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[发明专利]基于瞬时功率损耗保护中高压IGBT模块短路的方法-CN201910853379.3有效
发明人：孟昭亮;艾胜胜;高勇;杨媛;卢志鹏;方正鹏;吕亚茹 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于瞬时功率损耗保护中高压IGBT模块短路的方法，包括采集IGBT模块的瞬时集电极电流、瞬时集电极‑发射极电压，对采集的集电极电流和集电极‑发射极电压进行乘法运算，得到IGBT模块的瞬时功率损耗
基于瞬时功率损耗保护高压 igbt 模块短路方法

[发明专利]热电偶用放大电路以及温度监视系统-CN201210164638.X有效
发明人：山口公一 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：所述热电偶用放大电路具有：集电极接地的第一晶体管（Q11），其集电极接地，热电偶的一端的电压提供给基极然后从发射极输出；集电极接地的第二晶体管（Q12），其集电极接地，热电偶的另一端的电压提供给基极然后从发射极输出；基极接地的第三晶体管（Q14），其基极为恒定电位，第一晶体管的输出提供给发射极然后从集电极输出；基极接地的第四晶体管（Q15），其基极为恒定电位，第二晶体管的输出提供给发射极然后从集电极输出；以及运算放大器
热电偶放大电路以及温度监视系统

[发明专利]一种超低功耗薄层高压功率器件-CN201910805845.0有效
发明人：罗小蓉;李聪聪;樊雕;魏杰;邓高强;王晨霞;苏伟;张森;杨永辉;朱坤峰 -专利权人：电子科技大学;重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明主要特征在于：包含发射极端凹形槽和集电极槽栅。正向导通时，集电极槽栅相比集电极为负压，将其下的N型漂移区耗尽，消除正向导通时存在的电压折回效应，在N‑buffer靠近其侧有空穴积累，增强空穴注入；发射极侧凹形槽通过物理压缩空穴抽取通道，阻止空穴被抽取关断过程中，集电极槽栅相比集电极为正压，N‑buffer靠近集电极槽栅空穴积累层消失，停止向漂移区内注入空穴，使得关断速度大幅提高。本发明的有益效果为，相对传统短路阳极SOI LIGBT结构，本发明具有更低导通压降以及更快关断速度，Von‑Eoff折中更佳，且消除电压折回效应。
一种功耗薄层高压功率器件

[发明专利]击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构-CN202210148786.6有效
发明人：聂卫东;赵克翔 -专利权人：无锡市晶源微电子股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，包括设置于同一P型衬底上的PNP管和NPN管，所述PNP管基极接所述NPN管集电极，所述PNP管(T1)集电极接所述NPN管基极，所述PNP管基极和所述NPN管集电极经第一电阻接电源阳极，所述NPN管基极和所述PNP管集电极经第二电阻接电源阴极，还包括用于调节击穿电压的稳压二极管，所述稳压二极管与所述PNP管和NPN管设置于同一P型衬底上，所述稳压二极管阳极与所述NPN管基极、所述PNP管集电极连接，所述稳压二极管阴极与所述PNP管基极和所述NPN管集电极连接。
击穿电压调节 scr esd 保护结构

[发明专利]一种具有多浮空场板和集电极PMOS结构的功率器件-CN202111015795.X有效
发明人：魏杰;李杰;戴恺伟;马臻;杨可萌;罗小蓉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多浮空场和集电极PMOS结构的功率器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性PMOS结构，漂移区表面采用间断的浮空场板。正向导通时，集电极端PMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路径被阻断而消除电压折回效应，且阻挡槽栅的存在将提高漂移区载流子浓度，新器件可获得低的正向导通压降。关断过程中，集电极PMOS沟道随集电极电压上升而自适应性开启形成电子抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。
一种具有空场集电极 pmos 结构功率器件

[实用新型]新型阻容式供电高低电压转换电路-CN201520125312.5有效
发明人：田畴;黄植富 -专利权人：广东金莱特电器股份有限公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H02M3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型阻容式供电高低电压转换电路，包括PNP管Q1、NPN管Q2和NPN管Q4，所述的PNP管Q1的发射极连接外接电路输入点，集电极连接负载输入电路，基极连接在所述NPN管Q2的集电极；Q2的发射极连接输出电路负极，基极连接在所述NPN管Q4的集电极；Q4的发射极连接输出电路负极，基极连接在电阻和电容之间，集电极串联电阻并连接Q1的发射极。只要合理控制好电路的响应端，即可实现供电电压高低值自动调整，实现输出电压的灵活变动，可降低不必要的功率耗损，提高电路的效率。
新型阻容式供电高低电压转换电路

[发明专利]IGBT的硬开通电压的调整方法和电磁炉-CN201710358018.2有效
发明人：丁韩吉;孙鹏刚 -专利权人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H05B6/06 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT的硬开通电压的调整方法和电磁炉。该方法包括：当检测到两个相邻的IGBT的集电极的采样电压的差值在预设范围内时，确定IGBT硬开通；调整IGBT的导通时长。本发明提供的IGBT的硬开通电压的调整方法通过检测IGBT的集电极的电压，根据IGBT的集电极电压的变化程度，检测是否存在IGBT硬开通，并在确定存在硬开通时，调整IGBT导通时长，使得IGBT的硬开通电压减低或避免本发明提供的IGBT的硬开通电压的调整方法和电磁炉，解决了IGBT存在硬开通电压较高的问题，保护了IGBT，且结构简单。
igbt 开通电压调整方法电磁炉

[实用新型]一种绕线机的同步凸轮机构-CN201720779909.0有效
发明人：谭伦武;张龙;陈飞;叶开;李帅;卢安迪;宋明宇;饶亮亮 -专利权人：昆山升甫电子制品有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： B65H54/74 文献下载
摘要：绕线机接近开关、数控电机及减速机构，所述控制电箱内设有电源稳压电路，电源稳压电路包括开关集成稳压器、三极管、场效应管、电感、第一单向二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述开关集成稳压器的驱动器集电极端和电源端接电压输入端，驱动器集电极端与变换器集电极端之间连接一个第一电阻，三极管的集电极接电压输入端。本实用新型结构简单，使用方便，解决了绕线时容易引起断线的问题，有利于绕线的质量和机器的性能，并且实现对输出电压的稳压调节，稳定输出电压，防止设备过电压异常工作。
绕线机电阻集电极端开关集成稳压器驱动器电源稳压电路本实用新型电压输入端同步凸轮三极管绕线稳定输出电压信号发生机构电感单向二极管场效应管防止设备减速机构接近开关控制电箱输出电压数控电机主机主轴变换器电源端过电压集电极断线凸起稳压

[实用新型]一种足浴器工作电路-CN201020105766.3无效
发明人：戴利杰 -专利权人：宁波皇威电子科技有限公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： F24H9/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种足浴器工作电路，包括变压器、加热单元、应用单元、双向可控硅、光耦及芯片控制电路，变压器至少包括第一电压输出端和第二电压输出端，光耦包括二极管输入端和集电极输出端，其中，二极管输入端由第一电压输出端供电，集电极输出端由第二电压输出端供电，双向可控硅为三端元件，其中两端分别连接所述集电极输出端和应用单元，集电极输出端通过双向可控硅控制应用单元。本实用新型中，由于控制电路和双向可控硅分别由不同的输出电压来供电且两组电路由同一个开关变压器来完成，这样就可以确保电路在工作时的安全(无需担心薄膜开关破损接触水、温度传感器绝缘程度降低而引起触电)和在制造成本上的低廉
一种足浴器工作电路

[实用新型]用于飞机仪表板照明的调压电路-CN00231853.9无效
发明人：胡良官;冯章明 -专利权人：昌河飞机工业(集团)有限责任公司
申请日： 2000-03-21 - 公布日： 2001-07-04 - 主分类号： B64D47/02 文献下载
摘要：本实用新型包括一个电压调整三极管BG1,其集电极/发射极与电压输入端Vi连接,其发射极/集电极与电压输出端Vo连接,其基极与限流电阻R的一端连接,有一个线绕电位器W,它的两个固定端分别与输入电压Vi和地连接,其特征在于,有一个前置放大三极管BG2,其基极与电位器W的滑动端连接,其集电极/发射极与电压输入端Vi连接,其发射极/集电极与限流电阻的另一端连接,BG2的直流放大倍数为30-60。
用于飞机仪表板照明调压电路

[发明专利]一种高压IGBT驱动装置-CN202211424213.8在审
发明人：李霄;客金坤;许京涛;池浦田;许航宇;白建成;高冲;杨卫刚;贺之渊 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供的一种高压IGBT驱动装置，包括：取能模块、电压转换模块及驱动模块，其中，取能模块用于通过采集IGBT器件的集电极、发射极间电压进行取能；电压转换模块用于将IGBT器件的集电极、发射极间电压转换为不同电压等级的稳定电源送至驱动模块为IGBT器件的开通关断提供门极电压。该高压IGBT驱动装置仅依靠IGBT的C、E两端间电压进行取能，通过电压转换模块将IGBT器件的集电极、发射极间电压转换为不同电压等级的稳定电源。将该稳定电源送至驱动模块，为驱动模块提供所需的不同电压等级、不同参考电位的电压源，解决了IGBT在不同运行工况下的集‑射极电压波形不稳定，导致取能电源的设计难度大的问题。
一种高压 igbt 驱动装置

[发明专利]一种基于电压比较的IGBT集电极电压保护方法、系统及电磁炉-CN201611009644.2有效
发明人：周升;李娟;宣龙健;王彪;李睿;曾燕侠;谭佳佳;肖小龙;吴祥;卢伟杰;陈伟;孟宪昕;秦继祥;艾永东;汪钊 -专利权人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：一种基于电压比较的IGBT集电极电压保护方法、系统及电磁炉，涉及电磁炉保护领域。目的在于解决在对电磁加热系统中IGBT集电极电压进行保护时，往往采用基准电网220V电压的参考电压比较，降低了其他电压下的保护作用的问题。首先在电磁加热系统中的IGBT集电极上连接两个并联连接的比较器CMP1和CMP2，并在对锅具进行加热前设置两个比较器的初始参考电压；然后在锅具加热过程中对电磁加热系统中的IGBT电压进行采集，获取当前的实际电压值；最后根据当前实际电压值的大小控制比较器CMP2的参考电压。在不影响可靠性的基础上，适当调整参考电压的阈值，来匹配不同电压，提升了保护的可靠性。
电磁加热系统集电极电压参考电压比较器电磁炉电压比较实际电压锅具初始参考电压影响可靠性并联连接大小控制加热过程集电极加热匹配采集电网

[发明专利]一种耐二次击穿的功率双极晶体管-CN202110689498.7有效
发明人：牛崇实;林和;黄宏嘉;洪学天;张维忠 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐二次击穿的功率双极晶体管，包括：集电极欧姆接触区设置在最底部，在集电极欧姆接触区上设置集电极P+区，在集电极P+区上设置集电极P‑区；在集电极P‑区上设置基极n区，在集电极P‑区与基极n区之间形成集电极‑基极p‑n结区；在基极n区内设置发射极区，在基极n区与发射极区之间形成发射极‑基极p‑n结区；在基极n区上设置介电薄膜，在介电薄膜上间隔设置基极欧姆接触区及发射极欧姆接触区；在基极n区内从左至右还包括基极‑集电极p‑n结区、附加掺杂集电极区。增加功率双极晶体管对二次击穿的耐受能力，采用过电压保护阈值可调节的设计，减小器件的输出容量以得到功率双极晶体管结构简化，缩小功率双极晶体管的尺寸。
一种二次击穿功率双极晶体管

[发明专利]用于创建具有横向集电极的高电压互补BJT的方法-CN201510158427.9有效
发明人： J·A·巴布科克;A·萨多夫尼科夫 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明公开了用于创建具有降低表面电场效果的具有在体衬底上具有的横向集电极的具有减小表面电场效果的高电压互补BJT的方法，并且描述了形成在标准体硅集成电路中的高电压双极晶体管(100，200)。在一个公开的实施例中，集电极区域(104，204)被形成在外延硅层中。基区(113，213)和发射极(108，208)被布置在集电极区域的上方。n型区域(106)通过在沉积集电极外延区域之前将施主杂质注入到PNP晶体管的p衬底和将受主杂质注入到NPN晶体管的p衬底来形成在集电极区域的下方。n型阱接着被耦合到VCC，而p型阱被耦合到GND，从而提供PNP和NPN集电极区域的横向消耗的部分，并且因此增加PNP和NPN集电极区域的BV。
用于创建具有横向集电极电压互补 bjt 方法

[发明专利]一种温漂系数双向连续可调的控制电路和电压调节器-CN201711409903.5有效
发明人：杨明 -专利权人：西安智财全技术转移中心有限公司
申请日： 2017-12-24 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H02P9/30 文献下载
摘要：本发明属汽车发电机电子控制技术领域，涉及温漂系数双向连续可调的控制电路和电压调节器，控制电路包括：第二晶体管基极接收外部信号、发射极经第一电阻接地、集电极接第一晶体管发射极；第一、三、五晶体管集电极接正极、第一、三、五晶体管基极分别通过第二、四、五电阻接正极；第四晶体管基极经第三电阻接第二晶体管集电极，第四、六晶体管发射极均经第六电阻接地，第四晶体管集电极接第三晶体管发射极，第六晶体管基极经第七电阻接第四晶体管集电极，第六晶体管集电极接第五晶体管发射极，第七晶体管栅极接第六晶体管集电极，第七晶体管源极接地、漏极作为控制负载的输出端，第一电阻用于调整温漂系数；电压调节器还包括取样及续流电路。
一种系数双向连续可调控制电路电压调节器

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