变质剂％，粒径大小为20～50nm，高硅铝合金由硅和铝组成，硅的含量为20at.％～50at.％，余量为铝；使用超声震动γ‑Al₂O₃纳米颗粒，初晶硅的尺寸不仅变小，形貌也逐渐由不规则、长条状、五瓣星型状向块状转化，而且共晶硅也得到明显细化，由长针状变为短棒状和颗粒状，初晶硅和共晶硅都达到变质效果，高硅铝合金的强度和韧性得到极大提升，适用于大规模工业化生产。
高硅铝合金纳米颗粒初晶硅共晶硅制备大规模工业化生产变质形貌变质技术变质效果超声震动变质剂不规则长条状长针状短棒状颗粒状铝组成变小粒径细化星型转化

[发明专利]一种新型电子封装高硅铝合金及其制备方法-CN202010044902.0在审
发明人：周东帅;百志好;汤大龙 -专利权人：苏州先准电子科技有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型电子封装高硅铝合金，按质量百分比计，高硅铝合金的成分为：Sc 0.1～0.5%、Si 15～40%、Mg 0.25～0.45%、Mo 0～1%、其余为Al。本发明通过对高硅铝合金进行了钪变质和激光表面复合处理技术，提高高硅铝合金力学性能、耐磨性和抗疲劳性能。本发明还公开了一种新型电子封装高硅铝合金的制备方法。
一种新型电子封装铝合金及其制备方法

[发明专利]承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法-CN02145348.9无效
发明人：朱自强;朱建中;陈少强 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2002-11-22 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：一种承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法，属基因(DNA)芯片制备技术领域，制备步骤包括：多孔硅衬底的原料；形成区域阻挡层；阳极氧化形成多孔硅；继续阳极氧化；清洗干燥制得成品，用该法制备的多孔硅衬底有分子探针的固定效率高和承载cDNA芯片微阵列的阵列密度高的优点，特别适于用来制备承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底。
承载集成度 cdna 阵列多孔衬底制备方法

[实用新型]一种晶体硅棒自动上下料截断系统-CN202021214587.3有效
发明人：孙鹏程;高润飞;刘源浩;秦聪明;叶欣;李强 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司;杭州中为光电技术有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶体硅棒自动上下料截断系统，具有用于将初始硅棒截断成若干成品硅棒的截断装置；用于将初始硅棒移动至上料区并调整初始硅棒的位置与截断装置的放置槽的轴向一致的运输装置；置于截断装置上方，并用于抓取初始硅棒从运输装置上移动至放置槽中或抓取成品硅棒于从放置槽中移动至升降装置的抓取装置；用于更改成品硅棒的移动方向并使成品硅棒沿升降装置传递至输送装置的升降装置；用于传输成品硅棒并使成品硅棒沿其传输方向流转至后续工序的输送装置。本实用新型的有益效果是全程自动化控制，无需人员操作，设备稼动率高，安全性高，适合各种晶体硅棒得截断生产，可获得端面合格且一致性好的短硅棒，成品率高且生产效率高。
一种晶体自动上下截断系统

[发明专利]绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底-CN201210564175.6有效
发明人：李乐;许丹 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅射频器件中，在高电阻率硅基板的靠近埋入氧化层的表面处设置有凹坑，凹坑内可以填充绝缘物质，这样可以增大高电阻率硅基板的等效表面电阻；凹坑内也可以不填充绝缘物质，即凹坑内保持在真空状态或仅填充有空气，这样同样可以增大高电阻率硅基板的等效表面电阻，因而能够减少在射频信号作用下高电阻率硅基板表面涡流的产生，减少了射频信号的损耗，提高了绝缘体上硅射频器件的射频信号的线性度
绝缘体射频器件衬底

[发明专利]一种硅粉-CN202110389395.9在审
发明人：王晓哲;韩昀钊 -专利权人：西安隆基材料科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种硅粉，所述硅粉的粒度分布D50≤1.10μm；且其硅粉颗粒为片状；所述硅粉颗粒的平均片状尺寸为0.40～1.20μm；所述硅粉颗粒的平均厚度为30～100nm；所述硅粉颗粒的片状尺寸与厚度之间比值为本申请涉及的硅粉粒度小，形貌特殊，纯度高，电容量高，适宜于硅碳负极材料的生产和使用。
一种

[发明专利]一种强化工业硅湿法化学除杂的方法-CN201310642656.9有效
发明人：王志;胡磊 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种强化工业硅湿法化学除杂的方法，属于一种制备太阳能级高纯硅技术。该方法将工业硅与金属钙基合金加热完全共熔，冷却使硅结晶重新析出，结晶硅经酸洗后铸锭，硅锭经破碎酸洗得到高纯硅。该方法通过金属添加剂构造生成易于酸洗脱除的杂质相，强化了工业硅中杂质特别是硼、磷的去除。
一种强化工业湿法化学方法

[发明专利]一种锂离子电池用纳米硅复合负极材料、制备方法及锂离子电池-CN201510027926.4在审
发明人：任建国;岳敏;黄友元;贺雪琴 -专利权人：深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：一种纳米硅复合负极材料，其包括石墨基体、均匀沉积在石墨基体内部的纳米硅材料。所述纳米硅复合负极材料通过用硅源在空心化石墨内部化学气相沉积纳米硅颗粒制得。本发明的纳米硅复合负极材料具有高比容量(>1000mAh/g)、高首次充放电效率(>93％)及高导电性的特点。本发明的制备方法操作简单、易于控制，生产成本低、适合工业化生产。
一种锂离子电池纳米复合负极材料制备方法

[发明专利]一种环保型高粘接高导热有机硅灌封胶及其制备方法和应用-CN202210978175.4有效
发明人：邹键;彭智;段理垒 -专利权人：西卡（江苏）工业材料有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C09J183/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种环保型高粘接高导热有机硅灌封胶及其制备方法和应用。以该环保型高粘接高导热有机硅灌封胶的各原料组成百分比之和为100计，该环保型高粘接高导热有机硅灌封胶的原料组成包括以下质量百分比的组分：本发明还提供了上述环保型高粘接高导热有机硅灌封胶的制备方法，本发明的环保型高粘接高导热有机硅灌封胶的导热系数≥2.5W，同时具有高粘接、高阻燃、快速固化的优异性能。
一种环保型高粘接高导热有机硅灌封胶及其制备方法应用

[发明专利]一种转晶法无氟合成高硅RHO分子筛的方法和高硅RHO分子筛及其应用-CN202310629275.0在审
发明人：闫文付;王宇飞;于吉红 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种转晶法无氟合成高硅RHO分子筛的方法和高硅RHO分子筛及其应用，涉及分子筛技术领域。本发明将18冠醚6、氢氧化钠、水和氢氧化铯混合进行配位反应，得到有机模板剂；将所述有机模板剂与SSZ‑13分子筛、水和晶种混合进行晶化反应，得到高硅RHO分子筛。本发明以高硅铝比的SSZ‑13分子筛作为转晶原料，以转晶法合成RHO分子筛；并且高硅铝比的SSZ‑13分子筛，辅以特定的有机模板以及晶种，避免了在体系中加入含氟物种，从而实现高硅RHO分子筛的无氟合成。本发明合成的高硅RHO分子筛的硅铝比为6.2～9.8，应用于催化甲醇氨化制备一甲胺和二甲胺，其甲醇转化率高、一甲胺和二甲胺总选择性高。
一种转晶法无氟合成 rho 分子筛方法及其应用

[发明专利]高含硅有水氢氟酸的脱硅方法-CN200710091294.3无效
发明人：应烈荣;赵月初;许新芳 -专利权人：应烈荣;赵月初;许新芳
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： C01C1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种高含硅有水氢氟酸的脱硅方法，它以高含硅尾气氢氟酸和氨气为原料，在碱性条件下，生成氟化铵，经分离析出硅酸，实现去硅的目的，本发明方法工序简单，提高了产品的质量，降低了生产成本，扩大了用高含硅尾气氢氟酸生产氟化铵
高含硅有水氢氟酸方法

[发明专利]可提升太阳能硅锭收率的坩埚及其制备方法-CN201810157555.5在审
发明人：熊涛涛;巢芳家;刘立中;李子龙 -专利权人：内蒙古上航新能源有限公司
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可提升太阳能硅锭收率的坩埚及其制备方法，坩埚包括石英坩埚本体、高纯八水合氢氧化钡涂层、高纯熔融石英浆料涂层、高纯石英晶片及脱模氮化硅涂层；制备方法包括(1)高纯八水合氢氧化钡涂层的制备，(2)高纯熔融石英浆料涂层的制备，(3)底部石英晶片的粘贴，(4)脱模氮化硅涂层的制备。本发明的优点在于，在石英坩埚本体内侧壁与脱模氮化硅涂层之间增加高纯八水合氢氧化钡涂层和高纯熔融石英浆料涂层，可起到阻隔杂质进入液态硅的效果，提高硅锭收率；底部粘贴一层高纯石英晶片，可以阻隔杂质进入液态硅中，提高硅锭质量，提升硅锭收率；脱模氮化硅涂层所用的脱模氮化硅溶液中β晶向氮化硅含量高，有利于硅锭形核。
制备脱模氮化硅涂层硅锭收率八水合氢氧化钡高纯熔融石英高纯浆料坩埚高纯石英石英坩埚太阳能硅液态硅晶片粘贴阻隔氮化硅溶液石英晶片氮化硅内侧壁晶向形核

[发明专利]一种具有涂层的高硼硅玻璃制品及其制备方法-CN202310844690.8在审
发明人：陈春晓 -专利权人：河北三厦厨具科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有不粘涂层的高硼硅玻璃制品及其制备方法，涉及不粘涂层制备技术领域。本发明提供的高硼硅玻璃制品表面不粘涂层的制备方法，包括以下步骤：将高硼硅玻璃制品进行喷砂处理，得到粗糙玻璃制品；所述粗糙玻璃制品的粗糙度为0.5～4；在所述粗糙玻璃制品表面喷涂涂料后烧结，得到具有不粘涂层和/或彩色涂层的高硼硅玻璃制品。与传统的碱洗、水洗以及磨砂处理相比，本发明对高硼硅玻璃制品进行喷砂处理即可得到粗糙度为0.5～4的粗糙表面，大大提高了涂料在高硼硅玻璃表面的附着力，经过后续的喷涂涂料和烧结后，所得涂层与高硼硅玻璃间的结合强度高
一种具有涂层高硼硅玻璃制品及其制备方法

[实用新型]一种铝合金加工用翻转装置-CN201920100739.8有效
发明人：蔡金梅;蔡建伟;蔡剑敏 -专利权人：上海皇闽铝业有限公司
申请日： 2019-01-19 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： B21D28/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了高硅铝合金生产技术领域的一种铝合金加工用翻转装置，包括底板，底板上有直板和支撑板，直板上有气缸，气缸连接有滑块，滑块上有安装架，安装架内有电机，电机连接有凹形板，凹形板连接有螺栓，螺栓底部有压板，凹形板连接有横板，横板内开设有T形槽，T形槽里端有弹簧，弹簧有档杆，本实用新型通过凹形板、螺栓和压板相互配合对高硅铝合金进行夹持，通过打孔装置进行打孔，通过气缸带动滑块向左移动，带动凹形板内的高硅铝合金离开支撑板，再通过电机带动凹形板内的高硅铝合金转动180°，最后通过气缸推动高硅铝合金移动到支撑板上进行继续打孔，方便对高硅铝合金进行翻动，使得装置适合对厚度大和硬度高的高硅铝合金进行打孔。
一种铝合金工用翻转装置

[发明专利]一种高盐废水处理用氟硅膜及其制备方法-CN201810963771.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：张妤涵
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B01D71/70 文献下载
摘要：本发明提供一种高盐废水处理用氟硅膜的制备方法，包括如下步骤：Ⅰ氟硅聚合物的制备，Ⅱ改性纳米硼纤维，Ⅲ膜的制备。本发明还公开了根据所述高盐废水处理用氟硅膜的制备方法制备得到的高盐废水处理用氟硅膜。本发明公开的高盐废水处理用氟硅膜的制备方法简单易行，原料易得，价格低廉，对设备依赖性小，对反应条件要求不高，适合规模化生产。制备得到的高盐废水处理用氟硅膜具有制备工艺简单易操作，制备成本低廉，机械力学性能优异，耐腐蚀性能好，水通量高，盐脱除率高，抗污性能佳的优点。
一种废水处理用氟硅膜及其制备方法