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[发明专利]单面湿法黑硅硅片-CN201711034094.4有效
发明人：宫龙飞;金善明;张喜 -专利权人：扬州协鑫光伏科技有限公司;苏州协鑫光伏科技有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种单面湿法黑硅硅片，采用单面湿法黑硅硅片的制备方法制备得到，包括如下步骤：将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；采用动态反应对硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；采用湿法刻蚀对双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及将两两相并的单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片。因此，分离之后能够直接得到单面湿法黑硅硅片，无需后续再去除硅片背面的绒面，从而简化了制备方法。
单面湿法硅片

[发明专利]提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法-CN201110255769.4无效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提出一种提高数据保持能力的浮体动态随机存储器单元制造方法，包括如下步骤：提供第一硅片，在第一硅片上制备氧埋层；在第一硅片上键合第二硅片，制备绝缘体上硅硅片；在制备绝缘体上硅器件之前，对绝缘体上硅硅片进行预处理，将氮离子注入到绝缘体上硅硅片的氧埋层，通过退火工艺，激活注入的氮离子，在氧埋层和衬底界面之间形成悬挂键；在经过处理的绝缘体上硅硅片上制备PMOS结构的浮体效应存储器单元。
提高数据保持能力动态随机存储器单元制造方法

[发明专利]一种钴铬钼钨合金粉末及其制备方法与应用-CN201810572163.5在审
发明人：曾克里;罗浩;翁廷;宗伟;宋信强;朱杰;李志;周晚珠;李响;宋仁金;潘超梅 -专利权人：广东省材料与加工研究所
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种钴铬钼钨合金粉末及其制备方法与应用，属于金属增材制造领域。制备方法包括：熔炼钴铬钼钨原料，雾化，筛分，保留粒径为15‑53μm的粉末颗粒，得钴铬钼钨合金粉末。钴铬钼钨原料包括如下重量百分比的各组分：58‑70wt％的Co；23‑27wt％的Cr；4‑6wt％的Mo；4‑6wt％的W；＜1.5wt％的Si；余量为杂质。上述制备方法较为简单，既能降低杂质含量以及卫星球，提高粉末的流动性，还能提高粉末的收得率，利于工业化批量应用。所得的粉末粒径细小、粒度分布窄、球形度高、流动性好以及松装密度高。将其用于选区激光熔化增材制造，有利于得到性能优良的钴铬钼钨合金制品。
钴铬钼钨合金制备钨原料应用选区激光熔化重量百分比粉末颗粒粉末粒径粒度分布球形度收得率熔炼粒径雾化制造金属卫星保留

[实用新型]一种送切钼片机构-CN202220530310.4有效
发明人：魏翔;姚进围;董增收 -专利权人：佛山市迅优自动化设备有限公司
申请日： 2022-03-12 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B23P23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及灯丝焊接钼片设备技术领域，具体公开了一种送切钼片机构，其具有底座，所述底座上安装有送钼片支座，该送切钼片机构包括：钼片盘箱，所述钼片盘箱内设置有两组钼片盘；送钼片组件，其安装在送钼片支座的上端，所述送钼片组件包括钼片导轨，所述钼片导轨内具有钼片通道，所述钼片导轨在送钼片支座上可前后滑动，所述钼片通道远离钼片盘箱的一端设置有钼片导向块；压钼片组件，其位于钼片导向块的一侧，用于紧压钼片；剪钼片组件，其位于钼片导向块的另一侧，用于剪断钼片；钼片焊接组件，其位于剪钼片组件远离钼片导向块的一侧；该送切钼片机构整个过程不需要人工操作，精度高，工作效率高，同时成品合格率高。
一种送切钼片机构

[发明专利]一种近球形钼粉的制备方法-CN200910087585.4有效
发明人：武洲;厉学武;李晶;卜春阳 -专利权人：金堆城钼业股份有限公司
申请日： 2009-06-29 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： B22F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种近球形钼粉的制备方法，其特征在于其制备过程采用二氧化钼氢还原制得的钼粉为原料，将原料钼粉用高能流化床对撞式气流磨处理获得单颗粒钼粉，再用化学溶蚀的方法使钼粉球形化，最后用氢气保护高温脱氧除杂，筛分合批后得近球形钼粉。本发明的方法利用高能流化床对撞式气流磨处理普通钼粉，使团聚颗粒分散，大颗粒破碎，得到均匀单颗粒钼粉。利用酸碱对钼的溶蚀作用使单颗粒钼粉球形化，再利用氢气的保护作用使钼粉脱氧除杂，最终获得本发明之近球形钼粉。本发明的方法对原料要求低，生产工艺易于控制，操作简便、适于大规模生产；成品率达90％以上，钼粉松装密度大幅提高，形貌明显球形化，费氏粒度变化不大。
一种球形制备方法

[发明专利]一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法-CN201911093705.1在审
发明人：袁梦辉;陈鑫;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法。该方法先用原子层沉积的方式在衬底上沉积碲化钼纳米薄膜，再将沉积有碲化钼纳米薄膜的衬底以惰性气体或氢气为载气与单质碲进行高温二次反应，在衬底上获得大面积单层或多层二碲化钼结构。本发明的优点是：可控性好，操作简单，可实现单层或多层二碲化钼的大面积制备。该发明制备二碲化钼结构，在光学材料、存储材料、催化材料以及半导体光电材料等方面有着广泛的应用前景。
一种二次反应生长大面积单层多层二碲化钼结构方法

[发明专利]一种陶瓷金属化封装用活性钼-银铜钛浆料及其制备方法-CN202310467007.3在审
发明人：张洪旺;史卫利;罗富民 -专利权人：无锡湃泰电子材料科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷金属化封装用活性钼‑银铜钛浆料，该浆料由以下质量份配比的原料制成：50‑60份的钼粉或钼合金粉，20‑25份的银铜钛合金粉，15‑20份的树脂，1‑2份的溶剂，1‑3份的有机助剂，1相比于传统陶瓷金属化封装用活性钼锰浆料，本发明以导电性及活性更强的银铜钛体系代替含锰玻璃粉，可有效弥补钼锰体系钎焊氧化铝、氮化铝、氮化硅等陶瓷基板气密性、可靠性、导电性过低且工序繁杂的问题；将制作的浆料经过丝网印刷和真空高温烧结，可实现陶瓷器件和金属铜箔的良好结合，所形成的金属化层与陶瓷、铜箔结合紧密、孔隙率低、抗拉强度高，尤其是膨胀系数低、翘曲度低，耐高低温冷热冲击性能得到大幅提升。
一种陶瓷金属化封装活性银铜钛浆料及其制备方法

[发明专利]一种耐火阻燃液体聚有机硅硅氧烷组合物-CN202011160818.1在审
发明人：于英智;何丽芹;胡晓庆 -专利权人：深圳市誉隆新材料有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐火阻燃液体聚有机硅硅氧烷组合物，包括液体聚有机硅氧烷100份、白炭黑微粒8‑50份、钛粉3‑6份、阻燃剂20‑150份、纳米碳微粒60‑90份、粉末粘结剂5‑8份、滑爽剂1‑2份、抗氧剂0.5‑1份、抗静电剂0.8‑1.3份、光稳定剂1.6‑2.0份、金属离子钝化剂0.2‑0.7份，偶联剂0.1‑5份、瓷化促进剂2‑10份和固化催化剂0.1‑5份。本发明提高组合物的一体性和导热性，避免组合物局部损坏，减少对部件的腐蚀，同时提高对部件的保护能力，进一步延长组合物的有效性，且扩展了体聚有机硅硅氧烷的应用。
一种耐火阻燃液体有机硅硅氧烷组合

[发明专利]一种基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器-CN201910744038.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：金华伏安光电科技有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器,包括基底层,所述基底层的上方设置有第一电极、第二电极；所述第一电极与第二电极相互间隔；所述第一电极与第二电极的上方设置有二碲化钼纳米片层；所述二碲化钼纳米片层的上方设置有手性孔洞阵列，该基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器，检测二碲化钼纳米片层对光的透射的变化，从而在二碲化钼纳米片层与电极之间形成不同的光生电流，通过检测光生电流的特性，从而判断圆偏振光的偏振态，该基于二碲化钼孔洞结构的圆偏振光检测器不仅结构简单
碲化圆偏振光检测器孔洞结构钼纳米片层第二电极第一电极光生电流基底层孔洞阵列偏振态电极检测透射手性

[发明专利]一种氮掺杂碳/硒化钼/石墨烯纳米盒材料、制备方法及应用-CN202011285509.7在审
发明人：蒋仲庆;贾锦华;陈巍衡;孙慧敏;童敏飞;徐明帅;令雄雄 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：一种氮掺杂碳/硒化钼/石墨烯纳米盒材料、制备方法及应用，氮掺杂碳/硒化钼/石墨烯纳米盒材料由用作的基底的氮掺杂碳纳米盒和生长在基底上的硒化钼层以及位于硒化钼层上的石墨烯层构成；本发明利用结构的相似性使硒化钼生长于氮掺杂碳纳米盒与石墨烯的中间，其中，氮掺杂碳纳米盒支撑层具有良好的导电性和多孔结构，有利于电子传输和电解液渗入；表面的石墨烯保护层可以减少硒化钼的溶解破坏，提高了材料的稳定性与倍率性能，有效的解决纯硒化钼作为钠离子电池负极材料自聚严重
一种掺杂硒化钼石墨纳米材料制备方法应用

[实用新型]一种二硅化钼电热元件感应加热扩散接合装置-CN201120151039.5无效
发明人：陈志辉 -专利权人：郑州嵩山电热元件有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H05B6/02 文献下载
摘要：一种二硅化钼电热元件感应加热扩散接合装置，其中：第一、第二二硅化钼电热元件用于对接设置在支撑托架上，第一二硅化钼电热元件由第一静夹具固定，第二二硅化钼电热元件由第二动夹具固定，第一、第二二硅化钼电热元件相对穿入感应线圈内，保护气体单元的出气口设置朝向第一、第二二硅化钼电热元件的对接面处；第一静夹具上设有侧向微调装置，气缸压力单元与第二动夹具配合设置，气缸压力单元的推压移动方向沿第二二硅化钼电热元件的轴向设置，标尺单元设置在第二动夹具处
一种二硅化钼电热元件感应加热扩散接合装置

[发明专利]一种含钼高铌β型γ-TiAl合金铸锭及其制备方法-CN201410522315.2在审
发明人：牛红志;张于胜;卢金文 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含钼高铌β型γ-TiAl合金铸锭，由以下原子百分比的成分组成：Al43％～45％，Nb5％～7％，Mo1％～2％，微量元素0.1％～0.5％，余量为Ti和不可避免的杂质；另外，本发明还公开了制备所述含钼高铌β型γ-TiAl合金的方法，该方法为：一：制备混合物料，将所述混合物料压制成型，得到合金块；二、将合金块熔炼；三、铸模成型，得到含钼高铌β型γ-TiAl合金铸锭。该制备方法是在高铌γ-TiAl合金铸锭的基础上通过加入Mo引入β/B2相，避免铸态组织中出现Nb和Al的凝固偏析，在改善高铌γ-TiAl合金铸态组织均匀化程度的同时，显著提高了其高温变形能力和力学性能。
一种含钼高铌 tial 合金铸锭及其制备方法

[发明专利]一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法-CN202111361183.6在审
发明人：戴伦;程智轩;贾雄辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法。该方法先在衬底上生长半导体相碲化钼薄膜，再图案化半导体相碲化钼薄膜并生长钨薄膜，得到金属钨和半导体相碲化钼相间的薄膜，继而通过化学气相沉积法使钨薄膜变为半金属相碲化钨薄膜；再次图案化后得到分立的以半导体相碲化钼为沟道、以半金属相碲化钨为电极的器件阵列；最后通过原子层沉积氧化铪薄膜对器件实现n型掺杂，并制备图案化的顶栅金属电极，获得大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列。该方法对二维碲化钼n型掺杂效果理想，掺杂程度可调，同时所制备的器件源漏电极接触电阻低，提高了器件性能，为二维半导体材料在集成电路等领域的应用提供了基础。
一种制备大面积性能二维碲化钼场效应晶体管阵列方法

[发明专利]一种高纯氧化铝陶瓷梯度涂层金属化方法-CN202210898815.0在审
发明人：李栋才;何仓宝;王永胜;陈静;肖必华 -专利权人：安徽建筑大学
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯氧化铝陶瓷梯度涂层金属化方法，通过丝网印刷方式在高纯氧化铝刚玉陶瓷表面涂覆底层低钼含量高玻璃相含量金属化膏料；再通过一定的方式涂覆一层高钼含量低玻璃相含量金属化膏料，形成梯度金属化层涂层该梯度涂覆金属化层的方法，能结合经典粉末金属化工艺，兼顾金属化层表层的可焊性、易于二次金属化性和金属化层底层与衬底陶瓷材料㓎润与结合性问题及金属化层本身结构稳定性问题，提高了高纯氧化铝刚玉陶瓷与金属封接试样的力学性能和气密性本发明所获得的高纯氧化铝刚玉陶瓷金属化层与可伐合金的封接强度可达95～115MPa，He泄漏率可达到0.5x10‑10～1.0x10‑10<
一种高纯氧化铝陶瓷梯度涂层金属化方法

[发明专利]钠掺杂钼旋转靶材及其制备方法-CN201510162748.6有效
发明人：徐从康 -专利权人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种钠掺杂钼旋转靶材，由钼原子、钠原子和氧原子组成，其中钼原子数占原子总数的85‑99%，其余为钠原子和氧原子，钠原子和氧原子的数量比为12。本发明还提供上述钠掺杂钼旋转靶材的制备方法。本发明提供的钠掺杂钼旋转靶材在钼背电极中掺杂了钠元素，能够大幅提高铜铟镓硒薄膜电池的转换效率，降低生产成本，使铜铟镓硒薄膜电池大规模工业化。该制备方法以三氧化钼、氢氧化钠和钼金属为原料，经过反应、球磨、过筛、真空或保护气氛等离子喷涂等工艺制成钠掺杂钼旋转靶材，工艺简单、成本低廉，适于工业化生产，制得的靶材相对密度高可达到95%以上、氧密度小于
掺杂旋转及其制备方法