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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于相移光纤光栅的分布式布拉格反射型单频光纤激光器-CN200910046610.4无效
发明人：孟莉;潘政清;蔡海文;方祖捷;瞿荣辉 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：整个装置由泵浦源，波分复用器，光纤光栅，相移光纤光栅，高浓度掺杂光纤，光纤光栅组成。其中光纤光栅，相移光纤光栅，高浓度掺杂光纤，光纤光栅组成激光谐振腔。本发明可以输出大功率单频激光。
基于相移光纤光栅分布式布拉格反射型单频激光器

[实用新型]一种MOSFET器件-CN201020203061.5有效
发明人：吉扬永 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOSFET器件，涉及金属氧化物半导体场效应晶体管，目的在于提出一种高压横向MOSFET，提高性能，包括一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；高浓度第一型掺杂的漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；高浓度第一型掺杂的源极区，位于所述第二型基区中；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠
一种 mosfet 器件

[发明专利]太赫兹肖特基二极管的制造方法-CN201210382892.7有效
发明人：王昊 -专利权人：王昊
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了太赫兹肖特基二极管的制造方法，包括：在砷化镓半导体衬底上依次形成高浓度掺杂砷化镓层和低浓度掺杂砷化镓层；在高浓度掺杂砷化镓层上形成欧姆接触阴极和欧姆接触金属；在低掺杂浓度砷化镓层上形成具有小孔的二氧化硅层
赫兹肖特基二极管制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201880002603.1有效
发明人：阿形泰典;吉村尚;泷下博 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的漂移层，其设置于半导体基板；以及缓冲区，其设置于漂移层，具有多个第一导电型的掺杂浓度的峰，缓冲区具有：第一峰，其具有预先确定的掺杂浓度，且在多个峰中设置于最靠近半导体基板的背面侧的位置；以及高浓度峰，其具有比第一峰的掺杂浓度高的掺杂浓度，设置于比第一峰靠半导体基板的上表面侧的位置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201680014233.4有效
发明人：泷下博;吉村尚;田村隆博;小野泽勇一;山野彰生 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，掺杂有杂质；正面侧电极，设置于半导体基板的正面侧；以及背面侧电极，设置于半导体基板的背面侧，半导体基板具有：峰区，配置于半导体基板的背面侧，并且杂质浓度具有一个以上的峰；高浓度区，配置于比峰区更靠向正面侧的位置，并且杂质浓度的分布比一个以上的峰平缓；以及低浓度区，配置于比高浓度区更靠向正面侧的位置，并且杂质浓度比高浓度区的杂质浓度和半导体基板的基板浓度低。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种晶圆结构以及应用其的功率器件-CN201310069766.0有效
发明人：廖忠平 -专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆结构以及应用其的功率器件，其中所述晶圆结构包括高浓度掺杂的第一掺杂层；依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，所述第三掺杂层的掺杂浓度小于所述第二掺杂层或为本征掺杂。
一种结构以及应用功率器件

[发明专利]一种制造高红外吸收硅材料的方法-CN201410404489.9无效
发明人：李世彬;王健波;张鹏;余宏萍;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造高红外吸收硅材料的方法，包括：制备硅衬底材料；在硅衬底材料上注入掺杂离子，形成掺杂层；用激光脉冲照射形成了掺杂层的硅衬底材料的表面，使该表面形成平整表面。本发明的实例的方法中，首先利用离子注入技术在硅衬底上形成高浓度掺杂，从而拓宽能带吸收，增加吸收率，然后利用低能激光脉冲照射修复表面损伤和缺陷且保持表面平整度。这样，不仅可以通过高浓度的表面掺杂拓宽能带吸收，而且通过控制激光脉冲能量可以减少离子注入带来的表面损伤及缺陷。同时，表面平整的硅材料利于后续的半导体加工，且工艺重复性和均匀性较好。
一种制造红外吸收材料方法

[发明专利]硅中的高浓度掺杂-CN201480042330.5有效
发明人：布雷特·杰森·哈拉姆;马修·布鲁斯·爱德华兹;斯图尔特·罗斯·文哈姆;菲利普·乔治·哈默;凯瑟琳·艾米丽·尚;张子文;吕珮玄;林·迈;宋立辉;阿德莱恩·苏吉安托;艾利森·马里·文哈姆;徐光琦 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：一种晶体硅区域是掺杂的晶体硅区域。通过将氢原子引入至掺杂的5晶体硅区域内，由此所述氢以库仑力键合一些或所有的掺杂剂原子以钝化各自的掺杂剂原子从而实现钝化掺杂的晶体硅区域中的一些或所有的掺杂剂原子。钝化的掺杂剂原子可以通过加热和光照掺杂的晶体硅区域而断裂至少一些所述掺杂剂‑氢键，而且同时维持产生高浓度的中性氢原子的条件进行重新活化，由此10一些所述氢原子从所述掺杂的晶体硅区域扩散而不会重新结合至掺杂剂原子
中的浓度掺杂

[发明专利]锚固铕碳纳米管掺杂氰酸酯树脂发光材料及其制备方法-CN202210219298.X在审
发明人：唐建国;胡子瑶;王瑶;巩学忠;毛遂;黄林军 -专利权人：青岛大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种锚固铕碳纳米管掺杂氰酸酯树脂发光材料及其制备方法，包括步骤：(1)制备低聚物；(2)制备发光掺杂粒子：将多壁碳纳米管氧化拉伸，与高浓度的铕配合物黏附锚定制备铕络合解拉链碳纳米管掺杂粒子。(3)制备双效复合材料：将预聚体与高浓度的铕络合解拉链碳纳米管掺杂粒子混合后浇铸成型、梯度升温固化生成稳定的三嗪环结构。
锚固纳米掺杂氰酸树脂发光材料及其制备方法

[发明专利]一种MEMS惯性器件可动微结构的制备方法-CN202110759836.X在审
发明人：刘杨;王雪峰;王敏锐;张广平 -专利权人：美满芯盛（杭州）微电子有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS惯性器件可动微结构的制备方法，包括：1)在体硅晶圆衬底的表面形成高浓度硼掺杂层；2)通过热氧化在体硅晶圆衬底的表面形成氧化层；3)光刻微结构图形，刻蚀微结构图形部分的氧化层，并进行第一次深硅刻蚀；4)进行第二次掺杂工艺，在体硅晶圆衬底上形成第二高浓度硼掺杂层；5)进行第二次深硅刻蚀，将体硅晶圆衬底上第一次深硅刻蚀形成的沟槽的底部刻蚀到第二预定深度；6)采用碱性溶液湿法腐蚀对微结构进行释放，形成可动微结构；7)去除体硅晶圆衬底表面的氧化层，并刻蚀掉体硅晶圆衬底背面的高浓度硼掺杂层。
一种 mems 惯性器件微结构制备方法

[发明专利]一种金属与宽带隙半导体接触的结构和制造方法-CN201610569414.5在审
发明人：黄升晖 -专利权人：南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属与宽带隙(或称宽禁带)半导体接触的结构和制造方法，包括以下特征与金属接触的高浓度掺杂区，其中至少有一部分高掺杂区是由等离子体浸没离子法注入的，注入的掺杂离子主要是在表面，深度少于3000A，浓度大于5e18cm‑3。
一种金属宽带半导体接触结构制造方法

[实用新型]一种低表面浓度深结太阳能电池片-CN201921145181.1有效
发明人：钮阿兴;翟文杰 -专利权人：宜兴锦尚太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低表面浓度深结太阳能电池片，涉及太阳能电池领域，包括晶体硅片、设置于晶体硅片受光面的栅线电极以及设置于晶体硅片背光面的背电极，其特征在于，所述晶体硅片由上下分布的扩散层和基底层构成，所述扩散层分为轻掺杂区和重掺杂区，重掺杂区分布于栅线电极的栅线的下方，重掺杂区的顶端面与栅线电极的栅线的底端面重叠且大小一致，所述重掺杂区的掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度，重掺杂区的结深高于轻掺杂区的结深，本实用新型栅线电极以下区域形成高浓度掺杂，栅线电极以外区域形成低浓度掺杂，减少了表面复合，提高光电转化效率。
一种表面浓度太阳能电池

[发明专利]有机发光元件及其制造方法-CN200810111244.1无效
发明人：李仑揆;崔炳悳;朴惠香;林基主 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该有机发光元件包括：形成于基板上的有机发光二极管，其连接至具有栅极、源极和漏极的晶体管，并包括第一电极、有机薄膜层和第二电极；形成于基板上的光电二极管，其包括具有高浓度P掺杂区、低浓度P掺杂区、高浓度N掺杂区和本征区的半导体层；以及控制器，其通过根据从所述光电二极管输出的电压控制施加到第一电极和第二电极的电压，来将有机发光二极管所发出光的亮度控制在恒定的水平。
有机发光元件及其制造方法

[发明专利]一种窄发射的硼氮类化合物及其制备和应用-CN202211193368.5在审
发明人：陈国威;陈文铖;霍延平;龚亚荣;张浩力;籍少敏;陈迁;刘源 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：所述窄发射的硼氮类化合物不仅具有较窄的半峰宽、较佳的热稳定性、高的色纯度、高的荧光量子产率和发光效率，还可耐受高浓度的掺杂，具有抗聚集淬灭效应，极大地丰富了多重共振材料体系，为制备高浓度掺杂和高发光效率的器件提供一种新选择
一种发射硼氮类化合物及其制备应用

[发明专利]用于单极电荷平衡半导体功率器件的系统和方法-CN201980077557.6在审
发明人：斯蒂芬·戴利·阿瑟;亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫;列扎·甘迪;戴维·阿兰·利林菲尔德;彼得·阿尔默恩·洛斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述器件层可以包括具有所述第二导电类型的高浓度掺杂区。所述CB FET器件还可以包括具有所述第二导电类型的CB总线区，所述CB总线区在所述CB层的所述一组CB区中的某个CB区与所述器件层的高浓度掺杂区之间延伸并且将所述CB层的所述一组CB区中的某个CB区电耦接到所述器件层的高浓度掺杂区
用于单极电荷平衡半导体功率器件系统方法

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