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[发明专利]条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201210486683.7有效
发明人：黄如;黄芊芊;邱颖鑫;詹瞻;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管包括一个控制栅，一个栅介质层，一个半导体衬底，一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，所述高掺杂源区和漏区分别位于控制栅的两侧，所述控制栅为栅长大于栅宽的条形结构，控制栅的一侧与高掺杂漏区连接，控制栅的另一侧向高掺杂源区横向延伸，位于控制栅下的区域为沟道区，该控制栅的栅宽小于2倍的源耗尽层宽度。采用条形栅结构调制了源端隧穿结，实现了等效于源结具有陡直掺杂浓度梯度的效果，提高了TFET器件的性能且制备方法简单。
条形调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管的栅结构及其制备方法-CN202110888711.7在审
发明人：张昇;魏珂;王鑫华;刘新宇;王万礼;张新玲;张俊芳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管的栅结构，包括：栅极，设于高电子迁移率晶体管的源极和漏极之间，两个栅下凹槽，刻蚀形成于高电子迁移率晶体管的势垒层，栅极的栅脚设于两个栅下凹槽之间，其中，部分栅脚至少设于两个栅下凹槽其中一个中本公开还提供了该栅结构的制备方法。本公开提供的一种高电子迁移率晶体管的栅结构，可以有效调节高电子迁移率晶体管内部的电场分布，以提高其工作电压，增大其输出功率，还可以通过调节栅极的位置，提高高电子迁移率晶体的栅控能力。
一种电子迁移率晶体管结构及其制备方法

[发明专利]一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法-CN201010223348.9有效
发明人：李永亮;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金属栅、硅栅层和硬掩膜层；然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶后，以硬掩膜为掩蔽，通过干法刻蚀工艺对硅栅层进行高选择比的各向异性刻蚀；通过干法刻蚀工艺对TaN金属栅、Mo基金属栅和高K介质进行高选择比的各向异性刻蚀。本发明所提供的Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，适于纳米级CMOS器件中高K/金属栅的集成需要，为实现高K/金属栅的集成提供了必要保证。
一种 mo tan 金属栅叠层结构刻蚀方法

[发明专利]一种飞机防护栅焊接空间位置调整及固定装置-CN202210996129.7在审
发明人：张义文;晁耀杰;席家利;张季童;李勇;曲晓东;李敬;高育林 -专利权人：大连长丰实业总公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B23K9/16 文献下载
摘要：本发明提出一种飞机防护栅焊接空间位置调整及固定装置，属于航空装备修理技术领域。该装置包括托架、锁扣、旋转平台、活动框架、减速机、齿轮、电源控制箱、限位开关、限位器挡块和转轴。本发明通过电源控制箱给减速机下达信号指令，减速机和齿轮配合进行机械传动，实现旋转平台和托架的垂直旋转、平面旋转和自锁固定；并通过限位开关和限位器挡块的配合，控制垂直旋转的角度范围，最终实现防护栅整体空间位置和角度的调整；本发明所述装置能够实现防护栅焊接补焊修理时，保证防护栅的待焊缺陷处于合适角度，以便获得最佳焊接效果。
一种飞机防护焊接空间位置调整固定装置

[发明专利]N型MOSFET及其制造方法-CN201210505745.4在审
发明人：朱慧珑;徐秋霞;张严波;杨红 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：N型MOSFET的制造方法包括：在半导体衬底中形成源/漏区；在半导体衬底上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；通过共形掺杂在第一金属栅层中注入掺杂剂；以及进行退火以改变栅叠层的有效功函数，其中栅叠层包括第一金属栅层、高K栅介质和界面氧化物层。
mosfet 及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210506055.0在审
发明人：朱慧珑;徐秋霞;张严波;杨红 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底中形成源/漏区；在半导体衬底上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；通过共形掺杂在第一金属栅层中注入掺杂剂；以及进行退火以改变栅叠层的有效功函数，其中栅叠层包括第一金属栅层、高K栅介质和界面氧化物层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]P型MOSFET及其制造方法-CN201210506506.0有效
发明人：朱慧珑;徐秋霞;张严波;杨红 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：P型MOSFET的制造方法包括在半导体衬底中形成源/漏区；在半导体衬底上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；通过共形掺杂在第一金属栅层中注入掺杂剂；以及进行退火以改变栅叠层的有效功函数，其中栅叠层包括第一金属栅层、高K栅介质和界面氧化物层。
mosfet 及其制造方法

[发明专利]用于非易失性存储装置的感测电路以及非易失性存储装置-CN201610033453.3有效
发明人：小川晓 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：该感测电路，被设置于包含锁存器的页面缓冲器中，并且感测数据，所述锁存器是在对非易失性存储装置的存储单元写入或读出数据时暂时保存数据，该感测电路包括：第1开关组件及叠栅型控制组件，串联连接于第1讯号线与锁存器的第1端子之间；以及第2开关组件，连接于第1开关组件与叠栅型控制组件之间，在经由感测致能讯号来使第1开关组件导通的感测开始前，叠栅型控制组件的浮动栅极的电压设定为将从叠栅型控制组件的浮动栅极所见的临限值电压加上规定电压所得的电压值
用于非易失性存储装置电路以及

[发明专利]一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置-CN201710325974.0有效
发明人：徐勤志;陈岚;孙旭 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置。该建模方法和装置包括：将所述层间介质层研磨后的终止表面形貌融入金属栅建模过程，建立金属栅的化学机械研磨工艺仿真模型。如此，该建模方法考虑了高k金属栅器件的下层结构(即层间介质层)的表面形貌对上层结构(即金属栅)表面形貌的影响，从而更加准确可靠地模拟高k金属栅的化学机械研磨工艺，因此，该建模方法考虑考了高k金属栅的表面形貌的叠层效应，由该建模方法得出的高k金属栅的化学机械研磨工艺的仿真模型能够更为准确地反映高k金属栅化学机械研磨的真实过程，能够更为准确地模拟芯片表面形貌的实时变化以及图形依赖的表面缺陷。
一种金属化学机械研磨工艺建模方法装置

[发明专利]栅介质层的制作方法、晶体管的制作方法-CN201210054234.5有效
发明人：何永根;陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅介质层的制作方法、晶体管的制作方法，所述栅介质层制作方法包括：利用热生长法在衬底上形成界面层；在界面层上形成高k栅介质层；利用含有O3或含有H2SO4、H2O2的水溶液对界面层或高k栅介质层进行表面处理本发明利用热生长法形成质量佳的界面层之后，利用含有O3或含有H2SO4、H2O2的水溶液对界面层或高k栅介质层进行表面处理，以在界面层或高k栅介质层表面形成大量的适于提高高k栅介质层覆盖率的OH键，使高k栅介质层更容易在界面层上成核，提高了界面层与高k栅介质层之间的界面特性。
介质制作方法晶体管

[发明专利]基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法-CN201611024689.7在审
发明人：刘红侠;王永特;赵璐;汪星;费晨曦;冯兴尧 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层介电常数低和栅极金属向栅氧化层扩散的问题。该结构自下而上包含Ge衬底(1)、La基高k栅介质薄膜(2)、TiN阻挡层(3)、Ti氧元素吸附层(4)以及重金属Pt栅电极(5)，其中La基高k栅介质薄膜采用厚度为6‑12nm的La2O3或LaAlO3或La2O3/Al2O3叠层结构；TiN阻挡层厚度为2‑4nm；Ti氧元素吸附层厚度为3‑6nm；重金属Pt栅电极厚度为100‑200nm。本发明具有栅氧化层介电常数高、栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。
基于 ge 衬底 la 介质材料金属结构制备方法

[实用新型]一种锁气器的叶轮-CN202022996464.6有效
发明人：郭志清;陈锋;李挺;蒋斌;李来春;江彧 -专利权人：华能（浙江）能源开发有限公司玉环分公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B65G53/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种锁气器的叶轮，属于送料设备技术领域。它解决了现有的叶轮在输送粉碎后的固废垃圾时容易与壳体发生卡死等问题。本锁气器的叶轮，包括叶轮轴，叶轮轴上固定有两个墙板，叶轮轴的外周面上固定有数个栅板，栅板的两侧分别固定有固定板一和固定板二，且固定板一、栅板和固定板二在栅板的外侧围成固定槽，固定槽内固定有由聚氨酯弹性体材料制成的附加板，附加板与栅板一一对应，附加板具有凸出固定槽的凸出部，凸出部的外侧面与墙板的外周面齐平，凸出部在径向上的宽度为10mm～30mm，凸出部在周向上的厚度为5mm～10mm。在锁气器中安装本叶轮后，不仅能够稳定地对粉碎后的固废垃圾进行运输，而且能够防止叶轮在壳体内发生卡死。
一种锁气器叶轮

[发明专利]N型MOSFET的制造方法-CN201210506435.4在审
发明人：徐秋霞;朱慧珑;许高博;周华杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种N型MOSFET的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上形成MOSFET的一部分，包括位于半导体衬底中的源/漏区、在半导体衬底上方位于源/漏区之间的假栅叠层、以及围绕假栅叠层的栅极侧墙；去除MOSFET的假栅叠层以形成栅极开口，以暴露半导体衬底的表面；在半导体的暴露表面上形成界面氧化物层；在栅极开口内的界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；在第一金属栅层中注入掺杂离子；以及进行退火以使掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。
mosfet 制造方法

[发明专利]P型MOSFET的制造方法-CN201210506496.0有效
发明人：徐秋霞;朱慧珑;周华杰;许高博;梁擎擎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：公开了一种P型MOSFET的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上形成MOSFET的一部分，包括位于半导体衬底中的源/漏区、在半导体衬底上方位于源/漏区之间的假栅叠层、以及围绕假栅叠层的栅极侧墙；去除MOSFET的假栅叠层以形成栅极开口，以暴露半导体衬底的表面；在半导体的暴露表面上形成界面氧化物层；在栅极开口内的界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；在第一金属栅层中注入掺杂离子；以及进行退火以使掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。
mosfet 制造方法

[发明专利]控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法-CN200910087807.2有效
发明人：王文武;朱慧珑;陈世杰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用栅叠层结构控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法。结构包括：硅衬底；在硅衬底上生长的SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积的极薄金属层；在极薄金属层结构上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质叠层结构上沉积的金属栅层。制造方法是在NMOS和PMOS器件区域的高k栅介质层内部分别沉积极薄金属层，利用该极薄金属层在高k栅介质层内部形成的正或负电荷来调整器件的平带电压，进而控制器件的阈值电压。利用本发明，不仅可以增强CMOS器件中高k栅介质和SiO2界面层间的界面偶极子，而且还可以很好的控制高k栅介质层内部的固定电荷类型和数量，有效地控制器件的阈值电压。
控制器件阈值电压 cmosfets 结构及其制造方法

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