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[发明专利]高电压集成电路及其半导体结构-CN201911197731.9有效
发明人：韦维克;陈柏安;张育麒 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：一种高电压集成电路及其半导体结构，其中该半导体结构包括一衬底，衬底有依序相邻的高电压N型井区、N型井区及高电压P型井区。P型掺杂隔离区域位于N型井区将N型井区隔离出第一井区与第二井区，第二井区与高电压N型井区相邻。高电压P型晶体管，设置在高电压N型井区上，高电压P型晶体管有栅极、漏极以及源极，源极接收一操作高电压。N型晶体管有一栅极形成在N型井区及高电压P型井区的交界区域上；漏极形成在N型井区上与高电压P型晶体管的漏极连接；及源极形成在高电压P型井区上。电压箝制元件连接在高电压P型晶体管的漏极与源极之间。分压元件，连接在高电压P型晶体管的漏极到接地电压之间，提供一分压给N型晶体管的栅极。
电压集成电路及其半导体结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201310263520.7有效
发明人：林镇元;詹景琳;林正基;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有一高电压区及一低电压区的半导体结构包括一基板，其为一第一导电类型，容纳所述高电压区及所述低电压区。一电阻，位于所述基板上，连接所述高电压区及所述低电压区，且所述电阻实质上驻留于所述高电压区中。所述结构进一步包括一第一掺杂区域，其为所述第一导电类型，位于所述基板中，处于所述高电压区与所述低电压区之间；及一第二掺杂区域，其为一第二导电类型，处于所述基板与所述第一掺杂区域之间。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN200910140147.X有效
发明人：黄柏晟;黄宗义;陈富信;黄麒铨;蒋柏煜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体结构，其包括：一半导体基底，具有一第一导电型；一前高电压阱区，位于半导体基底内，其中前高电压阱区具有与第一导电型相反的一第二导电型；一高电压阱区，位于前高电压阱区上方，其中高电压阱区具有第二导电型；一场环型物，具有第一导电型且占据高电压阱区的顶部；以及一隧道，具有第一导电型且位于前高电压阱区与高电压阱区内且电性连接场环型物与半导体基底。根据本发明的半导体结构，超高电压MOSFET的导通电阻可降低，且装置的击穿电压得以增加。同样也可改善超高电压MOSFET的稳定性。再者，本发明的好处在于不需使用额外的掩模。
半导体结构

[发明专利]一种低温环境下电子纸的调试方法-CN201811582139.6有效
发明人：程维;肖绪名 -专利权人：江西兴泰科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温环境下电子纸的调试方法，在调试电压波形时，包括电压平衡区、闪烁区和显示区，包括以下步骤，步骤一：在电压平衡区，给予带电粒子与其自带电压极性相反的电压来中和电压；步骤二：在闪烁区，对带电粒子给予高驱动电压再给予低驱动电压，并同时提供VCOM电压，VCOM电压先给予低电压再给予高电压，高驱动电压和低驱动电压在VCOM电压的环境下循环多次；步骤三：在显示区的白色波形中，给予低驱动电压，再通过VCOM电压放大驱动，VCOM电压先给予低电压再给予高电压；步骤四：调整黑色和红色带电粒子在显示区中的帧数，直至达到显示效果。本发明通过外加VCOM电压和使闪烁最终以白色结束，使整个电子纸的白底看不到黑斑。
一种低温环境电子调试方法

[发明专利]不同厚度的栅氧化层的制造方法-CN200710108712.5有效
发明人：詹淑君;陈荣庆;王贤愈 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：此方法为，提供基底，基底具有高电压元件区以及低电压元件区。然后，在基底上形成高电压栅氧化层。之后，进行第一湿式蚀刻工艺，移除低电压元件区的部分高电压栅氧化层。随后，进行第二湿式蚀刻工艺，移除低电压元件区的残留的高电压栅氧化层。其中，第二湿式蚀刻工艺的蚀刻率小于第一湿式蚀刻工艺的蚀刻率。接着，在低电压元件区的基底上形成低电压栅氧化层。
不同厚度氧化制造方法

[发明专利]用于保护低电压表面区免受高电压表面区影响的半导体结构和方法-CN202180021867.3在审
发明人： D·萨默兰德;R·莱特;L·奈特 -专利权人：瑟其福耐斯特有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于保护半导体表面处的高电压区免受所述半导体表面处的低电压区影响的结构和方法。所述结构包括在所述高电压区和所述低电压区之间的至少两个沟槽以将所述高电压区与所述低电压区隔离。为了防止跨所述沟槽的击穿，中间电压，即具有介于所述高低电压区和所述低电压区的电压之间的值，被施加到所述子区以便减小跨所述沟槽的电压降。优选地，这是通过提供集成分压器电路来实现，所述集成分压器电路连接在所述高低电压区和所述低电压区之间并具有连接到所述子区的输出，通过所述输出，所述中间电压被施加到所述子区。
用于保护电压表面免受影响半导体结构方法

[发明专利]半导体结构-CN200810212304.9有效
发明人：姚智文;蒋柏煜;蔡俊琳;黄宗义 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体结构，其包括：一半导体基材；一第一高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，具有一第一电性；一第二高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，具有与该第一电性相反的一第二电性，并横向地邻接该第一高电压掺杂井区；一栅介电层，从该第一高电压掺杂井区上方延伸至该第二高电压掺杂井区上方；一栅极，位于该栅介电层上方；一漏极区，位于该第二高电压掺杂井区之中；一源极区，位于该栅介电层的一侧，与该漏极区反向相对；及一深掺杂p型井区，位于该第二高电压掺杂井区下方，具有该第一电性，其中该深掺杂p型井区实质上并未直接地形成在该漏极区的正下方。
半导体结构

[发明专利]一种高电压台区电力系统数据分析方法-CN202211026874.5有效
发明人：程鹏;汪文豪;范荣琴;严流进;张悦;王子瑜;张海涛;李怀龙;郁照云;赵刚;邵佩佩;陈敏;罗晓梅;苏紫雪;张婷婷;姚祺;刘美;方天翼;张荣宸;李博逊;王馨;蔡晓青;李攀峰;邓道福 -专利权人：国网安徽省电力有限公司巢湖市供电公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及电力系统数据分析技术领域，具体公开一种高电压台区电力系统数据分析方法，本发明通过获取各高电压台区在预设时间段内各用户需求侧的实时用电量，并结合各高电压台区在预设时间段内的气象参数数据，评估各高电压台区对应的线路异常指数，根据对比结果进行对应处理，从而有效避免部分违法用户采取不正当手段窃取电量的行为，进一步维护国家和电力企业的经济利益，维护正常的供电秩序，同时监测各高电压台区在预设时间段内各用户需求侧对应各采集时间点的电压参数，分析各高电压台区在预设时间段内的供电质量评价系数，根据各高电压台区对应的用电时段进行预警处理，满足用户需求侧在对应用电时段的供电质量需求。
一种压台电力系统数据分析方法

[发明专利]制作半导体元件的方法-CN201810601536.7在审
发明人：蔡宗洵 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种制作半导体元件的方法，其包括形成第一氧化层于高电压区与低电压区上；进行原子层沉积制作工艺形成第二氧化层于所述第一氧化层上，所述原子层沉积制作工艺功率介于50至400瓦；进行退火制作工艺，所述退火制作工艺温度介于80至500摄氏度；移除覆盖所述低电压区的部分所述第一氧化层与所述第二氧化层；形成第三氧化层于所述高电压区与低电压区上；以及形成栅极结构于所述高电压区与低电压区上，以形成高电压晶体管与低电压晶体管。
制作工艺氧化层低电压区原子层沉积高电压区退火低电压晶体管高电压晶体管半导体元件离子累积有效减少栅极结构对基板移除催化损伤覆盖制作

[发明专利]一种高保持电压硅控整流器及制备方法-CN201811519881.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：泉州臻美智能科技有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高保持电压硅控整流器及制备方法，通过在外延层位于第一阱区内部的表面包围高掺杂区，同时降低第一阱区的浓度，使得器件具有高的保持电压，同时降低外延层与高掺杂区的击穿电压，从而降低器件触发电压，
硅控整流器高掺杂区外延层阱区制备表面包围触发电压击穿电压降低器件提升器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200410083235.8无效
发明人：梁基洪 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，同时形成高电压器件与低电压器件，在进行热氧化过程以形成高电压区的厚栅极氧化物膜之前，先通过离子注入过程断裂高电压区内氧化物膜的表面上的结合结构。在生长实际高电压区的氧化物膜时，高电压区的氧化物膜的生长速度快于加热方法的生长速度，从而可减少鸟嘴现象。因此，由于PN结的耗尽区增大，所以CCST特性得以改善。
制造半导体器件方法

[实用新型]电仪器-CN201220379704.0有效
发明人： H·J·科拉尔;J·尼可拉;M·朔尔纳;R·扬策;T·韦策尔;J·毛赫尔 -专利权人：索尤若驱动有限及两合公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电仪器，尤其用于给电机、尤其异步电机和/或同步电机供电的变流器，其中，该电仪器具有电路板、尤其唯一的电路板，该电路板具有高电压区和低电压区，其特征在于，通过在高电压区与低电压区之间设置不具有印制导线的电路板部段，所述高电压区与低电压区在电路板上彼此电隔离，其中，至少一光耦合器跨接不具有印制导线的电路板部段，尤其其中，所述光耦合器通过第一连接部件在高电压侧、而通过第二连接部件在低电压侧与相应的印制导线部段电连接、尤其钎焊连接，其中，至少一光耦合器利用并行延伸的印制导线与高电压区的一部件、尤其功率模块连接。
仪器

[发明专利]用于具有多区段使能信号电压域的行解码器的设备和方法-CN202310210285.0在审
发明人：辛尙勋;朴尚坚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及用于具有多区段使能信号电压域的行解码器的设备、系统和方法。行地址经解码为预使能信号。第一区段使能信号和第二区段使能信号基于所述预使能信号产生。所述第一区段使能信号在第一电压域中，其中第一电压表示逻辑高，所述第二区段使能信号在第二电压域中，其中第二电压表示逻辑高，且所述预使能信号在第三电压域中，其中第三电压表示逻辑高。所述第二电压在所述第一电压与所述第三电压之间。字线驱动器信号基于所述第一区段使能信号和所述第二区段使能信号产生。
用于具有区段信号电压解码器设备方法

[发明专利]用于超高电压的半导体器件及其制造方法-CN202110275845.1在审
发明人：邱奕正;林天声;林宏洲;陈益民;钟久华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法可包括：提供超高电压(UHV)组件，所述超高电压组件包括源极区及漏极区；以及在UHV组件的顶表面上形成氧化物层。所述方法可包括：将低电压端子连接到UHV组件的源极区；以及将高电压端子连接到UHV组件的漏极区。所述方法可包括：在设置在UHV组件的漏极区上方的氧化物层的表面上形成屏蔽结构；形成连接到屏蔽结构且连接到高电压端子的高电压内连线；以及形成连接屏蔽结构与低电压端子的金属布线。
用于超高电压半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有低电压区和高电压区的电力供给系统的电池管理系统-CN201180050492.X无效
发明人：蒂姆·谢弗 -专利权人：锂电池科技有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： B60L11/18 文献下载
摘要：一种电力供给系统(1)，特别地用于机动交通工具的电驱动或混合驱动，有如下部件：电能存储装置(2)，供给低电压并具有至少一个能量存储单元(3)和/或至少一个由至少两个能量存储单元(3)组成的单元模块(4)；电力负载(5)，在高电压下操作；电压转换器(6)，特别是直流电压转换器，将低压转成高压和/或将高压转成低压；控制装置(8)，控制电能存储装置(2)。此外电力供给系统(1)具有其中设有电能存储装置(2)的低压区(9)和其中设有电力负载(5)的高压区(10)。建议的是，控制装置(8)实质上布置在电力供给系统(1)的低压区(9)中。在本发明的一个优选的实施方式中，控制装置(8)实质上被集成到电压转换器(6)中。
具有电压电力供给系统电池管理

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