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[发明专利]一种基于电源输入电压的IGBT集电极电压保护方法、装置及电磁炉-CN201611199172.1有效
发明人：周升;汪钊;秦继祥;李娟;曾燕侠;孟宪昕 -专利权人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H05B6/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电源输入电压的IGBT集电极电压保护方法、装置及电磁炉，涉及IGBT集电极电压保护领域。目的在于解决目前电磁加热系统中的IGBT集电极保护可靠性差的问题。所述方法包括：采集电磁加热系统中的电源输入电压；采集电磁加热系统中IGBT的集电极电压；比较电源输入电压和集电极电压，根据比较结果控制IGBT的通断。本发明提出的IGBT集电极电压保护方法通过直接比较集电极采样电压和电源输入采样电压，只要达到目标电压，即停止加热。由于每个电源输入电压产生的集电极电压不一样，本发明能够精准实时有效的对不同输入电压下IGBT的集电极电压进行可靠保护。
一种基于电源输入电压 igbt 集电极保护方法装置电磁炉

[发明专利]IGBT过压保护电路及方法-CN201510995289.X在审
发明人：徐占军;刘振海;罗自永 -专利权人：深圳市库马克新技术股份有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT过压保护电路，包括IGBT、IGBT驱动模块及集电极过压保护模块。集电极过压保护模块用于监测IGBT的集电极的电压，当IGBT导通或关断时间小于预设时间时，集电极过压保护模块的电压基准值设为第一阈值，否则集电极过压保护模块的电压基准值调整为第二阈值，第二阈值大于第一阈值，集电极过压保护模块还在IGBT的集电极的电压大于当前电压基准值时，传输抑制电流使IGBT的基极电位上升以抑制IGBT的集电极电压的上升。上述IGBT过压保护电路及方法避免了IGBT在关断期间电压上升使IGBT关断过压保护误动作，提高了电路的可靠性。
igbt 保护电路方法

[实用新型]IGBT过压保护电路-CN201521107749.2有效
发明人：徐占军;刘振海;罗自永 -专利权人：深圳市库马克新技术股份有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT过压保护电路，包括IGBT、IGBT驱动模块及集电极过压保护模块。集电极过压保护模块用于监测IGBT的集电极的电压，当IGBT导通或关断时间小于预设时间时，集电极过压保护模块的电压基准值设为第一阈值，否则集电极过压保护模块的电压基准值调整为第二阈值，第二阈值大于第一阈值，集电极过压保护模块还在IGBT的集电极的电压大于当前电压基准值时，传输抑制电流使IGBT的基极电位上升以抑制IGBT的集电极电压的上升。上述IGBT过压保护电路及方法避免了IGBT在关断期间电压上升使IGBT关断过压保护误动作，提高了电路的可靠性。
igbt 保护电路

[发明专利]切换导体器件的方法-CN201480021317.1在审
发明人： W·克鲁克斯 -专利权人：阿尔斯通技术有限公司
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H03K17/10 文献下载
摘要：所述半导体器件包括栅极端、集电极端和发射极端。该方法包括步骤：(i)在接收到导通信号时，施加电压到半导体器件的栅极端来将半导体器件的集电极-发射极电压降低到第一预定电压平台水平，并且保持该电压至半导体器件的栅极端以预定时间段；(ii)在预定时间段之后，控制施加到半导体器件的栅极端的电压来以变化的缓变率改变集电极-发射极电压，直到集电极-发射极电压达到预定电压水平，对施加到半导体器件的栅极端用以改变集电极-发射极电压的电压进行的这种控制包括：将集电极-发射极电压降低到第二预定电压平台水平；将集电极-发射极电压保持在第二预定电压平台水平来调节半导体器件在使用中所位于的电路中的电流的变化速率；并且将集电极-发射极电压降低到半导体器件处于其导通状态的电压水平；以及(iii)控制施加到半导体器件的栅极端的电压来将集电极-发射极电压保持在预定电压水平。
切换导体器件方法

[发明专利]自调节IGBT驱动电路及电磁加热设备-CN202210889592.1在审
发明人：陈劲锋;刘春光;彭军 -专利权人：深圳市鑫汇科股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H05B6/06 文献下载
摘要：该电路包括控制电路、自调节驱动电路、采样电路和IGBT管；采样电路采样IGBT管的集电极电压；控制电路向自调节驱动电路输出控制信号，接收控制信号的自调节驱动电路在集电极电压大于或等于临界电压时向IGBT管的栅极输出弱能力IGBT驱动电压，在集电极电压小于临界电压时向IGBT管的栅极输出强能力IGBT驱动电压，使IGBT管接收弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压后启动。本公开通过监测集电极电压的电压水平和根据集电极电压的大小自动控制驱动电压大小，以适应不同启动情景，避免IGBT管的集电极电压过高而导致危险。
调节 igbt 驱动电路电磁加热设备

[实用新型]自调节IGBT驱动电路及电磁加热设备-CN202221948576.7有效
发明人：陈劲锋;刘春光;彭军 -专利权人：深圳市鑫汇科股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H05B6/06 文献下载
摘要：该电路包括控制电路、自调节驱动电路、采样电路和IGBT管；采样电路采样IGBT管的集电极电压；控制电路向自调节驱动电路输出控制信号，接收控制信号的自调节驱动电路在集电极电压大于或等于临界电压时向IGBT管的栅极输出弱能力IGBT驱动电压，在集电极电压小于临界电压时向IGBT管的栅极输出强能力IGBT驱动电压，使IGBT管接收弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压后启动。本公开通过监测集电极电压的电压水平和根据集电极电压的大小自动控制驱动电压大小，以适应不同启动情景，避免IGBT管的集电极电压过高而导致危险。
调节 igbt 驱动电路电磁加热设备

[发明专利]电压检测装置-CN201080003044.X无效
发明人：长尾胜 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：电压检测装置(100)具备：与IGBT(11)的集电极连接的散热板(13)；在与散热板(13)之间形成电容器(22)的检测用引线框(21)；及基于电容器(22)中蓄积的电荷的变化量检测IGBT(11)的集电极电压的集电极电压检测电路根据该电压检测装置(100)，即使在高电压状况下也能够不使装置大型化而检测IGBT(11)的集电极电压。
电压检测装置

[发明专利]一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置-CN202111293944.9在审
发明人：齐磊;张午宇;朱媛;张翔宇;杜璐春;崔翔;马慧远 -专利权人：华北电力大学;国网北京市电力公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01R31/27 文献下载
摘要：该方法包括：采集IGBT模块中下桥IGBT器件的集电极电压；当判断所述集电极电压到零时，对当前集电极电压负向过冲进行采样；建立所述IGBT模块健康状态时集电极电压负向过冲的基准值；将所述当前集电极电压负向过冲和所述基准值进行比较利用半桥结构动作器件关断过程的集电极电压负向过冲监测IGBT芯片失效，该方法受电容电压变化影响小，且在不同的负载电流下依然可以保持较高的变化率，能够对IGBT模块发射极键合线部分断裂进行有效监测。
一种 igbt 模块键合线断裂状态监测方法装置

[发明专利]井下岩石电参数测量用传感器探头-CN201510307170.9在审
发明人：孙向阳;付海博;聂在平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于井下环境的传感器探头，包括发射电极、收集电极，发射电极电压源，发射电极电压源通过导线分别与收集电极、发射电极相连，其特征在于，还包括屏蔽电极、屏蔽电极电压源，屏蔽电极为环状结构，发射电极设置在的屏蔽电极的环内；屏蔽电极电压源通过导线分别与收集电极、屏蔽电极相连；发射电极与收集电极设置在井下采样的岩石同一侧；屏蔽电极电压源加载在屏蔽电极上，使得发射电极流出的电流能穿透导电泥浆进入岩石内部到达收集电极。
井下岩石参数测量传感器探头

[实用新型]电磁炉-CN201721565054.8有效
发明人：孙鹏刚;赵礼荣 -专利权人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H05B6/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电磁炉，包括：谐振电路(10)和绝缘栅双极型晶体管IGBT(20)，谐振电路(10)与IGBT(20)的集电极连接，其特征在于，IGBT(20)的集电极与发射极之间并联有保护电路(30)，保护电路(30)用于在IGBT(20)的集电极电压高于保护电路(30)的第一阈值电压时，吸收IGBT(20)的集电极电压，将IGBT(20)的集电极电压钳位在第二阈值电压。
集电极电压电磁炉本实用新型电路谐振电路阈值电压绝缘栅双极型晶体管IGBT 电路安全性集电极连接发射极集电极并联钳位吸收

[实用新型]一种IGBT驱动电路-CN202021165686.7有效
发明人：唐益宏;刘建平;周汶辉 -专利权人：深圳市英威腾电气股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT驱动电路，包括门极电压检测电路、集电极电压检测电路、两路开关电路以及三路驱动电阻；门极电压检测电路连接IGBT的门极与第一开关电路，用于检测IGBT的门极电压，并依据IGBT的门极电压和集电极电压控制第一开关电路的导通状态，以接入或不接入第一驱动电阻，从而在IGBT开通的不同阶段切换驱动电阻的大小；集电极电压检测电路连接IGBT的集电极与第二开关电路，用于检测IGBT的集电极电压，并依据IGBT的集电极电压控制第二开关电路的导通状态
一种 igbt 驱动电路

[发明专利]一种IGBT过流保护方法和装置-CN201710428369.6有效
发明人：贺之渊;客金坤;白建成;吕铮;冯静波;许航宇;邓卫华 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT过流保护方法和装置，该方法包括：获取待保护IGBT的当前结温和所述当前结温与集电极发射极电压集电极电流特性的对应关系；根据所述对应关系，通过预设的集电极过流保护电流值获取对应的集电极发射极电压值作为集电极发射极过流保护电压值
一种 igbt 保护方法装置

[发明专利]用于产生短光脉冲的发光半导体器件-CN201880049377.2有效
发明人：格奥尔格·勒雷尔;罗伯特·卡佩尔;内纳德·利利奇 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：器件包括双极晶体管(T)，其具有发射极(E)、基极(B)、集电极(C)、基极‑集电极结和基极‑发射极结、集电极‑基极击穿电压(BV)、与基极(B)或集电极(C)电连接的猝熄部件(Q)和开关电路(S1、S2双极晶体管配置为在高于击穿电压(BV)的反向集电极‑基极电压(VCB)下工作。
用于产生脉冲发光半导体器件

[实用新型]晶体管的驱动电路-CN202120884176.3有效
发明人：夏原野;全超;黄军 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体管的驱动电路，其输入端输入PWM信号与表征所述晶体管的集电极电压的集电极电压检测信号的叠加信号；利用信号区分模块将叠加信号区分为PWM信号及集电极电压检测信号分别输出，驱动模块可根据集电极电压检测信号产生过压检测信号，并根据过压检测信号和PWM信号产生控制所述晶体管的通断的驱动信号，同时起到驱动晶体管以及检测晶体管的集电极电压的功能，实现对所述晶体管进行过压保护的功能。
晶体管驱动电路

[发明专利]具有双稳态锁存器短路保护的三输出DC电压源-CN202211107137.8在审
发明人：弗兰克·沃恩斯 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：提供了用于提供正电压源(309)、中间电压源(311)和负电压源(313)的三输出DC电压源，包括：正DC电压母线(301)和负DC电压母线(303)，用于连接到DC电源；第一分压器，连接在正DC电压母线(301)与负DC电压母线(303)之间，其中，第一分压器包括电压设置组件(315)和电阻组件(317)；以及短路保护组件，包括连接在电压设置组件(315)与电阻组件(317)之间的相反类型的第一晶体管(319)和第二晶体管(321)，其中，每个晶体管的基极连接到另一个晶体管的集电极以形成第一基极/集电极节点和第二基极/集电极节点，并且其中，中间电压源(311)由第一栅极/集电极节点或第二栅极/集电极节点提供
具有双稳态锁存器短路保护输出 dc 电压

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