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[发明专利]随机存取存储器的自检修补装置及其方法、芯片设备-CN202311121586.2在审
发明人：何学文;张坤;杨帆 -专利权人：合肥智芯半导体有限公司;苏州萨沙迈半导体有限公司;上海萨沙迈半导体有限公司;天津智芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种随机存取存储器的自检修补装置及其方法、芯片设备，随机存取存储器的自检修补装置包括：自检电路用以连接随机存取存储器，用于在接收到自检触发信号时，取得随机存取存储器的存取控制权，并对随机存取存储器进行扫描自检并输出修补地址；读写控制电路用于根据系统总线发送的操作地址进行数据存取操作；修补电路分别与自检电路和读写控制电路连接，用于在存在与操作地址匹配的修补地址时，根据匹配的修补地址通过读写控制电路对随机存取存储器中的错误地址进行重映射修补本发明实施例的随机存取存储器的自检修补装置能够实时完成随机存取存储器的自检和修补，减少软硬件资源的开销，提高随机存取存储器的使用寿命。
随机存取存储器自检修补装置及其方法芯片设备

[发明专利]一种包含非易失性RAM和RAM的存储电路-CN03821414.8无效
发明人： J·克林特 -专利权人：诺基亚有限公司
申请日： 2003-09-08 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储电路(1)，该存储电路至少包括：诸如NAND Flash存储器的非易失性随机存取存储器(3)，以及诸如动态随机存取存储器的随机存取存储器(4)。该存储电路(1)也包括存储器控制器(5)，该控制器通过第一总线(6)连接到非易失性随机存取存储器(3)，并且通过第二总线(10)连接到随机存取存储器(4)。因此，数据可以经由存储器控制器(5)在所述非易失性随机存取存储器(3)和随机存取存储器(4)之间传送。该存储电路包括连接到存储器控制器(5)的控制总线(12)，以控制存储电路(1)的工作。本发明也涉及其中使用存储电路(1)的系统和电子装置。本发明也涉及与存储电路有关的方法。
一种包含非易失性 ram 存储电路

[发明专利]使用动态随机存取存储器和闪存的系统和方法-CN03149427.7有效
发明人：三浦誓士;鮎川一重;岩村哲哉 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 2003-06-18 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：提供了一种使用动态随机存取存储器和闪存的系统和方法。在一个示例中，该系统包括：非易失性存储器；同步动态随机存取存储器；包括控制电路的多个电路，该控制电路与非易失性存储器和同步动态随机存取存储器耦合，并且控制对非易失性存储器和同步动态随机存取存储器的存取；和多个与所述电路耦合的输入/输出端子，其中在从非易失性存储器到同步动态随机存取存储器的数据传输中校正了错误的数据被传输。
使用动态随机存取存储器闪存系统方法

[发明专利]使用动态随机存取存储器和闪存的系统和方法-CN200810099174.2有效
发明人：三浦誓士;鮎川一重;岩村哲哉 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 2003-06-18 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：提供了一种使用动态随机存取存储器和闪存的系统和方法。在一个示例中，该系统包括：非易失性存储器；同步动态随机存取存储器；包括控制电路的多个电路，该控制电路与非易失性存储器和同步动态随机存取存储器耦合，并且控制对非易失性存储器和同步动态随机存取存储器的存取；和多个与所述电路耦合的输入/输出端子，其中在从非易失性存储器到同步动态随机存取存储器的数据传输中校正了错误的数据被传输。
使用动态随机存取存储器闪存系统方法

[发明专利]可增加写入裕量的静态随机存取存储器-CN201010163847.3有效
发明人：胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明一种可增加写入裕量的静态随机存取存储器，至少包含：静态随机存取存储单元阵列，该静态随机存取存储单元阵列包含多个以阵列形式排列的静态随机存取存储单元；以及可控电源电路，连接于该静态随机存取存储单元阵列，用于给每个静态随机存取存储单元提供可控的电压，本发明在读出和保持模式下，静态随机存取存储单元阵列每列的供电电压及电源负端电压不变，当需要进行写入操作时，使被操作的静态随机存取存储单元所在列的供电电压减小或使得被操作的静态随机存取存储单元所在列的电源负端电压提高，其他列电压不变，这样可以使得本发明的静态随机存取存储单元可接受的低电平范围得以扩展，增加本发明静态随机存取存储器的写入裕量。
可增加写入静态随机存取存储器

[发明专利]追踪电路及静态随机存取存储器-CN201610079638.8有效
发明人：陈双文;郝旭丹;方伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种追踪电路，用于静态随机存取存储器，所述静态随机存取存储器包括：灵敏放大器和至少一个静态随机存取位单元电路，所述静态随机存取位单元电路在字线信号控制下漏电；包括：互相并联的多个使能时间模拟电路，所述多个使能时间模拟电路的输入端接收所述静态随机存取存储器的字线信号的镜像信号，所述多个使能时间模拟电路适于模拟所述静态随机存取位单元电路的漏电，以得到漏电时间追踪信号；驱动电路，所述驱动电路的输入端连接所述使能时间模拟电路的输出端，并根据所述漏电时间追踪信号产生所述灵敏放大器的使能信号本发明追踪电路通过减小模拟得到的灵敏放大器使能时间的变动区间，可以提高静态随机存取存储器的工作速度。
追踪电路静态随机存取存储器

[发明专利]相变随机存取存储器的存储单元-CN201010524974.1有效
发明人：吴关平;徐成;刘燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变随机存取存储器的存储单元，包括：相变材料层和柱状同轴电极；柱状同轴电极包括位于柱状同轴电极的轴线位置的第一电极、嵌套在第一电极之外并与第一电极同轴的第二电极及填充在第一电极和第二电极之间的第一绝缘层本发明还公开了一种相变随机存取存储器，包括：控制电路、存储单元层、选通器件层和衬底。根据本发明的相变随机存取存储器的存储单元和相变随机存取存储器可以有效地降低相变随机存取存储器和使用相变随机存取存储器的电路的发热量和功耗。并经济地提高相变随机存取存储器和使用相变随机存取存储器的电路的性能。
相变随机存取存储器存储单元

[发明专利]DRAM的列选择信号的控制电路及包括其的存取存储器-CN201110369979.6有效
发明人：解玉凤;林殷茵 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-11-20 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明属动态随机存取存储器技术领域，涉及一种动态随机存取存储器的列选择信号的控制电路。所述控制电路包括列选择信号生成电路，还包括：与所述动态随机存取存储器的存储单元相应的冗余单元、以及冗余字线驱动模块；其中，当所述冗余单元的放大读出电压与预置的电压阈值相匹配时，所述列选择信号生成电路生成列选择信号该动态随机存取存储器，其包括存储阵列、存储阵列中的存储单元的读通路，其特征在于，所述存储阵列中还包括冗余单元，所述动态随机存取存储器还包括该列选择信号的控制电路。该动态随机存取存储器在保证读可靠性的同时，提高读操作速度。
dram 选择信号控制电路包括存取存储器

[发明专利]具有转接电路的动态随机存取存储器模块-CN03154025.2无效
发明人：陈俊宏 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2003-08-14 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种动态随机存取存储器的转接装置，特别是一种具有转接电路的动态随机存取存储器模块，当动态随机存取存储器的规格不同于计算机主机板的插槽规格，于动态随机存取存储器模块上设置转接电路，使得动态随机存取存储器模块的针脚符合计算机主机板的规格
具有转接电路动态随机存取存储器模块

[发明专利]静态随机存取存储器电路与静态随机存取存储单元阵列-CN201010196921.1有效
发明人：廖忠志;廖宏仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-02 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供一种静态随机存取存储器电路与双端口静态随机存取存储单元阵列，该静态随机存取存储器电路包括至少一静态随机存取存储单元阵列，而静态随机存取存储单元阵列包括多列和多行，并且列和行的交点均具有一静态随机存取存储单元其中每一个上述静态随机存取存储单元具有一第一字线和一第二字线，第一字线连接至一第一耦合噪声限制电路，并且第一耦合噪声限制电路包括具有一第一NMOS场效应晶体管和一第一PMOS场效应晶体管的一第一反向器以及一第二
静态随机存取存储器电路随机存取存储单元阵列

[发明专利]随机存取存储器单元的电压模式位线预充电-CN202080017482.5在审
发明人：达努特·马内亚 -专利权人：合肥睿科微电子有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G11C11/21 文献下载
摘要：所公开的电路和方法用于随机存取存储器单元的电压模式位线预充电。一种电路包括：随机存取存储器单元阵列；用于提供预充电电压的低阻抗电压源；控制电路，该控制电路用于在读取其中一个所述随机存取存储器单元之前，利用所述低阻抗电压源，将该其中一个所述随机存取存储器单元的位线预充电至所述预充电电压
随机存取存储器单元电压模式位线预充电

[发明专利]有与逻辑电路统一的主供电电压源的动态随机存取存储器-CN202210586140.6在审
发明人：卢超群;夏浚;戎博斗 -专利权人：钰创科技股份有限公司;发明创新暨合作实验室有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储器和存储器系统。所述动态随机存取存储器包含第一维持电压源和动态随机存取存储器核心电路。所述第一维持电压源用于产生第一电压，其中所述第一电压高于应用在所述动态随机存取存储器中高电平信号的电平。所述动态随机存取存储器核心电路具有动态随机存取存储器单元，其中所述动态随机存取存储器单元包含存取晶体管和储存电容。所述储存电容是选择性地耦接所述第一维持电压源。所述主供电电压源提供给所述动态随机存取存储器的电平是和另一主供电电压源提供给所述外部逻辑电路的电平相同或是实质上相同。因此，本发明不仅可缓解漏电流问题以维持储存的数据，以及也可优化能源效率和性能同步。
逻辑电路统一供电电压动态随机存取存储器

[发明专利]用于存取动态随机存取存储器的计算系统以及相关存取方法-CN201610850031.5在审
发明人：刘得平 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本发明提供一种用于存取动态随机存取存储器的计算系统以及动态随机存取存储器存取方法。该计算系统包含处理电路，在发送时钟频率切换信号之前发送早期通知信号，其中早期通知信号通知后续时钟频率切换信号的到来以及时钟频率切换信号请求改变动态随机存取存储器时钟的频率；队列，包含N个条目，其中N是正整数，且每个条目储存要被发送到动态随机存取存储器的至少一个地址与相关命令；以及动态随机存取存储器控制器，控制动态随机存取存储器的存取，其中动态随机存取存储器控制器在接收早期通知信号后降低队列的占用率到目标水平本发明提供的用于存取动态随机存取存储器的计算系统以及动态随机存取存储器存取方法能够保证存储器系统的性能。
用于存取动态随机存取存储器计算系统以及相关方法

[发明专利]随机存取存储器上的异或引擎-CN202080061410.0在审
发明人： S·斯瓦米;S·S·艾勒特;A·D·艾卡尔;K·M·丘尔维兹;王宏育 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F21/60 文献下载
摘要：本发明提供用以加速处理器中的密码编译操作的随机存取存储器装置中的异或(XOR)引擎的方法及设备。举例来说，围封于单个集成电路封装内的集成电路存储器装置可包含与所述随机存取存储器装置(例如，具有动态随机存取存储器(DRAM)或非易失性随机存取存储器(NVRAM))中的存储器单元耦合的XOR引擎。处理器(例如，片上系统(SoC)或中央处理单元(CPU))可具有加密逻辑，所述加密逻辑使用XOR运算执行密码编译操作，所述运算由所述随机存取存储器装置中的所述XOR引擎使用所述随机存取存储器装置中的数据执行
随机存取存储器引擎

[发明专利]动态随机存取存储器系统通信架构-CN202110690605.8有效
发明人：杜海涛;康一 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供一种动态随机存取存储器系统通信架构，基于双倍速率同步动态随机存储器标准，包括：动态随机存取存储器芯片组、数据输入输出开关电路、内存控制器，其中，数据输入输出开关电路为用于控制动态随机存取存储器芯片组中每一个动态随机存取存储器芯片的数据输入输出选择信号和数据输入输出信号方向的开关阵列，开关阵列用于调整移相器；内存控制器用于通过不同的片选信号独立控制每一个动态随机存取存储器芯片，以实现数据从源地址动态随机存取存储器芯片读操作至目标地址动态随机存取存储器芯片写操作的移动；内存控制器用于控制数据输入输出开关电路的开关阵列
动态随机存取存储器系统通信架构

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